公开(公告)号：KR100279054B1

公开(公告)日：2001-02-01

申请号：KR1019980005950

申请日：1998-02-25

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김성일 ,  박영균 ,  손창식 ,  김용 ,  김은규 ,  민석기

IPC: H01L29/15

Abstract: 종래 기술을 이용하여 양자세선을 제작하면 양자세선의 모양이 초승달 모양으로 되어 수평방향의 광구속 효율이 떨어지고, 다층의 양자세선 제작시에 위쪽으로 올라갈수록 크기가 달라지는 단점을 가진다.
본 발명에서는 Ga(갈륨) 원자가 Al(알루미늄) 원자보다 확산이 잘 되는 특징을 이용하여, V 또는 U 자형 홈이 파진 GaAs 기판 위에 유기금속화학증착법(MOCVD) 방법으로 Al
x Ga
lx As/Al
y Ga
ly As (x > y) 다층에피층 성장시킴으로써 양자세선의 두께(thickness) 및 폭(width)을 정확하게 조절 할 수 있을 뿐 아니라 x 또는 y 값을 변화시켜서 다양한 폭 및 에너지 갭을 가지는 양자세선을 제작할 수 있다. 또한, 본 발명을 이용하면 사각형 모양의 양자세선을 얻을 수 있고, 따라서 수평방향의 광구속 효율이 증가하는 등 우수한 특성을 가진 양자세선의 제작이 가능하다.

公开(公告)号：KR1019990024426A

公开(公告)日：1999-04-06

申请号：KR1019970045523

申请日：1997-09-02

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김성일 ,  김용 ,  김은규 ,  민석기 ,  박영균 ,  손창식

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 양자세선 제조방법에 관한 것으로, 종래의 양자세선 제조방법은 기판에 형성한 V자 또는 U자 홈의 크기와 모양에 따라 그 크기가 결정되는 양자세선을 형성하여, 특정소자에 적용시 양자세선의 크기를 조절할 수가 없어 그 양자세선을 포함하는 광전소자에 적용편이성이 감소하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 기판에 형성한 홈의 모양과 크기에 관계없이 갈륨비소 에피층 형성시 CCl
4 또는 CBr
4 를 특정공정조건에서 주입하여, CCl
4 또는 CBr
4 농도와, 성장온도 및 Ⅴ/Ⅲ의 비를 조절하여 그 양자세선의 크기를 제어함으로써, 그 양자세선을 포함하는 광전소자의 제품적용성을 향상시키는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100250953B1

公开(公告)日：2000-05-01

申请号：KR1019970045523

申请日：1997-09-02

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김성일 ,  김용 ,  김은규 ,  민석기 ,  박영균 ,  손창식

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing fine quantum lines is provided to freely adjust the size of fine quantum lines upon formation of fine quantum lines. CONSTITUTION: A method for manufacturing fine quantum lines forms a groove of a specific shape on a substrate. Aluminum(Al) gallium(Ga) arsenide(As) having a step is formed on the substrate. A GaAs epitaxial layer is grown at the sidewall of the step using organic metal chemical deposition method. A growth control compound such as CCl4 or CBr4 for changing the growth rate of GaAs depending on the ratio of the concentration when the GaAs epitaxial layer is grown is injected. The GaAs epitaxial layer is grown at a specific temperature by injecting mixed 5-group elements and 3-group elements.

Abstract translation: 目的：提供精细量子线的制造方法，可以在形成微量子线时自由调节精细量子线的尺寸。 构成：用于制造精细量子线的方法在衬底上形成特定形状的沟槽。 在基板上形成具有台阶的铝（Al）镓（Ga）砷化物（As）。 使用有机金属化学沉积方法在台阶的侧壁处生长GaAs外延层。 注入用于根据GaAs外延层生长时的浓度比来改变GaAs的生长速度的诸如CCl4或CBr4的生长控制化合物。 GaAs外延层通过注入混合的5族元素和3族元素在特定温度下生长。

公开(公告)号：KR1019990070850A

公开(公告)日：1999-09-15

申请号：KR1019980005950

申请日：1998-02-25

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김성일 ,  박영균 ,  손창식 ,  김용 ,  김은규 ,  민석기

IPC: H01L29/15

Abstract: 종래 기술을 이용하여 양자세선을 제작하면 양자세선의 모양이 초승달 모양으로 되어 수평방향의 광구속 효율이 떨어지고, 다층의 양자세선 제작시에 위쪽으로 올라갈수록 크기가 달라지는 단점을 가진다.
본 발명에서는 Ga(갈륨) 원자가 Al(알루미늄) 원자보다 확산이 잘 되는 특징을 이용하여, V 또는 U 자형 홈이 파진 GaAs 기판 위에 유기금속화학증착법(MOCVD) 방법으로 Al
x Ga
1-x As/Al
y Ga
1-y As (x 〉y) 다층에피층 성장시킴으로써 양자세선의 두께(thickness) 및 폭(width)을 정확하게 조절 할 수 있을 뿐 아니라 x 또는 y 값을 변화시켜서 다양한 폭 및 에너지 갭을 가지는 양자세선을 제작할 수 있다. 또한, 본 발명을 이용하면 사각형 모양의 양자세선을 얻을 수 있고, 따라서 수평방향의 광구속 효율이 증가하는 등 우수한 특성을 가진 양자세선의 제작이 가능하다.