나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법
    1.
    发明授权
    나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법 有权
    纳米辅助激光解吸/离子质谱分析

    公开(公告)号:KR100534204B1

    公开(公告)日:2005-12-07

    申请号:KR1020040017901

    申请日:2004-03-17

    Inventor: 최헌진 변재철

    CPC classification number: H01J49/0418

    Abstract: 본 발명은 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법에 관한 것으로서, 시료를 고정할 수 있고 조사되는 시료에 레이저의 에너지를 보다 효과적으로 전달하면서 시료를 탈착 및 이온화 시키는 나노선(nanowire)을 사용하여 매트릭스 용액 없이도 시료의 질량분석을 수행할 수 있는 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법에 관한 것이다.
    이러한 본 발명에 의하면, 상기와 같은 나노선을 사용함으로써, 매트릭스 없이 시료를 효과적으로 탈착 및 이온화 시켜 정성 및 정량분석, 미량분석 및 저분자량 시료의 분석을 효과적으로 수행할 수 있으며, 기존 말디-톱 질량분석법(MALDI-Tof MS)에서 이용하는 장치를 그대로 이용할 수 있는 장점이 있게 된다. 특히, 매트릭스를 사용하지 않기 때문에 1000 달튼 이내의 작은 분자량을 갖는 시료의 질량분석을 수행할 수 있고, 나노선이 시료를 일정 면적에 고정시키기 때문에 정량분석을 수행할 수 있다.

    나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법
    2.
    发明公开
    나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법 有权
    纳米线辅助激光解吸/电离质谱

    公开(公告)号:KR1020050092809A

    公开(公告)日:2005-09-23

    申请号:KR1020040017901

    申请日:2004-03-17

    Inventor: 최헌진 변재철

    CPC classification number: H01J49/0418

    Abstract: 본 발명은 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법에 관한 것으로서, 시료를 고정할 수 있고 조사되는 시료에 레이저의 에너지를 보다 효과적으로 전달하면서 시료를 탈착 및 이온화 시키는 나노선(nanowire)을 사용하여 매트릭스 용액 없이도 시료의 질량분석을 수행할 수 있는 나노선이 보조된 레이저 탈착/이온화 질량분석 방법에 관한 것이다.
    이러한 본 발명에 의하면, 상기와 같은 나노선을 사용함으로써, 매트릭스 없이 시료를 효과적으로 탈착 및 이온화 시켜 정성 및 정량분석, 미량분석 및 저분자량 시료의 분석을 효과적으로 수행할 수 있으며, 기존 말디-톱 질량분석법(MALDI-Tof MS)에서 이용하는 장치를 그대로 이용할 수 있는 장점이 있게 된다. 특히, 매트릭스를 사용하지 않기 때문에 1000 달튼 이내의 작은 분자량을 갖는 시료의 질량분석을 수행할 수 있고, 나노선이 시료를 일정 면적에 고정시키기 때문에 정량분석을 수행할 수 있다.

    가시광 대역 반도체 나노선 광센서 및 이의 제조 방법
    4.
    发明公开
    가시광 대역 반도체 나노선 광센서 및 이의 제조 방법 无效
    可见范围半导体基于纳米级的光电传感器及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020090109980A

    公开(公告)日:2009-10-21

    申请号:KR1020080035505

    申请日:2008-04-17

    Abstract: PURPOSE: A semiconductor nano optical sensor and a manufacturing method thereof with fast reaction are provided to secure high sensitivity and fast response by arranging semiconductor nano line. CONSTITUTION: A semiconductor nano optical sensor and a manufacturing method thereof with fast reaction includes a substrate(10), a metal catalytic layer(40), and a visible light band semiconductor nano line(50). An upper side of the substrate is composed of a substrate. Two electrodes are separated at specific interval between two substrates. A metal catalytic layer is formed on each electrode. A visible light band semiconductor nano line is formed from the metal catalytic layer on each electrode.

    Abstract translation: 目的:提供半导体纳米光学传感器及其快速反应的制造方法,以通过布置半导体纳米线来确保高灵敏度和快速响应。 构成:具有快速反应的半导体纳米光学传感器及其制造方法包括基板(10),金属催化层(40)和可见光带半导体纳米线(50)。 基板的上侧由基板构成。 两个电极在两个基板之间以特定间隔分开。 在每个电极上形成金属催化层。 在每个电极上由金属催化层形成可见光带半导体纳米线。

    화학발광 및 형광을 이용한 신속진단키트 및 이의 사용방법
    5.
    发明授权
    화학발광 및 형광을 이용한 신속진단키트 및 이의 사용방법 有权
    使用化学发光和荧光的快速诊断试剂盒及其用途

    公开(公告)号:KR100704007B1

    公开(公告)日:2007-04-04

    申请号:KR1020060005111

    申请日:2006-01-17

    Abstract: 본 발명은 화학발광 및 화학형광을 이용한 신속진단키트 및 이의 사용방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 시료패드, 콘주게이트패드, 신호밴드와 확인밴드로 구성된 분리멤브레인 및 흡수패드로 이루어진 신속진단키트에 있어서, 상기 분리멤브레인에 화학발광 및 화학형광의 각각 측정이 가능한 특정의 CdS
    x /CdSe
    1-x (0

    Abstract translation: 更具体地说,本发明涉及一种快速诊断试剂盒,其包括样品垫,偶联物垫,由信号带和识别带组成的分离膜以及吸收垫, 在分离膜中,特定的CdS

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