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公开(公告)号：WO2014027854A1
公开(公告)日：2014-02-20
申请号：PCT/KR2013/007375
申请日：2013-08-16
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L51/40
CPC classification number: H01L51/052
Abstract: 본 발명은 iCVD 공정을 이용한 절연막 형성 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 iCVD 공정을 이용한 절연막 형성 방법은, 유기박막트랜지스터 상에 절연막을 제조하는 방법에 있어서, 상기 유기박막트랜지스터 상에 주입한 열에 의해 개시제를 열분해하여 유리 라디칼(free radical)을 형성하는 단계; 상기 유리 라디칼을 이용하여 단량체를 활성화시킴으로써 상기 단량체를 연쇄 중합 반응시켜 고분자 폴리머를 형성하는 단계; 및 상기 유기박막트랜지스터 상에 상기 고분자 폴리머가 증착되어 고분자 절연막을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면 PECVD 공정 또는 CVD 공정에서 제조되는 절연막의 제조 폭이 좁은 단점을 iCVD 공정을 통해 해소할 수 있으면서, 기존 공정보다 균일한 증착이 가능하고, 다양한 두께에서도 매우 낮은 누설 전류를 보여 높은 절연율에 통해 소자의 전기적 특성이 우수하면서 소자의 제작 수율이 높은 효과가 있다. 또한, 용매, 특히 유기 용매를 사용하지 않고 기상 조건에서 단량체와 개시제로 목적하는 고분자 절연막을 증착시킬 수 있어, 용매로 인한 증착 매체의 손상을 방지할 수 있는 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用iCVD形成介电层的方法。 根据本发明，使用iCVD在有机薄膜晶体管上形成电介质层的方法包括以下步骤：通过注入到有机薄膜晶体管上的热量来热分解引发剂以形成自由基; 通过使用自由基来活化单体以通过单体的链聚合形成聚合物; 以及将所述聚合物沉积在所述有机薄膜晶体管上以形成聚合物介电层。 根据本发明，可以通过iCVD解决通过PECVD或CVD制备的电介质层的窄宽度的缺点，并且与常规工艺相比进行均匀沉积，并且显示非常低的漏电流 在各种厚度下，通过高介电常数具有显着的电性能，并且器件的制造成品率高。 此外，可以防止由于溶剂而导致的沉积介质的损坏，因为可以在不使用溶剂，特别是有机溶剂的气相条件下，用单体和引发剂沉积所需的聚合物电介质层。
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公开(公告)号：KR1020140035631A
公开(公告)日：2014-03-24
申请号：KR1020120102111
申请日：2012-09-14
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: G01N33/6815 , G01N33/5302 , G01N33/5304
Abstract: The present invention relates to a method for producing a protein chip capable of using, as supports, various materials such as paper, cloth, and the like, and including a kringle domain variant, and more specifically, to a method for producing a protein chip, comprising the steps of: coating a water repellent polymer on a support through initiated chemical vapor deposition (iCVD); coating a polymer having a vinyl group on the support coated with the water repellent polymer; and immobilizing a complex of a kringle domain variant having a binding capacity specific to a target molecule and an amino acid residue including a thiol group on the support. Further, the present invention provides a protein chip produced by the method and a method for diagnosing a disease by using the protein chip. According to the present invention, the materials which are cheap and easy to carry can be used as a support for the protein chip. The kringle domain variant which has excellent solubility, thermal stability, and productivity and is cheap can be used as an antibody. Further, the binding of the thiol group and the vinyl group is applied to the production of the protein chip, thereby improving the reactivity between the kringle domain variant and the target molecule, so that a protein chip having improved portability and reactivity at low costs as compared with the existing protein chip. [Reference numerals] (AA,CC) DR5 concentration (쨉M); (BB) Signal intensity
Abstract translation: 本发明涉及能够使用诸如纸，布等各种材料作为支撑体的蛋白质芯片的制造方法，并且包括三环结构域变体，更具体地，涉及一种蛋白质芯片的制造方法 包括以下步骤：通过引发的化学气相沉积（iCVD）在支撑体上涂覆斥水聚合物; 在涂覆有防水聚合物的载体上涂布具有乙烯基的聚合物; 并将具有对靶分子特异性的结合能力的三环结构域变体和包含巯基的氨基酸残基的复合物固定在载体上。 此外，本发明提供了通过使用蛋白质芯片的方法和诊断疾病的方法制造的蛋白质芯片。 根据本发明，便宜且易于携带的材料可用作蛋白质芯片的载体。 具有优异的溶解性，热稳定性和生产率并且便宜的三环结构域变体可用作抗体。 此外，将硫醇基和乙烯基的结合应用于蛋白质芯片的制备，从而提高了三环结构域变体和靶分子之间的反应性，从而以低成本改善了携带性和反应性的蛋白质芯片， 与现有蛋白质芯片相比。 （参考数字）（AA，CC）DR5浓度（쨉M）; （BB）信号强度
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公开(公告)号：KR101401601B1
公开(公告)日：2014-06-02
申请号：KR1020120089899
申请日：2012-08-17
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L51/40
CPC classification number: H01L51/052
Abstract: 본 발명은 iCVD 공정을 이용한 절연막 형성 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 iCVD 공정을 이용한 절연막 형성 방법은, 유기박막트랜지스터 상에 절연막을 제조하는 방법에 있어서, 상기 유기박막트랜지스터 상에 주입한 열에 의해 개시제를 열분해하여 유리 라디칼(free radical)을 형성하는 단계; 상기 유리 라디칼을 이용하여 단량체를 활성화시킴으로써 상기 단량체를 연쇄 중합 반응시켜 고분자 폴리머를 형성하는 단계; 및 상기 유기박막트랜지스터 상에 상기 고분자 폴리머가 증착되어 고분자 절연막을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 의하면 PECVD 공정 또는 CVD 공정에서 제조되는 절연막의 제조 폭이 좁은 단점을 iCVD 공정을 통해 해소할 수 있으면서, 기존 공정보다 균일한 증착이 가능하고, 다양한 두께에서도 매우 낮은 누설 전류를 보여 높은 절연율에 통해 소자의 전기적 특성이 우수하면서 소자의 제작 수율이 높은 효과가 있다. 또한, 용매, 특히 유기 용매를 사용하지 않고 기상 조건에서 단량체와 개시제로 목적하는 고분자 절연막을 증착시킬 수 있어, 용매로 인한 증착 매체의 손상을 방지할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR101562922B1
公开(公告)日：2015-10-23
申请号：KR1020130118875
申请日：2013-10-07
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명의실시형태에따른봉지막제조방법은, 유기전계소자상에봉지막을제조하는방법에있어서, 기판상에박막층을증착하여봉지기판을형성하는봉지기판형성단계; 상기유기전계소자상에유기고분자박막을증착하여소자기판을형성하는소자기판형성단계; 상기소자기판의상기유기고분자박막과상기봉지기판의상기박막층을합착시키는합착단계; 및상기소자기판과상기봉지기판을열처리하는열처리단계; 를포함하고, 상기소자기판형성단계는, 상기유기전계소자상에단량체(monomer) 및개시제(initiator)를도포하는도포단계; 상기개시제를열분해하여유리라디칼(free radical)을형성하는유리라디칼형성단계; 및상기유리라디칼을이용하여상기단량체를활성화시킴으로써상기유기전계소자상에상기유기고분자박막을증착하는유기고분자박막증착단계; 를포함하고, 상기도포단계, 상기유리라디칼형성단계및 상기유기고분자박막증착단계에서는용매(solvent)를사용하지않는다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140023114A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：KR1020120089899
申请日：2012-08-17
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L51/40
CPC classification number: H01L51/052
Abstract: The present invention relates to a method for forming an insulating film using an iCVD process. More specifically, a method for manufacture an insulating film in an organic thin film transistor according to the present invention comprises the steps of forming a free radical by pyrolyzing an initiator by heat injected in the organic thin film transistor; using the free radical to activate a monomer and chain polymerization reacting the monomer to form a polymer; and depositing the polymer in the organic thin film transistor to form a polymeric insulating film. According to the present invention, the iCVD process has effects of resolving a weakness of narrowing the manufacturing width of the insulating film manufactured in a PECVD process or a CVD process, allowing uniform deposition relatively to the existing process and having an excellent electric characteristic and a high manufacturing yield of an element through a high insulating rate by showing very low leakage currents in various thicknesses. Furthermore, the present invention can deposit the targeted polymeric insulating film by the monomer and the initiator under weather condition without using a solvent, in particular, an organic solvent, thereby preventing a deposition medium from being damaged due to the solvent. [Reference numerals] (S200) Step of supplying a monomer and an initiator; (S210) Step of injecting heat; (S220) Step of forming a free radical; (S230) Step of forming a polymer; (S240) Step of forming a polymeric insulating film
Abstract translation: 本发明涉及使用iCVD工艺形成绝缘膜的方法。 更具体地，根据本发明的有机薄膜晶体管中的绝缘膜的制造方法包括以下步骤：通过在有机薄膜晶体管中注入的热量将引发剂热解而形成自由基; 使用自由基来活化单体和使单体反应的链聚合反应形成聚合物; 并将聚合物沉积在有机薄膜晶体管中以形成聚合物绝缘膜。 根据本发明，iCVD工艺具有解决在PECVD工艺或CVD工艺中制造的绝缘膜的制造宽度变窄的弱点的效果，允许相对于现有工艺均匀沉积并且具有优异的电特性和 通过显示出各种厚度的非常低的漏电流，通过高绝缘速率的元件的高制造产量。 此外，本发明可以在不使用溶剂，特别是有机溶剂的情况下，通过单体和引发剂在目标条件下沉积目标聚合物绝缘膜，从而防止沉积介质被溶剂损坏。 （S200）供给单体和引发剂的工序; （S210）注入热量的步骤 （S220）形成自由基的工序; （S230）形成聚合物的工序; （S240）形成聚合物绝缘膜的工序
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公开(公告)号：KR101927370B1
公开(公告)日：2018-12-10
申请号：KR1020160168804
申请日：2016-12-12
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 화학기상증착법을 이용하여 개시제, 무극성 단량체 및 전자주게 그룹을 포함하는 단량체를 중합시켜 공중합체를 형성하고 공중합체가 형성된 기판 상에 무극성 중합체로 표면처리함으로써 유기 박막 트랜지스터용 절연막을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 공중합체의 조성에 따라서 고분자 절연막의 표면이 아닌 내부 전하농도 및 유기 박막 트랜지스터의 문턱전압을 조절할 수 있다. 또한, 개시제, 무극성 단량체 및 큰 전기음성도를 가진 그룹을 포함하는 단량체를 중합시켜 공중합체를 형성하여 유기 박막 트랜지스터의 동작 안정성을 향상시킬 수 있다. 두 공중합체 모두 매우 얇은 두께에서도 우수한 절연특성을 나타내어 저전압 구동 소자를 위한 게이트 절연막으로 적합한 유기 박막 트랜지스터용 절연체 박막의 제조방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020150040406A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：KR1020130118875
申请日：2013-10-07
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L51/5237 , H01L51/0096 , H01L51/56 , H05B33/04
Abstract: 본발명의실시형태에따른봉지막제조방법은, 유기전계소자상에봉지막을제조하는방법에있어서, 기판상에박막층을증착하여봉지기판을형성하는봉지기판형성단계; 상기유기전계소자상에유기고분자박막을증착하여소자기판을형성하는소자기판형성단계; 상기소자기판의상기유기고분자박막과상기봉지기판의상기박막층을합착시키는합착단계; 및상기소자기판과상기봉지기판을열처리하는열처리단계; 를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的有机电致发光器件上的封装膜的制造方法包括以下步骤：通过在衬底上沉积薄膜层来形成封装膜衬底; 通过在有机电致发光器件上沉积有机聚合物薄膜形成器件衬底; 将器件基板的有机聚合物薄膜与封装膜基板的薄膜层组合; 以及用热处理所述器件衬底和所述封装膜衬底。
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公开(公告)号：KR101429431B1
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：KR1020120102111
申请日：2012-09-14
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 종이, 천 등 다양한 재료를 지지체로 적용 가능한, 크링글 도메인 변이체를 포함하는 단백질 칩의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 지지체에 발수성 고분자를 iCVD (initiated chemical vapor deposition; 화학기상증착) 공정으로 코팅하는 단계, 상기 발수성 고분자가 코팅된 지지체에 비닐 (vinyl)기를 포함하는 고분자를 코팅하는 단계, 및 표적 분자에 특이적 결합능을 갖는 크링글 도메인 변이체와 티올 (thiol)기를 포함하는 아미노산 잔기와의 결합물을 상기 지지체에 고정화시키는 단계를 포함하는 단백질 칩의 제조방법을 제공한다. 또한, 상기 방법으로 제조된 단백질 칩 및 이를 이용하여 질병을 진단하는 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 값이 싸고 휴대가 간편한 재료들을 단백질 칩의 지지체로 이용할 수 있으며, 항체에 비하여 용해도, 열적 안정성 및 생산성이 우수하며 비용이 저렴한 크링글 도메인 변이체를 항체를 대신하여 사용할 수 있다. 또한, 티올 (thiol)기와 비닐 (vinyl) 기의 결합을 단백질 칩 제조에 적용함으로써, 크링글 도메인 변이체와 목적 분자간의 반응성을 향상시킬 수 있으므로, 기존의 단백질 칩에 비하여 저비용으로 휴대성 및 반응성이 증대된 단백질 칩을 제조할 수 있으므로 유용하다.-
公开(公告)号：KR1020140035986A
公开(公告)日：2014-03-24
申请号：KR1020140021154
申请日：2014-02-24
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L51/40
CPC classification number: H01L51/052 , H01L21/02118 , H01L21/02271
Abstract: The present invention relates to a method for forming a dielectric layer using iCVD process. According to the present invention, the method for forming a dielectric layer on an organic thin film transistor using iCVD process comprises the steps of: thermally decomposing an initiator by the heat injected on the organic thin film transistor to form free radicals; activating monomers by using the free radicals to chain polymerize the monomers to form a polymer; and depositing the polymer on the organic thin film transistor to form a polymer dielectric layer. According to the present invention, it is possible to solve a shortcoming of a narrow width of a dielectric layer prepared by PECVD or CVD process through iCVD, and conduct uniform deposition compared with a conventional process, and a very low leakage current is shown in various thickness, thereby obtaining the remarkable electrical properties of a device and improving the manufacturing yield of the device, through a high dielectric constant. In addition, it is possible to prevent damage to a deposition medium due to a solvent since a desired polymer dielectric layer can be deposited with monomers and an initiator in a vapor phase condition without a solvent, particularly, an organic solvent. [Reference numerals] (S200) Supply monomers and an initiator; (S210) Inject heat; (S220) Form free radicals; (S230) Form a polymer; (S240) Form a polymeric dielectric layer
Abstract translation: 本发明涉及使用iCVD工艺形成介电层的方法。 根据本发明，使用iCVD工艺在有机薄膜晶体管上形成电介质层的方法包括以下步骤：通过注入到有机薄膜晶体管上的热量来热分解引发剂以形成自由基; 通过使用自由基来活化单体以使单体链聚合以形成聚合物; 以及将所述聚合物沉积在所述有机薄膜晶体管上以形成聚合物介电层。 根据本发明，可以通过iCVD解决通过PECVD或CVD工艺制备的电介质层的窄宽度的缺点，并且与常规工艺相比进行均匀沉积，并且以各种方式示出非常低的漏电流 从而通过高介电常数获得器件的显着电性能并提高器件的制造成品率。 此外，可以防止由于溶剂而导致的沉积介质的损坏，因为可以在不使用溶剂，特别是有机溶剂的气相条件下，用单体和引发剂沉积所需的聚合物电介质层。 （参考号）（S200）供给单体和引发剂; （S210）注入热量; （S220）形成自由基; （S230）形成聚合物; （S240）形成聚合物介电层
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