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公开(公告)号：KR101088057B1
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：KR1020100050605
申请日：2010-05-28
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: PURPOSE: Detector modules for positron emission tomography and a positron emission tomography using the same are provided to prevent the external loss of the detecting ring of a gamma-ray by forming a detection module. CONSTITUTION: In detector modules for positron emission tomography and a positron emission tomography using the same, a flash layer includes a plurality of flash body. A plurality of stick flash bodies are arranged in pixel type array. A pair of light diffusing layers are respectively connected to both ends of the flash layer. A pair of light diffusing layers diffuses a flashing light signal. A pair of photo sensor arrays(130) converts the flashing light signal into the electric signal. A pair of detection circuits detects the reaction site of the gamma-ray within the flash layer.
Abstract translation: 目的：提供用于正电子发射断层摄影的检测器模块和使用其的正电子发射断层摄影，以通过形成检测模块来防止伽马射线的检测环的外部损失。 构成：在用于正电子发射断层摄影的检测器模块和使用其的正电子发射断层摄影术中，闪光层包括多个闪光体。 多个棒状闪光体被排列成像素阵列。 一对光漫射层分别连接到闪光层的两端。 一对光漫射层漫射闪烁的光信号。 一对光传感器阵列（130）将闪光信号转换成电信号。 一对检测电路检测闪光层内的γ射线的反应位置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160074799A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：KR1020140183157
申请日：2014-12-18
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G01T1/20
CPC classification number: G01T1/20 , G01T1/2002 , G01T1/2004
Abstract: 모바일방사선센서의검출특성개선을위한섬광체구조가제시된다. 모바일방사선센서의검출특성개선을위한섬광체구조에있어서, 입사되는방사선을흡수하여광으로변환하는섬광체; 및상기섬광체의후방에구비되어상기섬광체에서변환된광을검출하여전기신호로변환하는광 검출기를포함하고, 상기섬광체는상기광 검출기와의접합면적보다상기방사선을흡수하는면의면적이넓게형성될수 있다.
Abstract translation: 提供了一种用于改善移动辐射传感器的检测特性的闪烁体结构。 根据用于改善移动辐射传感器的检测特性的闪烁体结构，本发明包括：闪烁体，其吸收被转换为光的入射辐射; 以及光检测器，其设置在闪烁器的后侧，以检测从闪烁器转换成的光转换为电信号。 闪烁体可以形成为使得吸收辐射的表面的面积大于与光学检测器的结合面积。
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公开(公告)号：KR1020120124559A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：KR1020110042265
申请日：2011-05-04
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: PURPOSE: A method for forming a trench guard ring of a silicon photomultiplier and the silicon photomultiplier are provided to prevent a dark count phenomenon by suppressing the current leakage between avalanche photodiodes. CONSTITUTION: A P-type epitaxial layer(120) is formed on a silicon substrate(110). A respective P-type conductive layer(130) is formed on the P-type epitaxial layer. An oxide film is formed on the P-type epitaxial layer. A silicon nitride film is formed on the oxide film. A photoresist is spread on the silicon nitride film.
Abstract translation: 目的：提供一种形成硅光电倍增管的沟槽保护环的方法和硅光电倍增管，以通过抑制雪崩光电二极管之间的电流泄漏来防止暗计数现象。 构成：在硅衬底（110）上形成P型外延层（120）。 在P型外延层上形成相应的P型导电层（130）。 在P型外延层上形成氧化膜。 在氧化膜上形成氮化硅膜。 光致抗蚀剂铺展在氮化硅膜上。
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公开(公告)号：KR1020110131008A
公开(公告)日：2011-12-06
申请号：KR1020100050607
申请日：2010-05-28
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/101
CPC classification number: H01L31/10 , H01L31/047 , H01L31/06 , H01L31/18
Abstract: PURPOSE: A silicon photomultiplier with a backward light-receiving structure, a manufacturing method thereof, and a radiation detector using the same are provided to enhance the light detection efficiency of a gamma-ray detector by increasing a fill factor by broadening an active area which reacts to incident visible light. CONSTITUTION: A third insulation layer(183) is formed at the upper part of a second insulation layer(182). An MIM(Metal-Insulator-Metal) capacitor(300) is formed in the third insulation layer. A second line electrode pattern(420) is formed at the upper part of the third insulation layer. The second line electrode pattern interlinks a quenching resistance(200) and the MIM capacitor which are formed in the upper part of a first insulation layer(181). The MIM capacitor absorbs a surplus voltage when avalanche breakdown occurs.
Abstract translation: 目的：提供具有反向光接收结构的硅光电倍增管及其制造方法和使用该光电倍增管的辐射检测器，以通过扩大有效面积来增加填充因子来增强伽马射线检测器的光检测效率， 对入射的可见光进行反应。 构成：在第二绝缘层（182）的上部形成第三绝缘层（183）。 在第三绝缘层中形成MIM（金属 - 绝缘体 - 金属）电容器（300）。 第二线电极图案（420）形成在第三绝缘层的上部。 第二线电极图形与在第一绝缘层（181）的上部形成的淬火电阻（200）和MIM电容器相互连接。 当发生雪崩击穿时，MIM电容吸收剩余电压。
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公开(公告)号：KR101127982B1
公开(公告)日：2012-03-29
申请号：KR1020100050607
申请日：2010-05-28
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/101
Abstract: 본 발명은 배면 입사 구조를 갖는 실리콘 광전자증배관에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 섬광체를 이용한 감마선검출기에서 섬광체에서 발생하는 가시광선을 검출하기 위해 다수개의 아발란치 포토다이오드(APD : avalanche photodiode)로 구성된 실리콘 광전자증배관을 구성함에 있어서, 섬광체에서 발생하는 가시광선이 아발란치 포토다이오드(avalanche photodiode)의 배면을 통해 입사되도록 구성하여 입사되는 가시광에 반응하는 액티브 영역을 넓힘으로써 필 팩터(fill factor)를 증가시켜 감마선 검출기의 광검출효율을 높일 수 있는 배면 입사 구조를 갖는 실리콘 광전자증배관에 관한 것이다.
이를 위하여 본 발명은, 다수개의 아발란치 포토다이오드(APD : avalanche photodiode) 마이크로 셀을 포함하여 구성되어 섬광체로부터 방출되는 가시광선을 검출하는 실리콘 광전자증배관에 있어서, SOI(Silicon On Insulator)웨이퍼를 구성하는 p층; 상기 p층 하부에 형성되는 p+ 층; 상기 p+ 층 하부에 도핑된 반사방지막; 상기 p층 상부 중앙부에 도핑, 형성되는 p-well층; 상기 p-well층 중앙부에 도핑, 형성되는 n-well층; 상기 p-well층 및 상기 n-well층의 양측에서 상기 p-well층 및 상기 n-well층과 이격되어 상기 p층의 내측으로 연장, 형성되어 상기 p-well층 및 상기 n-well층이 이루는 pn접합층에서 생성되는 전하가 인접하는 APD 마이크로 셀로 이동되는 것을 방지하는 한 쌍의 트렌치; 및 상기 한 쌍의 트렌치 외곽에 각각 형성되는 한 쌍의 p+ 싱커(p+ sinker);를 포함하여 구성되는 다수개의 아발란치 포토다이오드(APD : avalanche photodiode) 마이크로 셀과; 상기 아발란치 포토다이오드(APD : avalanche photodiode) 마이크로 셀의 상부에 형성되는 제1 절연층; 상기 제1 절연층의 상부에 형성되는 퀀칭 저항(quenching resistor); 상기 제1 절연층 상부에 형성되는 제2 절연층; 상기 제2 절연층의 상부에 형성되어, 콘택(contact)을 통해 상기 n-well층, p+ 싱커 및 퀀칭 저항에 연결되는 제1 배선 전극 패턴;을 포함하여 구성되어, 섬광체로부터 방출되는 가시광선을 반사방지막이 형성된 배면을 통해 입사받는 것을 특징으로 한다.
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