公开(公告)号：KR100511077B1

公开(公告)日：2005-08-30

申请号：KR1020030016170

申请日：2003-03-14

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이우영 ,  한석희 ,  장준연 ,  김희중 ,  이한주 ,  황웅준 ,  신무환 ,  김영근

IPC: G11C11/15

CPC classification number: H01F10/1936 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  H01F10/193 ,  H01F41/308 ,  H01L29/66984

Abstract: 상온에서 강자성체로부터 스핀분극된 캐리어를 반도체에 주입하여 얻어지는 스핀밸브 효과로부터 메모리 및 논리소자로 응용이 가능한 스핀주입소자 및 스핀 전계효과 트랜지스터를 제공한다.

公开(公告)号：KR1020040081625A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：KR1020030016170

申请日：2003-03-14

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이우영 ,  한석희 ,  장준연 ,  김희중 ,  이한주 ,  황웅준 ,  신무환 ,  김영근

IPC: G11C11/15

CPC classification number: H01F10/1936 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  H01F10/193 ,  H01F41/308 ,  H01L29/66984

Abstract: PURPOSE: A hybrid magnet/semiconductor spin device and its fabrication method are provided to fabricate a spin injection device and a spin field effect transistor from a spin valve effect obtained by injecting carriers spin-polarized from a ferromagnetic material into a semiconductor. CONSTITUTION: The hybrid magnet/semiconductor spin device includes a semiconductor substrate and a source region(21) of magnetic material formed on the substrate. A spin channel region is formed on the substrate and carriers spin-polarized from the source region are injected into the spin channel region. And a drain region(22) of magnetic material is formed on the substrate and spins passing through the spin channel region are detected in the drain region.

Abstract translation: 目的：提供一种混合磁体/半导体自旋装置及其制造方法，以从通过将从铁磁材料自旋极化的载流子注入半导体而获得的自旋阀效应来制造自旋注入装置和自旋场效应晶体管。 构成：混合磁体/半导体自旋装置包括半导体衬底和形成在衬底上的磁性材料源区（21）。 在衬底上形成自旋沟道区，并将从源极区自旋极化的载流子注入到自旋沟道区。 并且在衬底上形成磁性材料的漏极区域（22），并且在漏极区域中检测到通过自旋沟道区域的自旋。