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公开(公告)号：KR102226125B1
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：KR1020190078603A
申请日：2019-07-01
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 전극막의 제조 방법 및 이를 이용하는 커패시터의 제조 방법을 제공한다. 전극막 제조 방법은, 기판 상에 주석 전구체 및 산소 소스를 순차적으로 제공하는 제1 서브 사이클(first sub-cycle)을 수행하고, 제1 서브 사이클을 수행한 기판 상으로 주석 전구체, 탄탈륨 전구체, 및 산소 소스를 순차적으로 제공하는 제2 서브 사이클을 수행하고, 제1 서브 사이클 및 제2 서브 사이클이 하나의 사이클(cycle)을 구성하며, 사이클을 반복 수행하여, 기판 상에 탄탈륨이 도핑된 주석 산화막을 형성하는 것을 포함한다. 탄탈륨이 도핑된 주석 산화막 내 탄탈륨 농도는 제2 서브 사이클에서 제공되는 주석 전구체에 의해 결정된다.
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公开(公告)号：WO2019208903A1
公开(公告)日：2019-10-31
申请号：PCT/KR2018/016973
申请日：2018-12-31
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/108 , H01L21/762
Abstract: 본 발명은 Be x M 1-x O의 화학식을 가지는 화합물로 이루어지되, 상기 M은 알칼리토금속들 중의 어느 하나이며, 상기 x는 0 보다 크고 0.5 보다 작은 값을 가지며, 상온 안정상으로 암염(rocksalt) 구조를 가지는, 유전막을 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020210002833A
公开(公告)日：2021-01-11
申请号：KR1020190078603
申请日：2019-07-01
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 전극막의제조방법및 이를이용하는커패시터의제조방법을제공한다. 전극막제조방법은, 기판상에주석전구체및 산소소스를순차적으로제공하는제1 서브사이클(first sub-cycle)을수행하고, 제1 서브사이클을수행한기판상으로주석전구체, 탄탈륨전구체, 및산소소스를순차적으로제공하는제2 서브사이클을수행하고, 제1 서브사이클및 제2 서브사이클이하나의사이클(cycle)을구성하며, 사이클을반복수행하여, 기판상에탄탈륨이도핑된주석산화막을형성하는것을포함한다. 탄탈륨이도핑된주석산화막내 탄탈륨농도는제2 서브사이클에서제공되는주석전구체에의해결정된다.
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公开(公告)号：KR101932588B1
公开(公告)日：2018-12-27
申请号：KR1020170026311
申请日：2017-02-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L49/02 , H01L27/108
Abstract: 개시된 반도체 메모리 소자의 커패시터는, 하부 전극, 상기 하부 전극 위에 배치되며 티타늄 산화물을 포함하는 유전막 및 상기 유전막 위에 배치되는 상부 전극을 포함한다. 상기 하부 전극은, 제1 금속 및 제2 금속을 포함하고, 상기 제1 금속은 백금(Pt), 오스뮴(Os), 로듐(Rh) 및 팔라듐(Pd)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하고, 상기 제2 금속은, 루테늄(Ru) 및 이리듐(Ir)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020180099197A
公开(公告)日：2018-09-05
申请号：KR1020170026311
申请日：2017-02-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L49/02 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/10808 , H01L21/02186 , H01L21/0228 , H01L21/28556 , H01L28/75 , H01L28/91
Abstract: 개시된반도체메모리소자의커패시터는, 하부전극, 상기하부전극위에배치되며티타늄산화물을포함하는유전막및 상기유전막위에배치되는상부전극을포함한다. 상기하부전극은, 제1 금속및 제2 금속을포함하고, 상기제1 금속은백금(Pt), 오스뮴(Os), 로듐(Rh) 및팔라듐(Pd)으로이루어진그룹에서선택된적어도하나를포함하고, 상기제2 금속은, 루테늄(Ru) 및이리듐(Ir)으로이루어진그룹에서선택된적어도하나를포함한다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR101891668B1
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：KR1020170095660
申请日：2017-07-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G02B27/02 , G02B1/04 , G02C7/04 , H01M10/0562 , H01M10/058 , H01M2/30
CPC classification number: G02B27/022 , G02B1/04 , G02C7/04 , H01M2/30 , H01M10/0562 , H01M10/058 , H01M2220/30 , H01M2300/0068
Abstract: 유연한기판, 양극집전체, 양극, 고체상전해질, 음극, 음극집전체를포함하는전고상박막이차전지가장착된스마트웨어러블렌즈가개시된다. 해당전고상박막이차전지가장착된스마트웨어러블렌즈는안정적이고지속적인전원공급이가능하며, 자가방전률이매우낮다. 또한, 인체에거부감이극소화될수 있으며, 곡면을가지는렌즈특히콘텍트렌즈와같은초소형렌즈에적합하게사용될수 있다.
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公开(公告)号：KR20210020386A
公开(公告)日：2021-02-24
申请号：KR20190099604
申请日：2019-08-14
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본명세서에서는, 투명전도성산화물박막으로서, 투명전도성산화물층; 및은(Ag)계열금속합금을포함하는금속층;을포함하며, 상기금속층은투명전도성산화물층상에적층되고, 상기은(Ag) 계열금속합금은하기 [화학식 1]의조성을갖는은(Ag) 및타이타늄(Ti)의합금인, 투명전도성산화물박막이제공된다. [화학식 1] AgTix (여기서, x는 0
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