타이로신 인산화효소를 감지하는 형광 프로브 및 이의 용도

    公开(公告)号:WO2014181960A3

    公开(公告)日:2014-11-13

    申请号:PCT/KR2014/001948

    申请日:2014-03-10

    Abstract: 본 발명은 오쏘(ortho)-히드록시(hydroxy)-벤즈알데하이드(benzaldehyde) 구조를 포함하는 화합물을 이용한 타이로신 인산화효소(tyrosin kinase) 감지를 위한 형광 프로브 및 이의 용도에 관한 것으로, 구체적으로, 상기 화합물 또는 이의 유사체를 포함하는 타이로신 인산화효소 감지를 위한 형광 프로브, 및 이를 이용한 용도에 관한 것이다. 본 발명에 의한 형광 프로브는 간편하게 합성할 수 있고, 이광자 여기가 가능하며, 생체 내에서 안정성 및 낮은 세포 독성을 갖는 작은 분자(small molecule) 프로브로서, 타이로신 인산화효소와 결합하여 형광 변화를 나타낼 수 있어, 타이로신 인산화효소를 과발현하는 세포 또는 조직을 영상화할 수 있으므로, 이러한 조직의 영상화용 조성물 및 영상화 방법에 유용하게 이용될 수 있다. 뿐만 아니라, 타이로신 인산화효소를 과발현하는 암 세포 또는 조직에 결합하여 형광을 나타낼 수 있어, 암 세포 또는 조직의 영상화에도 유용하게 이용될 수 있다.

    플루오로퀴놀론계 항생제를 이용한 결막 내 세포영상 검사방법, 이를 이용한 안구 병변 진단방법과 안구병변 치료제 효능 검출방법 및 이를 위한 결막 내 세포영상 검사장치

    公开(公告)号:WO2020175956A1

    公开(公告)日:2020-09-03

    申请号:PCT/KR2020/002893

    申请日:2020-02-28

    Abstract: 본 발명은 플로오로퀴놀론계 항생제 중 하나인 목시플록사신을 안구 결막의 술잔 세포에 염색하고, 염색된 술잔 세포를 근자외선 영역 또는 가시광선 영역으로 단광자 여기하여 형광 촬영함으로써 생체 조직의 형태학적 정보를 안구 결막의 손상이나 파괴 없이 얻을 수 있는 플루오로퀴놀론계 항생제를 이용한 결막 내 세포영상 검사방법, 이를 이용한 안구 병변 진단방법과 안구병변 치료제 효능 검출방법 및 이를 위한 결막 내 세포영상 검사장치에 관한 것이다. 이를 위하여, 본 발명은 안구 결막에 플루오로퀴놀론계 항생제를 염색하는 결막 염색단계와, 상기 플루오로퀴놀론계 항생제에 염색된 상기 안구 결막에 광원부가 빛을 조사하는 광 조사단계와, 상기 광 조사단계에서 빛에 의하여 형광 여기 된 상기 플루오로퀴놀론계 항생제를 통하여 촬영유닛이 상기 안구 결막을 촬영하는 결막 촬영단계를 포함하며, 상기 결막 염색단계에서 상기 플루오로퀴놀론계 항생제는 상기 안구 결막의 술잔 세포(goblet cell)를 염색하고, 상기 광 조사단계에서 상기 광원부는 단광자를 출력하며, 상기 결막 촬영단계에서 상기 안구 결막을 촬영하는 상기 촬영유닛은 고배율 형광 현미경(macroscope) 또는 세극등 현미경(slit lamp microscope)인 것을 특징으로 하는 플루오로퀴놀론계 항생제를 이용한 결막 내 세포영상 검사방법을 제공한다.

    다광자 특성을 이용한 안과용 진단 및 치료장치

    公开(公告)号:WO2018092973A1

    公开(公告)日:2018-05-24

    申请号:PCT/KR2016/014599

    申请日:2016-12-13

    Abstract: 본 발명은, 플루오로퀴놀론계의 항생제가 투여된 안구에 진단광을 조사하며, 플루오로퀴놀론계의 항생제의 작용으로 형광 발현된 원인균에 치료광을 조사하도록 구성되는 안과용 진단 및 치료장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 안과용 진단 및 치료장치는 플루오로퀴놀론계의 항생제를 이용하여 진균을 이광자 현미경으로 신속하게 확인이 가능하고, 펨토초 레이저를 이용하여 치료가 가능하므로 신속하고 정확한 치료를 제공할 수 있는 효과가 있다.

    3차원 적층 구조의 나노선을 갖춘 나노선 전계효과 센서 및 그 제조방법
    4.
    发明申请
    3차원 적층 구조의 나노선을 갖춘 나노선 전계효과 센서 및 그 제조방법 审中-公开
    具有三维堆叠结构的纳米电场效应传感器及其制造方法

    公开(公告)号:WO2014088244A1

    公开(公告)日:2014-06-12

    申请号:PCT/KR2013/010655

    申请日:2013-11-22

    CPC classification number: H01L29/775 G01N27/4145 G01N27/4146 H01L29/66439

    Abstract: 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 나노선의 3차원 적층 구조를 형성하여 종래의 직선형 나노선 센서에 비하여 한정된 동일한 면적에 더 넓은 노출 표면적을 갖도록 함으로써 대상물질이 나노선에 부착되는 확률을 높이고 이를 통해 측정 감도를 향상할 수 있는 구조의 나노선을 갖춘 나노선 센서를 제공하여 나노선의 전기전도도(conductance 또는 resistance)의 변화를 더욱 민감하게 감지할 수 있어서 센서의 감도를 높일 수 있는 장점이 있다

    Abstract translation: 本发明要解决的技术问题是提供一种具有纳米线结构的纳米线传感器,该纳米线结构能够增加目标材料与纳米线的附着概率,并且通过形成三维堆叠纳米线,通过附着概率提高测量灵敏度 结构,以便在与现有的线性纳米线传感器相同的区域内具有更宽的暴露表面积,从而更灵敏地感测电导率(电导或电阻)的变化并提高传感器的灵敏度。

    네트워크 구조의 나노선을 구비한 나노선 센서
    5.
    发明申请
    네트워크 구조의 나노선을 구비한 나노선 센서 审中-公开
    具有网络结构纳米的纳米传感器

    公开(公告)号:WO2012141431A2

    公开(公告)日:2012-10-18

    申请号:PCT/KR2012/001964

    申请日:2012-03-19

    Abstract: 본 발명은 반복되는 패턴을 갖는 네트워크 구조의 나노선을 사용함으로써 높은 효율과 구조적 안정성을 얻을 수 있는 네트워크 구조의 나노선을 구비한 나노선 센서에 관한 것으로, 기판 상부에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 형성되며, 교차점의 패턴이 반복되는 네트워크 구조로 형성된 나노선 및 상기 나노선에 고정되며 외부에서 유입되는 대상물질과 선택적으로 반응하는 탐지물질을 포함하는 것을 특징으로 한다.

    Abstract translation: 纳米线传感器技术领域本发明涉及一种纳米线传感器,其具有网络结构的纳米线,并且能够通过使用具有重复图案的网络结构的纳米线来获得高效率和结构稳定性,并且包括源电极和漏电极 衬底的上部,形成在源极之间的纳米线和重复相交图案的网络结构,以及固定到纳米线并与从外部选择性流动的目标物质反应的检测材料。

    비대칭 수직 나노선 어레이를 이용한 열전소자 및 이의 제조방법
    9.
    发明公开
    비대칭 수직 나노선 어레이를 이용한 열전소자 및 이의 제조방법 审中-实审
    采用非对称垂直纳米线阵列的热电器件及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020170029972A

    公开(公告)日:2017-03-16

    申请号:KR1020150127219

    申请日:2015-09-08

    Abstract: 비대칭수직나노선어레이를이용한열전소자및 이의제조방법을제공한다. 비대칭수직나노선어레이를이용한열전소자는벌크기판, 벌크기판은서로이격배치된, 도핑된기판영역들을포함하고, 상기도핑된기판영역들상에각각수직으로형성된 n형및 p형비대칭수직나노선어레이, 비대칭수직나노선어레이의나노선들사이를채우고있는열보호막, 상기비대칭수직나노선어레이의각 상단에따로분리되어접하는열방출부및 비대칭수직나노선어레이의하단과연결된도핑된기판영역들이모두동시에접하는열흡수부를포함하고, 비대칭수직나노선어레이는나노선상단의직경과하단의직경이서로다른것을특징으로하는비대칭수직나노선열전소자를포함한다. 이에따라, 열전변환효율과출력량을향상시킬수 있다. 또한, 비대칭수직실리콘나노선, 실리콘열흡수부및 실리콘열방출부를일체형으로제작함으로써, 소자의대량생산이가능하게하고, 나아가, 소자의단가를감소시킴으로써, 상용화에유리한열전소자및 그제조방법을제공할수 있다.

    Abstract translation: 提供了一种使用不对称垂直纳米线阵列的热电装置及其制造方法。 使用非对称的垂直纳米线阵列的热电器件是体衬底,体衬底被彼此设置的间隔开的,它包括掺杂的基底区域中,并且形成在每个直立到掺杂衬底区域的n型和p型非对称垂直纳米线 阵列,非对称垂直和底部,并连接到热发射部分和不对称的垂直纳米线阵列触点的所述掺杂衬底区域分别是在每个导线之间填充所述纳米柱保护层的顶部的,线阵列的不对称垂直纳米线阵列都 并且不对称垂直纳米线阵列包括不对称垂直纳米线热电元件,所述不对称垂直纳米线热电元件在纳米线的上端处具有直径并且下端处的直径彼此不同。 结果,可以提高热电转换效率和输出量。 此外,通过使所述非对称垂直硅纳米线,单件硅热吸收元件和所述从而能够大量生产该装置的的硅热释放部件,进一步地,减少了装置的成本,良好的热电装置和制造的商品化的方法 可以提供。

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