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3.发明授权
公开(公告)号：KR101376719B1
公开(公告)日：2014-03-20
申请号：KR1020120143005
申请日：2012-12-10
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G05D23/02
CPC classification number: G05D23/02 , H01L21/265 , H01L27/2418 , H01L45/06
Abstract: A method for controlling phase change temperature of a metal-insulator phase change material according to an embodiment of the present invention includes: a preparation step of preparing a metal-insulator phase change material; and a control step of manufacturing a metal-insulator phase change material which is controlled to maintain a modified phase change temperature by irradiating the metal-insulator material with ion beam. According to the control method, the metal-insulator phase change material can be applicable to a large-scale business, the manufacture with a relatively simple method is possible and the phase change temperature of the modified metal-insulator phase change material can be permanently maintained by providing a metal-insulator phase change material with controlled phase change temperature using the ion beam processing.
Abstract translation: 根据本发明实施例的用于控制金属 - 绝缘体相变材料的相变温度的方法包括：制备金属 - 绝缘体相变材料的制备步骤; 以及通过用离子束照射金属 - 绝缘体材料来制造金属 - 绝缘体相变材料的控制步骤，其被控制为维持改变的相变温度。 根据控制方法，金属 - 绝缘体相变材料可以适用于大规模的业务，以相对简单的方法制造是可能的，并且可以永久地保持改性金属 - 绝缘体相变材料的相变温度 通过使用离子束处理提供具有受控相变温度的金属 - 绝缘体相变材料。
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公开(公告)号：KR101397451B1
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：KR1020130005012
申请日：2013-01-16
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B82B3/00 , H01L31/042 , H01L31/09 , H01L27/14
CPC classification number: H01L31/035227 , H01L31/0322 , Y02E10/541
Abstract: A method for manufacturing CIGS nanorods or nanowires according to an embodiment of the present invention includes a deposition preparation step of placing raw materials including copper, indium, gallium, and selenium and a substrate in a reactor, and a deposition step of growing the CIGS nanorods or nanowires on a substrate by maintaining the temperature of the reactor in which a carrier gas flows at a constant flow rate at 850-1000°C. According to the method of the present invention, provided are Cu(In,Ga)Se_2 nanorods or nanowires having a uniform composition distribution, high light absorptivity, and high crystallinity without using a catalyst.
Abstract translation: 根据本发明的实施方案的制造CIGS纳米棒或纳米线的方法包括沉积制备步骤，将包括铜，铟，镓和硒的原料和基底放置在反应器中，以及沉积步骤，将CIGS纳米棒 或纳米线通过保持载体气体在850-1000℃恒定流速下流动的反应器的温度而在基底上。 根据本发明的方法，提供了不使用催化剂的组成分布均匀，光吸收率高，结晶度高的Cu（In，Ga）Se_2纳米棒或纳米线。
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公开(公告)号：KR101623521B1
公开(公告)日：2016-05-24
申请号：KR1020130092712
申请日：2013-08-05
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: A61K31/7088 , A61K31/713 , A61K47/6435 , A61K47/6903 , A61K47/6929
Abstract: 본발명은종양세포내에서특정유전자를사일런싱하기위한 siRNA의종양표적화된전달을위한젤라틴기반나노입자복합체및 그제조방법에관한것으로서, 더욱구체적으로는, 말단이티올기로변형된폴리-siRNA 사슬; 및상기폴리-siRNA 사슬과이황화가교결합및 전하상호작용에의해서결합되는티올화젤라틴을포함하는, siRNA의종양표적화된전달을위한젤라틴기반나노입자복합체및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따른 siRNA의종양표적화된전달을위한젤라틴기반나노입자복합체는세포독성없이, 혈류내에서분해되지않고우수한효율성으로종양세포내로흡수될수 있으며, 전달된 siRNA는표적유전자의사일런싱을효과적으로수행할수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150017048A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：KR1020130092712
申请日：2013-08-05
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: A61K31/7088 , A61K31/713 , A61K47/6435 , A61K47/6903 , A61K47/6929
Abstract: 본 발명은 종양세포 내에서 특정 유전자를 사일런싱하기 위한 siRNA의 종양 표적화된 전달을 위한 젤라틴 기반 나노입자 복합체 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는, 말단이 티올기로 변형된 폴리-siRNA 사슬; 및 상기 폴리-siRNA 사슬과 이황화 가교결합 및 전하 상호작용에 의해서 결합되는 티올화 젤라틴을 포함하는, siRNA의 종양 표적화된 전달을 위한 젤라틴 기반 나노입자 복합체 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 siRNA의 종양 표적화된 전달을 위한 젤라틴 기반 나노입자 복합체는 세포독성 없이, 혈류 내에서 분해되지 않고 우수한 효율성으로 종양세포 내로 흡수될 수 있으며, 전달된 siRNA는 표적 유전자의 사일런싱을 효과적으로 수행할 수 있다.Abstract translation: 本发明涉及一种基于明胶的纳米颗粒复合物，其用于递送肿瘤靶向siRNA以沉默肿瘤细胞中的特定基因及其制备方法，更具体地涉及一种基于明胶的用于递送肿瘤靶向siRNA的纳米颗粒复合物 其包括端基变成硫醇基的多siRNA链; 和通过多siRNA链连接的硫醇化明胶，二硫键交联键和电荷相互作用，及其制造方法。 根据本发明，用于递送肿瘤靶向siRNA的基于明胶的纳米颗粒复合物没有细胞毒性，并且在血流中不分解，以突出的效率被吸收到肿瘤细胞中，其中递送的肿瘤靶向siRNA有效地沉默 特异性基因。
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公开(公告)号：KR100996162B1
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：KR1020090020304
申请日：2009-03-10
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/0236 , B82Y40/00
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 투명전극과; 상기 투명전극의 후방에 형성되며, 태양광을 흡수하여 기전력을 발생시키는 CIGS 재질의 광흡수층과; 상기 투명전극과 광흡수층의 사이에 형성되는 버퍼층; 및 상기 광흡수층의 후면에 형성되는 배면전극을 포함하고, 상기 광흡수층은 광흡수율이 증가되도록 표면 처리를 통한 나노 패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지와 이의 제조방법, 및 박막형 태양전지의 광흡수층 제조방법을 개시한다.
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公开(公告)号：KR100561168B1
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：KR1020040014663
申请日：2004-03-04
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N33/18
Abstract: 본 발명에서는 미생물연료전지형 BOD 계측기에 유입되는 시료에, 질산염환원 미생물의 질산염환원과 호기성 미생물의 산소 호흡을 저해하는 저해제를 첨가하는 단계(S1)를 포함하는 것을 특징으로 하는 호흡저해제를 이용한 미생물연료전지형 BOD 계측기의 성능 향상 방법을 제시한다. 그리고, 상기 S1 단계는, 상기 저해제로서, 시아나이드 및 아자이드로 구성된 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 호흡저해제를 이용하는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 S1 단계는, 상기 시아나이드 및 아자이드로 구성된 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 호흡저해제를 염의 형태로 첨가하는 것이 바람직하다. 본 발명의 호흡저해제를 이용한 미생물연료전지형 BOD 계측기의 성능 향상 방법에 따르면, 미생물 연료전지 형태의 BOD 센서에 유입되는 측정 시료에 포함되어 있는 산소를 제거하기 위하여 질소 분위기로 전처리 하거나, 질산염, 아질산염을 별도로 제거하여야 하는 전처리가 없이도, 정확하게 시료의 BOD를 측정할 수 있다.
미생물연료전지, BOD, 호흡저해제, 시아나이드, 아자이드, 질산염, 산소-
公开(公告)号：KR101803334B1
公开(公告)日：2017-12-04
申请号：KR1020160161860
申请日：2016-11-30
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 유체유동에서형성되는농도결핍층해석방법은, 용매내에입자가분산되어있는유체를채널내로주입하는단계; 상기채널내를흐르는상기유체의평균유속을측정하는단계; 상기채널양단의압력차, 상기채널에주입된상기유체의부피유량및 미리설정된농도분포식을이용하여, 상기채널내를흐르는상기유체의평균유속을산출하는단계; 및상기측정하는단계에서측정된평균유속과상기산출하는단계에서산출된평균유속을비교한것에기초하여, 상기유체의흐름에의해상기채널내에형성되는농도결핍층두께를결정하는단계를포함한다. 상기방법에의하면, 고가의광학장비와복잡한이미지분석과정이필요없이속도분포와농도분포의결합으로구성되는관계식과실험적으로측정한부피유량으로부터미세채널벽면부근에형성되는농도결핍층두께를효율적으로산출할수 있다.
Abstract translation: 分析在流体流动中形成的浓度不足层的方法包括以下步骤：将具有分散在溶剂中的颗粒的流体注入通道; 测量在通道中流动的流体的平均流速; 利用通道间的压力差，注入通道的流体的体积流量和预设的浓度分布方程，计算在通道中流动的流体的平均流速; 并且基于将在测量步骤中测量的平均流量与在计算步骤中计算的平均流量进行比较，确定流体流动形成在通道中的浓度耗尽层厚度。 根据该方法，所述昂贵的光学设备和复杂的图像分析方程，其过程包括速度分布和浓度分布，而不需要的实验浓度在从由有效测量的体积流动的微通道壁表面上形成耗尽区厚度的组合的 可以计算。
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公开(公告)号：KR1020100101883A
公开(公告)日：2010-09-20
申请号：KR1020090020304
申请日：2009-03-10
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/0236 , B82Y40/00
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/0445 , B82Y40/00 , H01L31/0236
Abstract: PURPOSE: A thin film solar cell, a method for manufacturing the same, and a method for manufacturing the optical absorption layer of the same of the same are provided to improve the conversion efficiency of the solar cell by modifying the surface of the optical absorption layer. CONSTITUTION: A rear electrode is formed on a substrate. An optical absorption layer, based on a copper indium gallium selenide material, is formed on the rear electrode. The surface of the optical absorption layer is treated, and a nano-pattern is formed on the surface of the optical absorption layer in order to improve an optical absorption rate. A buffer layer and a transparent electrode are successively formed on the surface-treated optical absorption layer.
Abstract translation: 目的：提供薄膜太阳能电池及其制造方法及其制造方法，以通过改变光吸收层的表面来提高太阳能电池的转换效率 。 构成：背面电极形成在基板上。 基于铜铟镓硒材料的光吸收层形成在后电极上。 处理光吸收层的表面，并且在光吸收层的表面上形成纳米图案以提高光吸收率。 在表面处理的光吸收层上依次形成缓冲层和透明电极。
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