公开(公告)号：KR101892632B1

公开(公告)日：2018-10-04

申请号：KR1020170030046

申请日：2017-03-09

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 조철진 ,  김상태 ,  백승협 ,  강종윤 ,  최지원 ,  김진상 ,  김성근

IPC: H01L49/02

CPC classification number: H01L28/65

Abstract: 실시예들은하부전극, 상기하부전극상에형성되는유전체층및 상기유전체층상에형성되는상부전극을포함하되, 상기하부전극또는상부전극은백금족산화물과주석산화물의화합물을포함하는, 백금족산화물과주석산화물의화합물을갖는반도체메모리소자및 그제조방법에관련된다.

公开(公告)号：KR1020160112348A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：KR1020150037964

申请日：2015-03-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김성근 ,  조철진 ,  권범진 ,  백승협 ,  정두석 ,  강종윤 ,  최지원 ,  김진상

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/314 ,  H01L21/768

Abstract: 본발명의일 실시예에따른거대결정을갖는금속산화물박막제조방법은기판상에비정질시드층을형성하는단계및 상기비정질시드층상에상기비정질시드층의두께에대응되는크기의결정립을갖는금속산화물층을형성하는단계를포함할수 있다.

Abstract translation: 根据本发明的一个实施方案，具有大块晶粒的金属氧化物薄膜的制造方法包括以下步骤：在基板上形成非晶种晶层; 以及在所述非晶态种子层上形成金属氧化物层，所述非晶种子层的晶粒尺寸对应于所述无定形籽晶层的厚度。

公开(公告)号：KR1020170119119A

公开(公告)日：2017-10-26

申请号：KR1020160046868

申请日：2016-04-18

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 조철진 ,  권범진 ,  백승협 ,  강종윤 ,  최지원 ,  김진상 ,  김성근

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108

Abstract: 실시예들은하부전극, 상기하부전극상에형성되는유전체층및 상기유전체층상에형성되는상부전극을포함하되, 상기유전체층은루타일(rutile) 구조의티타늄산화물을포함하는, 반도체메모리소자용커패시터및 그제조방법에관련된다.

Abstract translation: 实施例涉及一种用于半导体存储器件的电容器，包括下电极，形成在下电极上的电介质层和形成在电介质层上的上电极，其中电介质层包括金红石结构的氧化钛， ＆lt;

公开(公告)号：KR101932588B1

公开(公告)日：2018-12-27

申请号：KR1020170026311

申请日：2017-02-28

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 편정준 ,  조철진 ,  김상태 ,  정두석 ,  백승협 ,  강종윤 ,  최지원 ,  김진상 ,  김성근

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108

Abstract: 개시된 반도체 메모리 소자의 커패시터는, 하부 전극, 상기 하부 전극 위에 배치되며 티타늄 산화물을 포함하는 유전막 및 상기 유전막 위에 배치되는 상부 전극을 포함한다. 상기 하부 전극은, 제1 금속 및 제2 금속을 포함하고, 상기 제1 금속은 백금(Pt), 오스뮴(Os), 로듐(Rh) 및 팔라듐(Pd)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하고, 상기 제2 금속은, 루테늄(Ru) 및 이리듐(Ir)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020180099197A

公开(公告)日：2018-09-05

申请号：KR1020170026311

申请日：2017-02-28

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 편정준 ,  조철진 ,  김상태 ,  정두석 ,  백승협 ,  강종윤 ,  최지원 ,  김진상 ,  김성근

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10808 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28556 ,  H01L28/75 ,  H01L28/91

Abstract: 개시된반도체메모리소자의커패시터는, 하부전극, 상기하부전극위에배치되며티타늄산화물을포함하는유전막및 상기유전막위에배치되는상부전극을포함한다. 상기하부전극은, 제1 금속및 제2 금속을포함하고, 상기제1 금속은백금(Pt), 오스뮴(Os), 로듐(Rh) 및팔라듐(Pd)으로이루어진그룹에서선택된적어도하나를포함하고, 상기제2 금속은, 루테늄(Ru) 및이리듐(Ir)으로이루어진그룹에서선택된적어도하나를포함한다.

公开(公告)号：KR1020160109589A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：KR1020150034310

申请日：2015-03-12

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김성근 ,  조철진 ,  백승협 ,  권범진 ,  강종윤 ,  최지원 ,  정두석 ,  김진상

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02109 ,  H01L21/205

Abstract: 본발명의일 실시예에따른전구체경쟁흡착을이용한원자층증착방법은 (a) 기판상에제1전구체를주입하는단계, (b) 상기기판상에산소원료를주입하는단계, (c) 상기기판상에제1전구체및 제2전구체를함께주입하는단계및 (d) 상기기판상에산소원료를주입하는단계를포함할수 있다.

Abstract translation: 使用根据本发明的实施方案的前体的竞争性吸附的原子层沉积方法可以包括（a）将第一前体注入到基底上的步骤，（b）将氧（原料）注入到 所述基板，（c）将所述第一前体和所述第二前体注入到所述基板上的步骤，以及（d）将氧（原料）注入到所述基板上的工序。 因此，可以在形成电介质薄膜时控制精细的掺杂浓度。