公开(公告)号：KR1020120089040A

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：KR1020110010134

申请日：2011-02-01

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 강종윤 ,  강민규 ,  윤석진 ,  김진상 ,  최지원 ,  장호원 ,  도영호 ,  오승민

IPC: C30B29/32 ,  C01G23/04 ,  H01L21/31 ,  H01L27/04

Abstract: PURPOSE: Methods for manufacturing a ferroelectric thin film and a planar structure device are provided to have excellent dielectric properties by optimizing an emission condition of an excimer laser. CONSTITUTION: A preliminary amorphous ferroelectric thin film(22) is formed on a substrate(10). The thickness of the preliminary amorphous ferroelectric thin film is more than 50nm. The preliminary amorphous ferroelectric thin film includes one or more selected from Ba, Sr, Pb, Ca, La, K, Na, Ti, Zr, Nb, Ta and Fe. An excimer laser is emitted to the preliminary amorphous ferroelectric thin film.

Abstract translation: 目的：通过优化准分子激光器的发射条件，提供制造铁电薄膜和平面结构器件的方法以具有优异的介电性能。 构成：在基板（10）上形成初步的非晶铁电薄膜（22）。 初步非晶铁电薄膜的厚度大于50nm。 初步的非晶铁电薄膜包括选自Ba，Sr，Pb，Ca，La，K，Na，Ti，Zr，Nb，Ta和Fe中的一种或多种。 将准分子激光器发射到初步的非晶铁电薄膜。

公开(公告)号：KR101303853B1

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：KR1020110010134

申请日：2011-02-01

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 강종윤 ,  강민규 ,  윤석진 ,  김진상 ,  최지원 ,  장호원 ,  도영호 ,  오승민

IPC: C30B29/32 ,  C01G23/04 ,  H01L21/31 ,  H01L27/04

Abstract: 본 발명은 강유전체 박막의 형성방법 및 평면 구조 소자의 제조방법에 관한 것으로, 300℃ 이하의 저온에서 강유전체 박막을 형성(제조)시킬 수 있는 강유전체 박막의 형성방법, 및 이를 이용한 평면 구조 소자의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 (ⅰ) 기판 상에 비정질의 예비 강유전체 박막을 형성하는 단계; 및 (ⅱ) 상기 비정질의 예비 강유전체 박막에 엑시머 레이저를 조사하여 결정화하는 단계를 포함하되, 상기 (ⅰ)단계에서는 비정질의 예비 강유전체 박막을 50㎚ 이상의 두께로 형성하고, 상기 (ⅱ)단계에서는 엑시머 레이저를 50 mJ/㎠ 내지 200 mJ/㎠의 에너지 밀도와, 1회 내지 2,000회의 조사횟수로 조사하는 강유전체 박막의 형성방법, 및 이를 포함하는 평면 구조 소자의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 300℃ 이하의 저온에서 강유전체 박막을 형성(결정화)할 수 있으며, 엑시머 레이저 어닐링의 특성상 박막 하단부에 잔존하는 비정질층의 영향을 받지 않는 평면 구조 소자(Device of planar structure)를 구현하여 고온 소결에 의한 박막보다 우수한 유전 특성을 가지는 강유전체 소자를 제조할 수 있다.