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公开(公告)号：KR100361971B1
公开(公告)日：2002-11-23
申请号：KR1020000068610
申请日：2000-11-17
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/324
Abstract: 본 발명은 다결정 규소 박막의 제조 방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명은 비정질 규소 박막을 알루미늄화합물 분위기에서 열처리함으로써, 낮은 온도에서 다결정 규소 박막을 경제적으로 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 제조방법은 기판을 세척하고 화학기상증착법(CVD) 또는 스퍼터링법에 의하여 비정질 규소박막을 증착시키는 공정; 알루미늄 화합물 분위기에서 전기 공정에서 수득한 비정질 규소 박막을 400℃내지 600℃의 온도로 열처리하여 결정화시키는 공정을 포함한다. 본 발명에 의해 금속성분과의 직접적 접촉 없이 1% 이하의 알루미늄이 포함된 다결정 규소 박막을 제조할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100578105B1
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：KR1020030100539
申请日：2003-12-30
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 다결정 규소박막의 제조방법에 관한 것으로, 비정질 규소박막을 알루미늄 할로겐 화합물 보다 바람직하게는 알루미늄 클로라이드(AlCl
3 )와 이종 금속 또는 이 금속이 함유된 금속 화합물의 혼합 분위기에서 열처리함으로써 경제적으로 다결정 규소박막을 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 알루미늄 할로겐 화합물 보다 바람직하게는 알루미늄 클로라이드(AlCl
3 )와 이종 금속 또는 이 금속이 함유된 금속 화합물의 혼합 분위기의 저온에서 비정질 규소박막을 결정화하여 경제적으로 효율적인 다결정 규소박막을 제조할 수 있는 방법과 이러한 방법에 의해 얻을 수 있는 다결정 규소박막의 제공을 목적으로 한다.
본 발명의 다결정 규소박막의 제조방법은 종래 다결정 규소박막의 제조에 있어서, 기판 위에 형성된 비정질 규소박막을 알루미늄 할로겐 화합물과 이종 금속 또는 이 금속이 함유된 금속 화합물이 99:1∼1:99의 비로 혼합된 분위기에서 400℃∼600℃의 온도로 열처리하는 단계를 포함한다.-
公开(公告)号：KR1020060020427A
公开(公告)日：2006-03-06
申请号：KR1020040069268
申请日：2004-08-31
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 실리사이드 에피택시층을 이용한 고품위 실리콘 박막의 전이방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 실리콘 기판 위에 실리사이트 에피택시층을 이용하여 고품위 실리콘 박막을 형성하여 성장시킨 후 실리콘 기판과 다른 이종기판에 고품위 실리콘 박막을 전이하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 실리사이드 에피택시층을 이용한 실리콘 박막의 전이방법은
(1)실리콘 기판 위에 실리사이드 에피택시층을 형성하는 단계와,
(2)실리사이드 에피택시층 위에 고품위 실리콘 박막을 형성하는 단계와,
(3)실리사이드 에피택시층을 선택적으로 제거하여 실리콘 기판으로부터 고품위 실리콘 박막을 분리하고 분리된 고품위 실리콘 박막을 이종기판에 접합시키거나, 또는 고품위 실리콘 박막을 이종기판에 접합시킨 후 실리사이드 에피택시층을 선택적으로 제거하여 실리콘 기판으로부터 이종기판에 접합된 고품위 실리콘 박막을 분리하는 단계를 포함한다.-
公开(公告)号：KR100569881B1
公开(公告)日：2006-04-11
申请号：KR1020040069268
申请日：2004-08-31
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 실리사이드 에피택시층을 이용한 고품위 실리콘 박막의 전이방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 실리콘 기판 위에 실리사이트 에피택시층을 이용하여 고품위 실리콘 박막을 형성하여 성장시킨 후 실리콘 기판과 다른 이종기판에 고품위 실리콘 박막을 전이하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 실리사이드 에피택시층을 이용한 실리콘 박막의 전이방법은
(1)실리콘 기판 위에 실리사이드 에피택시층을 형성하는 단계와,
(2)실리사이드 에피택시층 위에 고품위 실리콘 박막을 형성하는 단계와,
(3)실리사이드 에피택시층을 선택적으로 제거하여 실리콘 기판으로부터 고품위 실리콘 박막을 분리하고 분리된 고품위 실리콘 박막을 이종기판에 접합시키거나, 또는 고품위 실리콘 박막을 이종기판에 접합시킨 후 실리사이드 에피택시층을 선택적으로 제거하여 실리콘 기판으로부터 이종기판에 접합된 고품위 실리콘 박막을 분리하는 단계를 포함한다.-
公开(公告)号：KR1020050068749A
公开(公告)日：2005-07-05
申请号：KR1020030100539
申请日：2003-12-30
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 다결정 규소박막의 제조방법에 관한 것으로, 비정질 규소박막을 알루미늄 할로겐 화합물 보다 바람직하게는 알루미늄 클로라이드(AlCl
3 )와 이종 금속 또는 이 금속이 함유된 금속 화합물의 혼합 분위기에서 열처리함으로써 경제적으로 다결정 규소박막을 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 알루미늄 할로겐 화합물 보다 바람직하게는 알루미늄 클로라이드(AlCl
3 )와 이종 금속 또는 이 금속이 함유된 금속 화합물의 혼합 분위기의 저온에서 비정질 규소박막을 결정화하여 경제적으로 효율적인 다결정 규소박막을 제조할 수 있는 방법과 이러한 방법에 의해 얻을 수 있는 다결정 규소박막의 제공을 목적으로 한다.
본 발명의 다결정 규소박막의 제조방법은 종래 다결정 규소박막의 제조에 있어서, 기판 위에 형성된 비정질 규소박막을 알루미늄 할로겐 화합물과 이종 금속 또는 이 금속이 함유된 금속 화합물이 99:1∼1:99의 비로 혼합된 분위기에서 400℃∼600℃의 온도로 열처리하는 단계를 포함한다.-
公开(公告)号：KR1020020038391A
公开(公告)日：2002-05-23
申请号：KR1020000068610
申请日：2000-11-17
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/324
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a polycrystalline silicon thin film using an atmosphere of aluminum compound is provided to replace a conventional crystallizing heat treatment method, by crystallizing the polycrystalline thin film at a low temperature, by extremely limiting the quantity of residual metal in the crystallized silicon thin film and by making the polycrystalline silicon thin film have excellent surface planarization. CONSTITUTION: An amorphous silicon thin film is deposited on a substrate. A heat treatment process is performed regarding the amorphous silicon thin film in the atmosphere of aluminum compound to form the polycrystalline silicon thin film. The amorphous silicon thin film is formed by a chemical vapor deposition(CVD) method, sputtering method or evaporation method.
Abstract translation: 目的：提供一种使用铝化合物的气氛制造多晶硅薄膜的方法，以代替传统的结晶热处理方法，通过极低限度地将多晶薄膜在低温下结晶化，结晶化 硅薄膜和通过使多晶硅薄膜具有优异的表面平坦化。 构成：将非晶硅薄膜沉积在基底上。 对铝化合物的气氛中的非晶硅薄膜进行热处理，形成多晶硅薄膜。 非晶硅薄膜通过化学气相沉积（CVD）法，溅射法或蒸发法形成。
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