투명자석 소재 및 그 제조 방법
    1.
    发明授权
    투명자석 소재 및 그 제조 방법 有权
    氟化物氧化物及其制造方法

    公开(公告)号:KR101579161B1

    公开(公告)日:2015-12-23

    申请号:KR1020140100212

    申请日:2014-08-05

    CPC classification number: H01F1/10 H01F10/32 H01F41/0253

    Abstract: 본발명은쌍을이루지않은전자스핀이존재하는도핑원소가쌍을이루지않은전자스핀이존재하는투명산화물내에도핑된것을특징으로하는투명자석소재에대한것으로, 전혀자성을띠지않는도핑원소가자성이없는산화물속에들어가면상기전자스핀때문에자기모멘트가발생하여자석이되는특징이있다. 본발명에포함된도핑원소는 cohesive energy 가높지않아서산화물내에고루잘 퍼져있게되고, 결함에의한자성의세기및 농도보다훨씬크며진공이나고압과같은극한의실험조건을사용해야하는한계점을극복하고상온에서안정적으로자성을갖는다. 따라서본 발명은광학적, 전자, 메모리소재로광범위하게응용될수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种透明磁体材料,其中在存在不成对电子自旋的透明氧化物中掺杂有现有不成对电子自旋的掺杂元素。 当完全非磁性掺杂元素进入非磁性氧化物时,掺杂元素由电子自旋产生的磁矩变成磁体。 根据本发明,掺杂元素不具有高的内聚能,因此可以均匀地分布在氧化物中。 掺杂元素的强度和磁化浓度远远大于缺陷的磁性强度和浓度; 克服了必须使用极端实验条件如真空和高压的限制; 并在室温下具有稳定的磁性。 因此,本发明可以广泛地用作光学,电子和记忆材料。

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