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公开(公告)号：WO2023058929A1
公开(公告)日：2023-04-13
申请号：PCT/KR2022/013889
申请日：2022-09-16
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 라인 및 스페이스 패턴 형성 방법은, 기판에 제1 방향과 제2 방향으로 마스크을 노광하여 스티칭 공정을 진행한다. 상기 라인 및 스페이스 패턴 형성 방법은, 상기 제1 방향으로 상기 마스크의 제1 샷들(shots)이 서로 접촉하도록 상기 기판에 제1 노광 공정을 수행하는 단계; 및, 상기 2 방향으로 이격하여 상기 제1 샷들(shots)과 상기 제1 방향의 오프셋을 가지도록 상기 마스크의 제2 샷들(shots)이 서로 접촉하도록 상기 기판에 제2 노광 공정을 수행하는 단계를 포함한다.
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