公开(公告)号：KR100381915B1

公开(公告)日：2003-04-26

申请号：KR1020000065260

申请日：2000-11-03

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 안병태 ,  박종호 ,  안진형

IPC: H01L21/205

Abstract: PURPOSE: A chemical vapor deposition(CVD) apparatus using microwave is provided to solve a charging problem, stress problem or problem of a high etch rate, and to use a conventional process having a low deposition rate by accelerating a chemical deposition. CONSTITUTION: The CVD apparatus using microwave is composed of a microwave generating unit(100), a waveguide unit(200) and a heating unit(300) which are made as one body. The microwave generating unit includes a magnetron(110), a control unit(120) and a power supply unit(130). The waveguide unit includes a waveguide(210), an intercepting unit(220), a matching unit(230) and an indicator(240).

Abstract translation: 目的：提供使用微波的化学气相沉积（CVD）设备以解决充电问题，应力问题或高蚀刻速率的问题，并且通过加速化学沉积使用具有低沉积速率的常规工艺。 组成：使用微波的CVD设备由一体制成的微波发生单元（100），波导单元（200）和加热单元（300）组成。 微波产生单元包括磁控管（110），控制单元（120）和电源单元（130）。 波导单元包括波导（210），拦截单元（220），匹配单元（230）和指示器（240）。

公开(公告)号：KR1020020038391A

公开(公告)日：2002-05-23

申请号：KR1020000068610

申请日：2000-11-17

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 안병태 ,  엄지혜 ,  안진형

IPC: H01L21/324

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a polycrystalline silicon thin film using an atmosphere of aluminum compound is provided to replace a conventional crystallizing heat treatment method, by crystallizing the polycrystalline thin film at a low temperature, by extremely limiting the quantity of residual metal in the crystallized silicon thin film and by making the polycrystalline silicon thin film have excellent surface planarization. CONSTITUTION: An amorphous silicon thin film is deposited on a substrate. A heat treatment process is performed regarding the amorphous silicon thin film in the atmosphere of aluminum compound to form the polycrystalline silicon thin film. The amorphous silicon thin film is formed by a chemical vapor deposition(CVD) method, sputtering method or evaporation method.

Abstract translation: 目的：提供一种使用铝化合物的气氛制造多晶硅薄膜的方法，以代替传统的结晶热处理方法，通过极低限度地将多晶薄膜在低温下结晶化，结晶化 硅薄膜和通过使多晶硅薄膜具有优异的表面平坦化。 构成：将非晶硅薄膜沉积在基底上。 对铝化合物的气氛中的非晶硅薄膜进行热处理，形成多晶硅薄膜。 非晶硅薄膜通过化学气相沉积（CVD）法，溅射法或蒸发法形成。

公开(公告)号：KR1020010103866A

公开(公告)日：2001-11-24

申请号：KR1020000024438

申请日：2000-05-08

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 안병태 ,  안진형

IPC: H01L21/31

Abstract: 본 발명은 다결정 규소 박막의 제조방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 LCD용 TFT, SRAM, 태양전지, EEPROM 등의 반도체 소자의 제조에 사용되는 것으로서 비정질 규소 박막에 점도가 높은 금속용액을 이용하여 금속 성분을 흡착시킨 후 열처리함으로써 저온에서 대면적의 다결정 규소 박막의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 기판에 CVD법 또는 스퍼터링법에 의하여 비정질 규소 박막을 제조하는 공정; 금속원소 또는 금속 화합물을 점도가 높은 유기용매에 녹이거나 묽은 산 또는 물에 녹인 후 점도가 높은 유기용매와 혼합하여 금속용액을 제조하는 공정; 상기 비정질 규소 박막에 상기 금속용액의 피막을 형성하는 공정; 금속용액의 피막을 건조시켜 금속 성분을 흡착시키는 공정; 전기 공정을 통하여 얻은 금속 성분이 흡착된 비정질 규소 박막을 불활성기체 분위기 중에서 400℃에서 600℃의 온도로 열처리하여 결정화시키는 공정을 포함한다.
본 발명은 종래에 열처리 온도를 낮출 수 없는 금속들에도 적용이 가능하여 열처리 온도를 100℃ 이상 낮출 수 있게 되며 물방울이 형성되지 않게 제어하여 균일한 피막을 통해 금속을 흡착시킴으로써 공정의 균일성 및 재현성을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100369446B1

公开(公告)日：2003-01-24

申请号：KR1020000024438

申请日：2000-05-08

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 안병태 ,  안진형

IPC: H01L21/31

Abstract: 본 발명은 다결정 규소 박막의 제조방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 LCD용 TFT, SRAM, 태양전지, EEPROM 등의 반도체 소자의 제조에 사용되는 것으로서 비정질 규소 박막에 점도가 높은 금속용액을 이용하여 금속 성분을 흡착시킨 후 열처리함으로써 저온에서 대면적의 다결정 규소 박막의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 기판에 CVD법 또는 스퍼터링법에 의하여 비정질 규소 박막을 제조하는 공정; 금속원소 또는 금속 화합물을 점도가 높은 유기용매에 녹이거나 묽은 산 또는 물에 녹인 후 점도가 높은 유기용매와 혼합하여 금속용액을 제조하는 공정; 상기 비정질 규소 박막에 상기 금속용액의 피막을 형성하는 공정; 금속용액의 피막을 건조시켜 금속 성분을 흡착시키는 공정; 전기 공정을 통하여 얻은 금속 성분이 흡착된 비정질 규소 박막을 불활성기체 분위기 중에서 400℃에서 600℃의 온도로 열처리하여 결정화시키는 공정을 포함한다.
본 발명은 종래에 열처리 온도를 낮출 수 없는 금속들에도 적용이 가능하여 열처리 온도를 100℃ 이상 낮출 수 있게 되며 물방울이 형성되지 않게 제어하여 균일한 피막을 통해 금속을 흡착시킴으로써 공정의 균일성 및 재현성을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020020034754A

公开(公告)日：2002-05-09

申请号：KR1020000065260

申请日：2000-11-03

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 안병태 ,  박종호 ,  안진형

IPC: H01L21/205

Abstract: PURPOSE: A chemical vapor deposition(CVD) apparatus using microwave is provided to solve a charging problem, stress problem or problem of a high etch rate, and to use a conventional process having a low deposition rate by accelerating a chemical deposition. CONSTITUTION: The CVD apparatus using microwave is composed of a microwave generating unit(100), a waveguide unit(200) and a heating unit(300) which are made as one body. The microwave generating unit includes a magnetron(110), a control unit(120) and a power supply unit(130). The waveguide unit includes a waveguide(210), an intercepting unit(220), a matching unit(230) and an indicator(240).

Abstract translation: 目的：提供使用微波的化学气相沉积（CVD）装置来解决充电问题，应力问题或高蚀刻速率的问题，并且通过加速化学沉积来使用具有低沉积速率的常规方法。 构成：使用微波的CVD装置由作为一体制成的微波发生单元（100），波导单元（200）和加热单元（300）组成。 微波发生单元包括磁控管（110），控制单元（120）和电源单元（130）。 波导单元包括波导（210），拦截单元（220），匹配单元（230）和指示器（240）。

公开(公告)号：KR1020020005226A

公开(公告)日：2002-01-17

申请号：KR1020000036539

申请日：2000-06-29

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 안병태 ,  안진형

IPC: H01L21/324

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a polycrystalline silicon thin film is provided to form the polycrystalline silicon thin film at a low temperature even by using an amorphous silicon thin film evaporated on a substrate like glass or quartz which is not easily heated by microwave, and to reduce thermal stress to the substrate by maintaining the substrate at a temperature lower than the temperature at which the substrate is crystallized. CONSTITUTION: The amorphous silicon thin film is evaporated on the substrate by a conventional method. The amorphous silicon thin film of the substrate is heated by using a heating element. Simultaneously, microwave is applied to the amorphous silicon thin film so that a heat treatment is performed regarding the amorphous silicon thin film to crystallize the amorphous silicon thin film.

Abstract translation: 目的：提供一种制造多晶硅薄膜的方法，即使使用在不易被微波加热的玻璃或石英等基板上蒸发的非晶硅薄膜，也可以在低温下形成多晶硅薄膜，并且 通过将衬底保持在低于衬底结晶温度的温度来降低对衬底的热应力。 构成：通过常规方法在基板上蒸发非晶硅薄膜。 通过使用加热元件来加热基板的非晶硅薄膜。 同时，对非晶硅薄膜施加微波，使得对非晶硅薄膜进行热处理以使非晶硅薄膜结晶。

公开(公告)号：KR100372753B1

公开(公告)日：2003-02-17

申请号：KR1020000036539

申请日：2000-06-29

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 안병태 ,  안진형

IPC: H01L21/324

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a polycrystalline silicon thin film is provided to form the polycrystalline silicon thin film at a low temperature even by using an amorphous silicon thin film evaporated on a substrate like glass or quartz which is not easily heated by microwave, and to reduce thermal stress to the substrate by maintaining the substrate at a temperature lower than the temperature at which the substrate is crystallized. CONSTITUTION: The amorphous silicon thin film is evaporated on the substrate by a conventional method. The amorphous silicon thin film of the substrate is heated by using a heating element. Simultaneously, microwave is applied to the amorphous silicon thin film so that a heat treatment is performed regarding the amorphous silicon thin film to crystallize the amorphous silicon thin film.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造多晶硅薄膜的方法，即使通过使用蒸发在基片上的非晶硅薄膜（例如不易被微波加热的玻璃或石英）在低温下形成多晶硅薄膜， 通过将衬底保持在低于衬底结晶温度的温度下来降低对衬底的热应力。 构成：通过常规方法在衬底上蒸发非晶硅薄膜。 通过使用加热元件来加热衬底的非晶硅薄膜。 同时，将微波施加到非晶硅薄膜上，从而对非晶硅薄膜进行热处理以使非晶硅薄膜结晶。

公开(公告)号：KR100361971B1

公开(公告)日：2002-11-23

申请号：KR1020000068610

申请日：2000-11-17

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 안병태 ,  엄지혜 ,  안진형

IPC: H01L21/324

Abstract: 본 발명은 다결정 규소 박막의 제조 방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명은 비정질 규소 박막을 알루미늄화합물 분위기에서 열처리함으로써, 낮은 온도에서 다결정 규소 박막을 경제적으로 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 제조방법은 기판을 세척하고 화학기상증착법(CVD) 또는 스퍼터링법에 의하여 비정질 규소박막을 증착시키는 공정; 알루미늄 화합물 분위기에서 전기 공정에서 수득한 비정질 규소 박막을 400℃내지 600℃의 온도로 열처리하여 결정화시키는 공정을 포함한다. 본 발명에 의해 금속성분과의 직접적 접촉 없이 1% 이하의 알루미늄이 포함된 다결정 규소 박막을 제조할 수 있다.

公开(公告)号：KR100345037B1

公开(公告)日：2002-07-24

申请号：KR1020000050117

申请日：2000-08-28

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 안병태 ,  박종호 ,  안진형

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 금속내부에 고용된 규소를 이용한 다결정 규소박막의 제조방법 및 동 방법에 의해 제조된 규소박막에 관한 것이다.
발명의 금속내부에 고용된 규소를 이용한 다결정 규소박막의 제조방법은첨부한 도 1과 같이 유리기판 또는 실리콘 산화물 위에 금속내부에 규소(Si)가 고용된 금속을 통상의 스퍼터링 증착방법으로 증착한 후 열처리하는 단계와; 상기 열처리 후 냉각하는 단계와; 냉각 후 금속으로부터 석출된 단결정 규소만 유리기판 또는 실리콘 산화물 위에 남기고 선택적으로 금속을 제거하는 단계와; 유리기판 또는 실리콘 산화물 위의 단결정 규소는 통상의 플라즈마 증착방법 또는 저압화학기상법을 이용하여 비정질 규소로 증착하는 단계와; 상기 단계 후 비정질 규소를 열처리하는 단계로 구성된다.

公开(公告)号：KR1020020017043A

公开(公告)日：2002-03-07

申请号：KR1020000050117

申请日：2000-08-28

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 안병태 ,  박종호 ,  안진형

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a polysilicon film using a silicon included in a metal and a polysilicon film thereof are provided to form a polysilicon film by separating a single crystalline silicon from a metal including silicon. CONSTITUTION: A metal including a silicon is deposited on a glass substrate or a silicon oxide by using a normal deposition method. A thermal process is performed. A cooling process is performed after the thermal process is performed. A single crystalline silicon is extracted from the metal including the silicon. The remaining metal except for the single crystalline silicon is removed therefrom. The single crystalline silicon as an amorphous silicon is deposited on the glass substrate or the silicon oxide. The thermal process for the amorphous silicon is performed. The metal including the silicon is mainly one of Al, Au, and Cu.

Abstract translation: 目的：提供一种使用金属中包含的硅及其多晶硅膜制造多晶硅膜的方法，以通过从包含硅的金属分离单晶硅来形成多晶硅膜。 构成：通过使用常规沉积方法将包含硅的金属沉积在玻璃基板或氧化硅上。 进行热处理。 在进行热处理后进行冷却处理。 从包括硅的金属提取单晶硅。 除去单晶硅以外的剩余金属。 作为非晶硅的单晶硅沉积在玻璃衬底或氧化硅上。 进行非晶硅的热处理。 包括硅的金属主要是Al，Au和Cu中的一种。