公开(公告)号：KR1020130091378A

公开(公告)日：2013-08-19

申请号：KR1020120012585

申请日：2012-02-08

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김진상 ,  장호원 ,  강종윤 ,  윤석진 ,  최지원 ,  최원철

IPC: H01L35/34

CPC classification number: H01L35/34 ,  H01L35/02

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a film type thermoelectric device is provided to improve thermoelectric properties by transferring a thermoelectric film on a substrate. CONSTITUTION: A sacrificial layer (12) is formed on a supporter (10). Thermoelectric films (300,300') are formed on the sacrificial layer. A polymer film (400) is formed on the thermoelectric film. The supporter and the thermoelectric film are separated. The separated thermoelectric film is transferred on a substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种薄膜型热电元件的制造方法，通过在基板上转印热电膜来提高热电性能。 构成：在支撑件（10）上形成牺牲层（12）。 在牺牲层上形成热电膜（300,300'）。 聚合物膜（400）形成在热电膜上。 支撑体和热电膜分离。 将分离的热电膜转移到基板上。

公开(公告)号：KR100239679B1

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：KR1019970039811

申请日：1997-08-21

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김은규 ,  민석기 ,  최원철

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  B82Y20/00

Abstract: 본 발명은, 열적으로 안정된 나노 결정립의 실리콘 결정상을 비정질 실리콘내에서 급속 열처리와 같은 후속 공정없이 직접 형성시키기 위하여, 실리콘 웨이퍼 기판 또는 상기 실리콘 웨이퍼 기판 위에 실리콘 산화막이 형성된 기판을 제조하는 단계; ECR-CVD 법으로, 상기 기판을 상온 내지 200℃의 온도 범위로 유지하고, 원료 가스로 고순도 실란을 사용하고 운반 가스로 불활성 가스를 사용하여 반응 챔버내의 압력을 7 - 9×10
-4 Torr로 유지하면서, 상기 기판 위에, 비정질 실리콘 박막내의 실리콘 결정립의 직경이 나노미터 크기인 비정질 실리콘 박막을 증착하는 단계;로 이루어지는 가시광 범위의 발광 특성을 가지는 미세 실리콘 결정립 제조 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR1019990017045A

公开(公告)日：1999-03-15

申请号：KR1019970039811

申请日：1997-08-21

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김은규 ,  민석기 ,  최원철

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  B82Y20/00

Abstract: 본 발명은, 열적으로 안정된 나노 결정립의 실리콘 결정상을 비정질 실리콘내에서 급속 열처리와 같은 후속 공정없이 직접 형성시키기 위하여, 실리콘 웨이퍼 기판 또는 상기 실리콘 웨이퍼 기판 위에 실리콘 산화막이 형성된 기판을 제조하는 단계; ECR-CVD 법으로, 상기 기판을 상온 내지 200℃의 온도 범위로 유지하고, 원료 가스로 고순도 실란을 사용하고 운반 가스로 불활성 가스를 사용하여 반응 챔버내의 압력을 7 - 9×10
-4 Torr로 유지하면서, 상기 기판 위에, 비정질 실리콘 박막내의 실리콘 결정립의 직경이 나노미터 크기인 비정질 실리콘 박막을 증착하는 단계;로 이루어지는 가시광 범위의 발광 특성을 가지는 미세 실리콘 결정립 제조 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR101304248B1

公开(公告)日：2013-09-06

申请号：KR1020120012585

申请日：2012-02-08

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김진상 ,  장호원 ,  강종윤 ,  윤석진 ,  최지원 ,  최원철

IPC: H01L35/34

Abstract: 본 발명은 필름형 열전소자의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 열전소재 필름을 얻은 다음, 상기 열전소재 필름을 전극이 형성된 기판 상에 전사하여 제조하는 필름형 열전소자의 제조방법을 제공한다. 바람직한 구현예에 따라서, 본 발명은 (1) 지지체 상에 희생막을 형성하는 단계; (2) 상기 희생막 상에 열전소재 필름을 형성하는 단계; (3) 상기 열전소재 필름 상에 폴리머 필름을 형성하여, 지지체 상에 희생막, 열전소재 필름 및 폴리머 필름이 형성된 적층체를 얻는 단계; (4) 상기 적층체의 희생막을 제거하여 지지체와 열전소재 필름을 분리하는 단계; (5) 상기 분리된 열전소재 필름을 전극이 형성된 기판 상에 전사하는 단계; 및 (6) 상기 열전소재 필름 상에 형성된 폴리머 필름을 제거하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 기판의 제약이 없으며, 열전 성능이 향상된 고품질의 필름형 열전소자를 제조할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020010090952A

公开(公告)日：2001-10-22

申请号：KR1020000018481

申请日：2000-04-08

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김은규 ,  최원철

IPC: C09K11/59

CPC classification number: C09K11/7721 ,  C01P2002/70 ,  H01L33/502 ,  Y02B20/181

Abstract: PURPOSE: Provided are cerium silicate as a light-emitting material which emits light in the ultraviolet range to the blue light range and a process for producing the same for giving optical and structural changes to the material. CONSTITUTION: The cerium silicate as a light emitting material is produced by the steps of: depositing the cerium oxides on a silicon substrate or depositing the cerium oxides with silicon on a silicon or sapphire substrate or depositing silicon oxides on the silicon or sapphire substrate and depositing the cerium oxides on the silicon oxides; heat-treating at a fixed temperature to form the cerium silicate crystal structure. The cerium silicate as a light emitting material has the wavelength of 400-358nm and the cerium silicate is Ce4.667(SiO4)3O or Ce2Si2O7.

Abstract translation: 目的：提供作为在紫外线范围内向蓝光范围发光的发光材料的硅酸铈及其制造方法，以使材料发生光学和结构变化。 构成：作为发光材料的硅酸铈通过以下步骤制造：将氧化铈沉积在硅衬底上或在硅或蓝宝石衬底上用硅沉积氧化铈或在硅或蓝宝石衬底上沉积氧化硅并沉积 氧化硅上的氧化铈; 在固定温度下进行热处理以形成硅酸铈晶体结构。 作为发光材料的硅酸铈的波长为400-358nm，硅酸铈为Ce4.667（SiO4）3O或Ce2Si2O7。

公开(公告)号：KR100356266B1

公开(公告)日：2002-10-12

申请号：KR1020000018481

申请日：2000-04-08

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김은규 ,  최원철

IPC: C09K11/59

Abstract: 본 발명은 세륨실리케이트 발광재료 및 그 제조방법에 관한 것으로, 상온에서 자외선 영역부터 가시광선의 파란색 영역까지의 빛을 내는 새로운 발광재료로서 세륨실리케이트(cerium silicate)를 제공하며, 또한 상기 물질의 광학적·구조학적인 변화를 줄 수 있는 제조방법을 제공한다. 실리콘 기판 위에 세륨산화물을 증착하거나 세륨산화물과 실리콘을 동시에 증착하고 일정 온도에서 열처리함으로써 세륨실리케이트의 결정구조를 형성시킬 수 있으며, 기존의 질화갈륨에 비하여 간단한 방법으로 제조할 수 있다. 광여기발광을 나타내는 세륨실리케이트 성분은 Ce
4.667 (SiO
4 )
3 O 또는 Ce
2 Si
2 O
7 이며, 제조방법에 따라 발광 파장의 범위를 400nm ~ 358nm로 변화시킬 수 있다.