公开(公告)号：KR102061501B1

公开(公告)日：2020-01-02

申请号：KR1020180058386

申请日：2018-05-23

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김성근 ,  편정준 ,  김상태 ,  송현철 ,  백승협 ,  김진상 ,  최지원 ,  강종윤

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/324

公开(公告)号：KR101651512B1

公开(公告)日：2016-08-29

申请号：KR1020150077138

申请日：2015-06-01

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김성근 ,  정두석 ,  권범진 ,  백승협 ,  강종윤 ,  최지원 ,  김진상 ,  편정준

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/02 ,  C23C16/06

Abstract: 본발명은 HS 또는 NH를기판상에전처리하는단계및 상기기판상에백금족박막을형성하는단계를포함하는것을특징으로하는백금족박막의원자층증착방법을개시한다.

Abstract translation: 公开了铂族金属薄膜的原子层沉积方法。 铂族金属薄膜的原子层沉积方法包括：在衬底上预处理H 2 S或NH 3的步骤; 以及在基板上形成铂族金属薄膜的工序。 因此，本发明通过控制铂族纳米颗粒的尺寸和分布能够连续沉积薄膜。

公开(公告)号：KR101937293B1

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：KR1020160174500

申请日：2016-12-20

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 편정준 ,  권범진 ,  백승협 ,  강종윤 ,  최지원 ,  김진상 ,  김성근

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

公开(公告)号：KR101932588B1

公开(公告)日：2018-12-27

申请号：KR1020170026311

申请日：2017-02-28

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 편정준 ,  조철진 ,  김상태 ,  정두석 ,  백승협 ,  강종윤 ,  최지원 ,  김진상 ,  김성근

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108

Abstract: 개시된 반도체 메모리 소자의 커패시터는, 하부 전극, 상기 하부 전극 위에 배치되며 티타늄 산화물을 포함하는 유전막 및 상기 유전막 위에 배치되는 상부 전극을 포함한다. 상기 하부 전극은, 제1 금속 및 제2 금속을 포함하고, 상기 제1 금속은 백금(Pt), 오스뮴(Os), 로듐(Rh) 및 팔라듐(Pd)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하고, 상기 제2 금속은, 루테늄(Ru) 및 이리듐(Ir)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020180099197A

公开(公告)日：2018-09-05

申请号：KR1020170026311

申请日：2017-02-28

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 편정준 ,  조철진 ,  김상태 ,  정두석 ,  백승협 ,  강종윤 ,  최지원 ,  김진상 ,  김성근

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10808 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28556 ,  H01L28/75 ,  H01L28/91

Abstract: 개시된반도체메모리소자의커패시터는, 하부전극, 상기하부전극위에배치되며티타늄산화물을포함하는유전막및 상기유전막위에배치되는상부전극을포함한다. 상기하부전극은, 제1 금속및 제2 금속을포함하고, 상기제1 금속은백금(Pt), 오스뮴(Os), 로듐(Rh) 및팔라듐(Pd)으로이루어진그룹에서선택된적어도하나를포함하고, 상기제2 금속은, 루테늄(Ru) 및이리듐(Ir)으로이루어진그룹에서선택된적어도하나를포함한다.