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公开(公告)号：KR1020120089040A
公开(公告)日：2012-08-09
申请号：KR1020110010134
申请日：2011-02-01
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: PURPOSE: Methods for manufacturing a ferroelectric thin film and a planar structure device are provided to have excellent dielectric properties by optimizing an emission condition of an excimer laser. CONSTITUTION: A preliminary amorphous ferroelectric thin film(22) is formed on a substrate(10). The thickness of the preliminary amorphous ferroelectric thin film is more than 50nm. The preliminary amorphous ferroelectric thin film includes one or more selected from Ba, Sr, Pb, Ca, La, K, Na, Ti, Zr, Nb, Ta and Fe. An excimer laser is emitted to the preliminary amorphous ferroelectric thin film.
Abstract translation: 目的：通过优化准分子激光器的发射条件，提供制造铁电薄膜和平面结构器件的方法以具有优异的介电性能。 构成：在基板（10）上形成初步的非晶铁电薄膜（22）。 初步非晶铁电薄膜的厚度大于50nm。 初步的非晶铁电薄膜包括选自Ba，Sr，Pb，Ca，La，K，Na，Ti，Zr，Nb，Ta和Fe中的一种或多种。 将准分子激光器发射到初步的非晶铁电薄膜。
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公开(公告)号：KR101337515B1
公开(公告)日：2013-12-05
申请号：KR1020120063205
申请日：2012-06-13
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/20 , H01L41/04
CPC classification number: H01L21/02565 , H01L29/22 , H01L41/113 , H01L41/31 , H01L41/313 , H01L27/1266 , H01L27/1225
Abstract: The present invention relates to a method of manufacturing an oxide thin film device by laser lift-off method and an oxide thin film device manufactured thereby. The method of the present invention includes the steps of: forming an oxide thin film on a growth substrate; bonding a temporary substrate on the oxide thin film; irradiating laser on the growth substrate to separate the oxide thin film on which the temporary substrate has been bonded; bonding a device substrate on the thin film on which the temporary substrate has been bonded; and forming an upper electrode film on the oxide thin film. According to the present invention, it is possible to overcome problems caused by a defective layer by transferring oxide thin film printed on a polymer-based temporary substrate to a device substrate without using an interface on which a defective layer formed due to oxygen diffusion during application of the laser lift-off. [Reference numerals] (AA) Laser beam
Abstract translation: 本发明涉及通过激光剥离法制造氧化物薄膜器件的方法和由此制造的氧化物薄膜器件。 本发明的方法包括以下步骤：在生长衬底上形成氧化物薄膜; 将临时衬底粘结在氧化物薄膜上; 在生长衬底上照射激光以分离已经结合了临时衬底的氧化物薄膜; 将器件衬底接合在已经结合有临时衬底的薄膜上; 以及在所述氧化物薄膜上形成上电极膜。 根据本发明，可以通过将印刷在基于聚合物的临时衬底上的氧化物薄膜转印到器件衬底上而不使用在施加期间由于氧扩散而形成的缺陷层的界面来克服由缺陷层引起的问题 的激光剥离。 （附图标记）（AA）激光束
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Patent Agency Ranking3.发明公开압전 복합체를 이용한 플렉서블 압전 에너지 하베스팅 소자의 제조 방법 및 이로부터 제조된 플렉서블 압전 에너지 하베스팅 소자 有权使用压电复合材料制造柔性压电能量收集器的方法和由其制造的柔性压电式能量收集器
公开(公告)号：KR1020130139603A
公开(公告)日：2013-12-23
申请号：KR1020120063206
申请日：2012-06-13
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L41/113 , H01L41/183 , H01L41/312 , H01L41/317 , Y10T29/42
Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a flexible piezoelectric energy harvesting device using a piezoelectric composite. The method according to the present invention comprises the steps of: forming a first electrode layer on a first flexible substrate; spin-coating, on the first electrode layer, a piezoelectric composite layer produced by a mixture of piezoelectric powder and a polymer; hardening the piezoelectric composite layer by heat treatment; and bonding a second flexible substrate with a second electrode layer on the hardened piezoelectric composite layer. Therefore, the flexible piezoelectric energy harvesting device can be realized by adopting the piezoelectric composite layer manufactured by a mixture of the piezoelectric powder and the polymer, thereby simplifying a manufacturing process and manufacturing a high efficiency flexible piezoelectric energy harvesting device having various sizes and patterns. [Reference numerals] (AA) Heat treatment
Abstract translation: 本发明涉及使用压电复合材料制造柔性压电能量收集装置的方法。 根据本发明的方法包括以下步骤：在第一柔性基板上形成第一电极层; 旋涂在第一电极层上，由压电粉末和聚合物的混合物制成的压电复合层; 通过热处理硬化压电复合层; 以及在硬化的压电复合层上将第二柔性基板与第二电极层接合。 因此，柔性压电能量收集装置可以通过采用由压电粉末和聚合物的混合物制成的压电复合层来实现，从而简化制造工艺并制造具有各种尺寸和图案的高效柔性压电能量收集装置。 （标号）（AA）热处理
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公开(公告)号：KR101303853B1
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：KR1020110010134
申请日：2011-02-01
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 강유전체 박막의 형성방법 및 평면 구조 소자의 제조방법에 관한 것으로, 300℃ 이하의 저온에서 강유전체 박막을 형성(제조)시킬 수 있는 강유전체 박막의 형성방법, 및 이를 이용한 평면 구조 소자의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 (ⅰ) 기판 상에 비정질의 예비 강유전체 박막을 형성하는 단계; 및 (ⅱ) 상기 비정질의 예비 강유전체 박막에 엑시머 레이저를 조사하여 결정화하는 단계를 포함하되, 상기 (ⅰ)단계에서는 비정질의 예비 강유전체 박막을 50㎚ 이상의 두께로 형성하고, 상기 (ⅱ)단계에서는 엑시머 레이저를 50 mJ/㎠ 내지 200 mJ/㎠의 에너지 밀도와, 1회 내지 2,000회의 조사횟수로 조사하는 강유전체 박막의 형성방법, 및 이를 포함하는 평면 구조 소자의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 300℃ 이하의 저온에서 강유전체 박막을 형성(결정화)할 수 있으며, 엑시머 레이저 어닐링의 특성상 박막 하단부에 잔존하는 비정질층의 영향을 받지 않는 평면 구조 소자(Device of planar structure)를 구현하여 고온 소결에 의한 박막보다 우수한 유전 특성을 가지는 강유전체 소자를 제조할 수 있다.
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5.发明授权압전 복합체를 이용한 플렉서블 압전 에너지 하베스팅 소자의 제조 방법 및 이로부터 제조된 플렉서블 압전 에너지 하베스팅 소자 有权使用压电复合材料和柔性压电能量收割机制造柔性压电能量收集器的方法
公开(公告)号：KR101402988B1
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：KR1020120063206
申请日：2012-06-13
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L41/113 , H01L41/183 , H01L41/312 , H01L41/317 , Y10T29/42
Abstract: 본 발명은 압전 복합체를 이용한 플렉서블 압전 에너지 하베스팅 소자의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 제조방법은 제 1 플렉서블 기판 상에 제 1 전극층을 형성시키는 단계; 상기 제 1 전극층에 압전 파우더와 중합체를 혼합한 압전 복합체층을 스핀 코팅하는 단계; 상기 압전 복합체층을 열처리하여 경화시키는 단계; 및 상기 경화된 압전 복합체층 상에 제 2 전극층이 형성된 제 2 플렉서블 기판을 접합시키는 단계를 포함하며, 이와 같이 압전 파우더와 중합체를 혼합하여 제조된 압전 복합체층을 도입하여 플렉서블 압전 에너지 하베스팅 소자를 구현함으로써 단순한 공정과 다양한 크기와 패턴을 가진 고효율의 플렉서블 압전 에너지 하베스팅 소자를 제작할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101213606B1
公开(公告)日：2012-12-18
申请号：KR1020110043928
申请日：2011-05-11
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은산화물박막소자의제조방법에관한것이다. 본발명은성장기판상에산화물박막을형성하는단계; 상기산화물박막상에소자기판을접합하는단계; 상기성장기판에레이저를조사하여성장기판과산화물박막을분리하는단계; 및상기분리된산화물박막의표면에산소플라즈마를가하여산화및 표면처리하는단계를포함한다. 본발명에따르면, 레이저조사에의해발생된산화물박막의표면결함층이산소플라즈마에의해산화및 표면처리되어우수한물성을가지는산화물박막소자를제조할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020120126266A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：KR1020110043928
申请日：2011-05-11
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L41/331 , C04B35/462 , C04B35/491 , H01L41/0477 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/1878 , H01L41/39
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an oxide thin film device is provided to have excellent physical properties by oxidizing and surface-processing a surface defect layer with oxygen plasma. CONSTITUTION: An oxide thin film(12) is formed a growth substrate(11). A first electrode layer is formed on the oxide thin film. An element substrate is welded on the oxide thin film. The growth substrate is irradiated with laser. The oxide thin film is separated from the growth substrate. Oxygen plasma is added on the surface of the separated oxide thin film. The oxide thin film is oxidized and surface-processed. A second electrode layer is formed on the oxide thin film. [Reference numerals] (AA) Laser beam; (BB) Oxidation and surface processing
Abstract translation: 目的：通过用氧等离子体氧化和表面处理表面缺陷层，提供一种制造氧化物薄膜器件的方法以具有优异的物理性能。 构成：生长衬底（11）形成氧化物薄膜（12）。 在氧化物薄膜上形成第一电极层。 将元件基板焊接在氧化物薄膜上。 用激光照射生长衬底。 氧化物薄膜与生长衬底分离。 在分离的氧化物薄膜的表面上添加氧等离子体。 氧化物薄膜被氧化并进行表面处理。 在氧化物薄膜上形成第二电极层。 （附图标记）（AA）激光束; （BB）氧化和表面处理
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