公开(公告)号：KR101480817B1

公开(公告)日：2015-01-13

申请号：KR1020130113046

申请日：2013-09-24

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김명종 ,  박성찬 ,  조현진 ,  배수강 ,  박진형 ,  강정호 ,  강상욱 ,  이창협

IPC: C01B21/064 ,  B01J23/755

CPC classification number: C23C16/342 ,  C23C14/34 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1233 ,  C23C18/1241 ,  C23C18/1245 ,  C23C18/1275 ,  C23C18/1283 ,  C23C18/14

Abstract: 본 발명은 보라진 다량체를 용매에 녹여 질화 붕소 전구체 용액을 제조하고, 이를 금속촉매층의 상층 또는 하층에 코팅한 후 어닐링 하여 고품질의 고결정성 육방 질화 붕소막을 손쉽게 합성할 수 있게 하는, 보라진 다량체를 전구체로 활용하여 금속촉매 효과로 성장된 고품질의 질화 붕소막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에서는 종래의 CVD 방법에서 문제되던 기체 전구체 제어 및 증기압 제어 등의 문제점을 해결하여 적은 비용으로 간단하게 고품질의 육방 질화 붕소막을 합성할 수 있게 되었으며 또한, 다양한 구조 및 재료에 육방 질화 붕소막을 코팅 할 수 있고, 원하는 면적에 선택적 코팅이 가능하며, 대면적화가 용이하여 복합 재료 및 다양한 재료의 코팅 응용에 용이하다.

Abstract translation: 本发明涉及通过使用环硼氮烷聚合物作为前体通过金属催化剂效应生长的高质量氮化硼膜，其能够通过以下方式制造氮化硼前体溶液来容易地合成高质量的高结晶六方氮化硼膜： 溶剂，并且在涂覆金属催化剂层的上层或下层之后进行退火，以及其制造方法。 本发明能够通过解决诸如现有CVD方法的问题的诸如气体前体控制，蒸汽压力控制等问题，能够以低成本方便地合成高质量六方氮化硼膜，能够涂覆各种结构和 具有六方氮化硼膜的材料能够选择性地涂覆所需区域，并且通过容易地大规模地方便地应用于复合材料和各种材料的涂层。

公开(公告)号：KR101626936B1

公开(公告)日：2016-06-02

申请号：KR1020140136903

申请日：2014-10-10

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김명종 ,  강정호 ,  이동수

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/36

CPC classification number: D01F9/127

Abstract: 본발명은 (S1) 실리콘기판상에알루미나층을증착하는단계; (S2) 상기알루미나층상에팔라듐을증착하여팔라듐촉매층을형성하는단계; 및 (S3) 상기팔라듐촉매층상에화학기상증착(chemical vapor deposition, CVD)법으로탄소나노섬유를성장시키는단계;를포함하는탄소나노섬유의성장방법및 알루미나층이증착된실리콘기판상에서수직성장된탄소나노섬유로서, 끝단의곡률반경은 5 nm 이하이고, 지름은 50 nm 이하이며, 성장길이는 1 mm 이상이고, 성장길이와지름의종횡비는 50,000 이상인것을특징으로하는탄소나노섬유에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020160042676A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：KR1020140136903

申请日：2014-10-10

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김명종 ,  강정호 ,  이동수

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/36

CPC classification number: D01F9/127 ,  C30B25/02 ,  B82B3/00 ,  C30B25/025 ,  C30B29/36

Abstract: 본발명은 (S1) 실리콘기판상에알루미나층을증착하는단계; (S2) 상기알루미나층상에팔라듐을증착하여팔라듐촉매층을형성하는단계; 및 (S3) 상기팔라듐촉매층상에화학기상증착(chemical vapor deposition, CVD)법으로탄소나노섬유를성장시키는단계;를포함하는탄소나노섬유의성장방법및 알루미나층이증착된실리콘기판상에서수직성장된탄소나노섬유로서, 끝단의곡률반경은 5 nm 이하이고, 지름은 50 nm 이하이며, 성장길이는 1 mm 이상이고, 성장길이와지름의종횡비는 50,000 이상인것을특징으로하는탄소나노섬유에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及碳纳米纤维的生长方法和在氧化铝层沉积硅衬底上垂直生长的碳纳米纤维，其中碳纳米纤维的生长方法包括以下步骤：（S1）在硅衬底上沉积氧化铝层; （S2）在氧化铝层上沉积钯以形成钯催化剂层; 和（S3）通过化学气相沉积（CVD）法在钯催化剂层上生长碳纳米纤维。 此外，碳纳米纤维具有曲率半径小于或等于5nm，直径小于或等于50nm，生长长度大于或等于1mm的尖端和生长长度 - 直径长宽比大于或等于50,000。