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公开(公告)号：WO2021002523A1
公开(公告)日：2021-01-07
申请号：PCT/KR2019/008303
申请日：2019-07-05
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G06N3/063
Abstract: 본 발명은 뉴로모픽 장치에 관한 것으로, 각각은 뉴런의 주소를 고유적으로 가지는 복수의 뉴런들을 포함하는 뉴런 블록부, 각각은 시냅스 주소를 고유적으로 가지는 복수의 시냅스들을 포함하는 시냅스 블록부 및 상기 시냅스 주소 중 제1 시냅스 주소를 기초로 분할되고, 각각은 상기 시냅스 주소 중 제2 시냅스 주소를 기초로 인덱싱되며 프리시냅틱 뉴런과 포스트시냅틱 뉴런의 주소들로 구성된 전후 뉴런 엘리먼트를 포함하는 복수의 병렬 LUT 모듈들을 포함하는 토폴로지 블록부를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2020141858A1
公开(公告)日：2020-07-09
申请号：PCT/KR2019/018803
申请日：2019-12-31
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명의 일 실시 예는, 이진인공신경망이 아날로그 회로로 구현되어 공정변이에 따른 인식률 성능 저하가 발생되더라도, 발생된 인식률 성능 저하를 거의 완벽한 수준으로 회복시킬 수 있는, 아날로그 이진인공신경망 회로에서 활성도 조절을 통한 공정변이 보상방법을 개시한다.
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公开(公告)号：KR102214451B1
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：KR1020190029960
申请日：2019-03-15
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/036 , H01L21/02
Abstract: 본발명의일 실시예는, 순서대로적층된후면전극층, 패시베이션유전체층및 실리콘웨이퍼층을포함하는태양전지셀의후면전계영역을형성하는방법에있어서, a) 레이저를이용하여상기후면전극층및 상기패시베이션유전체층의일부를제거하는단계, b) 상기 a) 단계에따라상기후면전극층및 상기패시베이션유전체층이제거된영역에소정의금속물질을공급하는단계, 그리고, c) 상기 b) 단계에따라공급된소정의금속물질, 상기후면전극층및 상기실리콘웨이퍼층이전기적으로접합하도록소성공정을수행하여후면전계영역을형성하는단계를포함하는태양전지셀의후면전계영역형성방법을제공한다.
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