公开(公告)号：WO2019112148A1

公开(公告)日：2019-06-13

申请号：PCT/KR2018/009898

申请日：2018-08-28

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이지모 ,  윤건수 ,  이재구 ,  이승택 ,  남우진 ,  김원석

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H05H1/46

Abstract: 본 발명의 목적은 마이크로파로 생성된 플라즈마의 시스와 벌크를 확장하는 이중의 고주파수를 이용한 플라즈마의 시스와 벌크의 확장방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 이중의 고주파수를 이용한 플라즈마의 시스와 벌크의 확장방법은, 마이크로파 플라즈마 발생기로 플라즈마를 생성하는 생성단계, 및 상기 마이크로파 플라즈마 발생기와 설정 간격으로 이격 배치되는 무선주파수 전극에 무선주파수(RF)를 바이어스 인가하여 상기 플라즈마의 시스와 벌크를 확장하는 확장단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR101920233B1

公开(公告)日：2018-11-21

申请号：KR1020160072811

申请日：2016-06-11

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 한상수 ,  엄우용 ,  김원석

IPC: B01J20/02 ,  B01J20/20 ,  B01J20/30 ,  G21F9/12

Abstract: 본발명은요오드를효율적으로제거할수 있는비스무트그래핀산화물을함유한요오드흡착제및 이를포함한고정층컬럼또는성형물에관한것이다. 구체적으로비스무트와그래핀산화물을반응시켜비스무트그래핀산화물을제조하는방법과제조된비스무트그래핀산화물을요오드흡착제로이용하는비스무트그래핀산화물용도에관한발명이다.

公开(公告)号：KR1020170140019A

公开(公告)日：2017-12-20

申请号：KR1020160072811

申请日：2016-06-11

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 한상수 ,  엄우용 ,  김원석

IPC: B01J20/02 ,  B01J20/20 ,  B01J20/30 ,  G21F9/12

Abstract: 본발명은요오드를효율적으로제거할수 있는비스무트그래핀산화물을함유한요오드흡착제및 이를포함한고정층컬럼또는성형물에관한것이다. 구체적으로비스무트와그래핀산화물을반응시켜비스무트그래핀산화물을제조하는방법과제조된비스무트그래핀산화물을요오드흡착제로이용하는비스무트그래핀산화물용도에관한발명이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种碘吸附剂，和固定床柱，或模制品含有它们的含铋的氧化石墨烯，可以有效地除去碘。 本发明涉及特定的铋和铋是使用用于制造双氧化石墨烯的双氧化石墨烯制造和方法的氧化石墨烯目的通过销乙烷与碘吸附剂反应。

公开(公告)号：KR1020170140020A

公开(公告)日：2017-12-20

申请号：KR1020160072812

申请日：2016-06-11

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 한상수 ,  엄우용 ,  김원석

IPC: C01B31/04 ,  C01G28/00 ,  B01J20/02 ,  B01J20/20 ,  B01J19/10 ,  B01J20/30 ,  B01D15/00

Abstract: 본발명은비스무트그래핀산화물제조방법에관한것으로서, (a) 그래파이트(graphite)가산화되는단계; 및 (b) 상기 (a) 단계에서생성된그래핀산화물(graphene oxide)과질산비스무트(bismuth nitrate)가반응되는단계를포함하는비스무트그래핀산화물(bismuth graphene oxide) 제조방법에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及其中铋的氧化石墨烯的生产过程中，（a）石墨（石墨）追加画面的步骤; 和（b）用于制备方法（a）中在石墨烯氧化物（铋的氧化石墨烯）的石墨烯氧化物（氧化石墨烯）硝酸铋和含铋相，其反应（硝酸铋）的步骤生成。

公开(公告)号：KR101865774B1

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：KR1020160072812

申请日：2016-06-11

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 한상수 ,  엄우용 ,  김원석

IPC: C01B31/04 ,  C01G28/00 ,  B01J20/02 ,  B01J20/20 ,  B01J19/10 ,  B01J20/30 ,  B01D15/00

Abstract: 본발명은비스무트그래핀산화물제조방법에관한것으로서, (a) 그래파이트(graphite)가산화되는단계; 및 (b) 상기 (a) 단계에서생성된그래핀산화물(graphene oxide)과질산비스무트(bismuth nitrate)가반응되는단계를포함하는비스무트그래핀산화물(bismuth graphene oxide) 제조방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR101858146B1

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：KR1020170125696

申请日：2017-09-28

Applicant: 한국원자력환경공단 ,  포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 엄우용 ,  김원석 ,  한상수 ,  이정환 ,  하재철 ,  윤정현

IPC: G21F9/00 ,  G01N27/00

CPC classification number: G21F9/00 ,  G01N27/00

Abstract: 본발명은방사성핵종이동특성실험장치및 실험방법에관한것으로서, 암반(120)이내측에위치된컬럼; 및상기암반에포함된함수율을측정하는암반함수율측정기를포함하며, 상기암반은불포화대에서샘플링된암반인방사성핵종이동특성실험장치이며, (a) 컬럼(100) 내측에암반이위치되는단계; (b) 상기컬럼에지하수가유입되는단계; 및 (c) 상기컬럼내측에위치된암반의함수율이측정되는단계를포함하며, 상기암반은불포화대에서샘플링된암반인방사성핵종이동특성실험방법이며, (a) 소정농도의방사성핵종이포함된지하수가컬럼에유입되는단계; (b) 상기컬럼에유입된지하수가상기컬럼내측에위치된암반을통과하는단계; 및 (c) 상기컬럼을통과한지하수의방사성핵종농도가측정되는단계를포함하는방사성핵종이동특성실험방법에관한것이다.