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公开(公告)号：KR101339732B1
公开(公告)日：2013-12-10
申请号：KR1020120023213
申请日：2012-03-07
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H04N5/3745
Abstract: 상이한 타입의 트랜지스터로 픽셀을 구현한 이미지 센싱 장치가 제공된다. 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센싱 장치는, 포토 다이오드의 출력 신호를 서로 다른 타입의 트랜지스터들을 통해 출력하는 픽셀, 픽셀의 출력 신호를 기준 신호와 비교하여 비교 결과를 출력하는 비교기 및 비교 결과에 기초한 출력 크기가 저장되는 메모리를 포함한다. 포토 다이오드의 출력 신호를 서로 다른 타입의 트랜지스터들을 통해 비교기로 출력하는 구조로 인해, 열 라인의 개수를 감소시켜 이미지 센싱 장치의 픽셀에 대한 레이 아웃 크기를 감소시킬 수 있음은 물론, 비교기에 마련된 트랜지스터의 개수를 역시 감소시켜, 이미지 센싱 장치의 비교기에 대한 레이 아웃 크기 역시 감소시킬 수 있게 된다.
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公开(公告)号：KR1020130105034A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：KR1020120027123
申请日：2012-03-16
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H03M1/1245 , H03M1/64 , H03M2201/2311 , H03M2201/32 , H04N5/369
Abstract: PURPOSE: An analog to digital converter (ADC) for outputting a digitized sample signal after comparing a sample signal and a ramp signal and an image sensing apparatus applying the same are provided to increase an analog to digital (A/D) conversion speed two times faster than when exclusively using an existing up-ramp, thereby providing a high-definition image without delay. CONSTITUTION: A pixel (110) outputs an analog pixel value. A sample and hold (S/H) amplifier (120) generates a sample signal by performing a sample-and-hold operation of the analog pixel value outputted from the pixel. An ADC (130) digitizes the sample signal generated in the S/H amplifier after comparing the sample signal and multiple ramp signals. [Reference numerals] (110) Pixel; (131) Comparator-1; (132) Comparator-2; (133) Memory; (135) Compensation converter; (141) Up-lamp signal generator; (142) Down-lamp signal generator; (150) Counter
Abstract translation: 目的：提供一种用于在比较采样信号和斜坡信号之后输出数字采样信号的模/数转换器（ADC）和应用其的图像感测装置，以将模数（A / D）转换速度提高两倍 比专门使用现有的上坡更快，从而无延迟地提供高清晰度图像。 构成：像素（110）输出模拟像素值。 采样和保持（S / H）放大器（120）通过执行从像素输出的模拟像素值的采样和保持操作来产生采样信号。 在比较采样信号和多个斜坡信号之后，ADC（130）数字化S / H放大器中产生的采样信号。 （110）像素; （131）比较器-1; （132）比较器-2; （133）记忆; （135）补偿转换器; （141）上灯信号发生器; （142）筒灯信号发生器; （150）柜台
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公开(公告)号：KR1020170074582A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：KR1020150184026
申请日：2015-12-22
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/107 , H01L31/109 , H01L31/0216
Abstract: 광검출효율을향상시킬수 있는실리콘광전자증배센서가제공된다. 본발명의일 실시예에따른실리콘광전자증배센서는 p층위에 n웰이형성되는복수개의가이거모드아발란치포토다이오드(Geiger mode avalanche photodiode; GAPD) 구조체; 및상기가이거모드아발란치포토다이오드구조체상의 IC 기판;을구비하는실리콘광전자증배센서이며, 센싱하고자하는광은상기 p층에서상기 IC 기판방향으로조사되는광을포함하는이면조사형실리콘광전자증배센서이다.
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公开(公告)号：KR101340839B1
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：KR1020120052908
申请日：2012-05-18
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H04N5/374
Abstract: 본 발명은 감도가 높고, 다이나믹 레인지가 넓으며, 포토 다이오드의 리셋 전압을 조절할 수 있는 픽셀로 구성되는 CMOS 영상 센서에 관한 것이다.
CMOS 영상 센서 장치에 있어서, 단위 픽셀의 2차원적 배열로 구성되는 센서 장치로서, 단위 픽셀은 입력 광에 대응하여 전하를 생성하는 포토 다이오드; 생성된 전하를 전압으로 바꿔주는 전하증폭 트랜지스터와 피드백 커패시터; 포토 다이오드와 피드백 커패시터를 리셋하는 리셋 트랜지스터; 포토 다이오드의 리셋 전압을 조절하는 리셋 제어 단자; 및 단위 픽셀을 선택하는 두 개의 셀렉트 트랜지스터를 포함하는 고감도 CMOS 영상 센서 장치가 제공된다.-
公开(公告)号：KR101780489B1
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：KR1020160035439
申请日：2016-03-24
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명에서는실리콘광증배센서의양단출력을이용하여하나의광 검출기어레이를단일증폭기로구동하는기술을제공하고자한다.
Abstract translation: 在本发明中，提供了使用硅饱和度传感器的两个输出来驱动具有单个放大器的一个光电探测器阵列的技术。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020130128834A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：KR1020120052908
申请日：2012-05-18
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H04N5/374
CPC classification number: H04N5/3559 , H04N5/3741
Abstract: The present invention relates to a CMOS image sensor which has high sensitivity and a wide dynamic range and comprises pixels capable of controlling the reset voltage of a photo diode. Provided is a high sensitivity CMOS image sensor device comprises a two-dimensional array of unit pixels. The unit pixel includes: a photo diode for generating electric charge corresponding to input light; a charge amplification transistor and a feedback capacitor for converting the generated electric charge to voltage; a reset transistor for resetting the photo diode and the feedback capacitor; a reset control terminal for controlling the reset voltage of the photo diode; and two select transistors for selecting a unit pixel.
Abstract translation: 本发明涉及具有高灵敏度和宽动态范围的CMOS图像传感器，并且包括能够控制光电二极管的复位电压的像素。 提供了一种高灵敏度CMOS图像传感器装置，其包括单位像素的二维阵列。 单位像素包括：用于产生对应于输入光的电荷的光电二极管; 电荷放大晶体管和用于将产生的电荷转换成电压的反馈电容器; 用于复位光电二极管和反馈电容器的复位晶体管; 复位控制端子，用于控制光电二极管的复位电压; 以及用于选择单位像素的两个选择晶体管。
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公开(公告)号：KR101127982B1
公开(公告)日：2012-03-29
申请号：KR1020100050607
申请日：2010-05-28
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/101
Abstract: 본 발명은 배면 입사 구조를 갖는 실리콘 광전자증배관에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 섬광체를 이용한 감마선검출기에서 섬광체에서 발생하는 가시광선을 검출하기 위해 다수개의 아발란치 포토다이오드(APD : avalanche photodiode)로 구성된 실리콘 광전자증배관을 구성함에 있어서, 섬광체에서 발생하는 가시광선이 아발란치 포토다이오드(avalanche photodiode)의 배면을 통해 입사되도록 구성하여 입사되는 가시광에 반응하는 액티브 영역을 넓힘으로써 필 팩터(fill factor)를 증가시켜 감마선 검출기의 광검출효율을 높일 수 있는 배면 입사 구조를 갖는 실리콘 광전자증배관에 관한 것이다.
이를 위하여 본 발명은, 다수개의 아발란치 포토다이오드(APD : avalanche photodiode) 마이크로 셀을 포함하여 구성되어 섬광체로부터 방출되는 가시광선을 검출하는 실리콘 광전자증배관에 있어서, SOI(Silicon On Insulator)웨이퍼를 구성하는 p층; 상기 p층 하부에 형성되는 p+ 층; 상기 p+ 층 하부에 도핑된 반사방지막; 상기 p층 상부 중앙부에 도핑, 형성되는 p-well층; 상기 p-well층 중앙부에 도핑, 형성되는 n-well층; 상기 p-well층 및 상기 n-well층의 양측에서 상기 p-well층 및 상기 n-well층과 이격되어 상기 p층의 내측으로 연장, 형성되어 상기 p-well층 및 상기 n-well층이 이루는 pn접합층에서 생성되는 전하가 인접하는 APD 마이크로 셀로 이동되는 것을 방지하는 한 쌍의 트렌치; 및 상기 한 쌍의 트렌치 외곽에 각각 형성되는 한 쌍의 p+ 싱커(p+ sinker);를 포함하여 구성되는 다수개의 아발란치 포토다이오드(APD : avalanche photodiode) 마이크로 셀과; 상기 아발란치 포토다이오드(APD : avalanche photodiode) 마이크로 셀의 상부에 형성되는 제1 절연층; 상기 제1 절연층의 상부에 형성되는 퀀칭 저항(quenching resistor); 상기 제1 절연층 상부에 형성되는 제2 절연층; 상기 제2 절연층의 상부에 형성되어, 콘택(contact)을 통해 상기 n-well층, p+ 싱커 및 퀀칭 저항에 연결되는 제1 배선 전극 패턴;을 포함하여 구성되어, 섬광체로부터 방출되는 가시광선을 반사방지막이 형성된 배면을 통해 입사받는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR100987057B1
公开(公告)日：2010-10-11
申请号：KR1020080055226
申请日：2008-06-12
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/09
Abstract: 광검출 효율이 향상된 실리콘 광전자 증배관 및 이를 포함하는 감마선 검출기가 개시된다.
본 발명에 따른 광검출 효율이 향상된 실리콘 광전자 증배관은, p+ 전도성 타입의 반도체 기판, 상기 반도체 기판의 상부에 형성되며, p- 전도성 타입의 에피택시 층, 상기 에피택시 층에 도핑된 전도성 타입의 p 영역, 상기 전도성 타입의 p 영역의 상부에 형성되며, 상기 에피택시 층에 도핑된 전도성 타입의 n+ 영역, 및 상기 에피택시 층과 상기 전도성 타입의 n+영역의 상부에 형성된 절연층을 포함하는 단위 마이크로 셀; 상기 n+ 영역의 상부에 형성되는 상기 단위 마이크로 셀의 메탈 라인(metal line); 및 상기 메탈 라인과 컨택에 의해 연결되며 상기 절연층의 상부에 형성된 퀀칭(quenching)용 폴리실리콘 저항을 포함하며, 상기 퀀칭용 폴리실리콘 저항은 다층 구조를 가지며, 상기 실리콘 광전자 증배관의 깊이 방향으로 상호 중첩되도록 복수 개 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 다층의 폴리실리콘 저항 및 마이크로 렌즈를 형성함으로써 섬광체에서 발생하는 가시광이 데드 영역(dead region)으로 입사하는 것을 최소화여 필 팩터를 향상시킬 수 있고, 나아가 실리콘 광전자 증배관의 광검출효율향상에 따른 마이크로 셀의 크기를 줄일수 있는 효과가 있다-
公开(公告)号：KR101762431B1
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：KR1020150184020
申请日：2015-12-22
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/107 , H01L31/0216 , G01J1/04 , G01J1/44
Abstract: 크로스톡현상을방지할수 있는실리콘광전자증배센서가제공된다. 본발명의일 실시예에따른실리콘광전자증배센서는복수개의가이거모드아발란치포토다이오드(Geiger mode avalanche photodiode; GAPD) 구조체; 상기가이거모드아발란치포토다이오드구조체상의 IC 기판; 및하나의가이거모드아발란치포토다이오드구조체에서발생하는 2차광자가인접한가이거모드아발란치포토다이오드구조체로이동하는것을차단하도록, 상기복수개의가이거모드아발란치포토다이오드구조체각각과상기 IC 기판사이에개재되는차단막;을포함한다.
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