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公开(公告)号：KR101381695B1
公开(公告)日：2014-04-10
申请号：KR1020120104985
申请日：2012-09-21
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 다층구조를 갖는 반사방지막의 제조방법에 관한 것으로서, 구체적으로 본 발명에 따라 이온교환법으로 금속산화물을 이온화시켜 제조한 금속산화물 이온 용액을 사용하여 용액공정을 통해 고굴절률층을 형성하는 단계를 포함하는 다층 반사방지막의 제조방법은 진공 증착방식과 같이 고가의 장비나 장시간을 요구하지 않아 경제성 및 생산성이 높으면서도 기존 용액공정에서와 달리 증착방식에서나 구현될 수 있었던 우수한 박막 균일성, 투과율 및 반사방지 성능을 나타내는 다층 반사방지막의 제조를 가능하게 하므로, 고성능 반사방지막을 필요로 하는 광범위한 분야에서 경제적인 대량생산 공정 개발에 유용하게 활용될 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020140038656A
公开(公告)日：2014-03-31
申请号：KR1020120104985
申请日：2012-09-21
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: The present invention relates to a preparation method for multilayer anti-reflective coatings. More specifically, the preparation method for multilayer anti-reflective coatings according to the present invention comprises steps that ionize metal oxides by ion exchange method and form a layer of high refractive index through a solution process by using metal oxide ion solutions, does not require high-priced equipment nor long times as a vacuum deposition method does, so as to enable preparation of multilayer anti-reflective coatings that have a high economy and productivity and yet display excellent thin film uniformity, transmittance and anti-reflective performance which could be realized only by deposition methods unlike existing solution methods, and hence can be utilized usefully for development of economic mass production processes in extensive areas requiring high-performance anti-reflective coatings.
Abstract translation: 本发明涉及多层抗反射涂层的制备方法。 更具体地说，根据本发明的多层抗反射涂层的制备方法包括通过离子交换法离子化金属氧化物并通过使用金属氧化物离子溶液通过溶液法形成高折射率层的步骤，不需要高 以及作为真空蒸镀法的长时间的设计，能够制备具有高经济性和生产率的多层抗反射涂层，而且显示出优异的薄膜均匀性，透光率和抗反射性能，仅可实现 通过与现有的溶液方法不同的沉积方法，因此可以有效地用于需要高性能抗反射涂层的广泛领域的经济大规模生产工艺的开发。
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公开(公告)号：KR1020120114890A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：KR1020110032715
申请日：2011-04-08
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: An insulating film for chip lamination, a manufacturing method thereof, and a chip lamination method using the same are provided to simplify a lamination process without forming an insulating layer at side of a chip. CONSTITUTION: A plurality of metal patterns is included inside an insulating layer. The plurality of metal patterns is vertically separated as predetermined distance with each other. The distance between metal patterns is shorter than the distance between chip pads. A second metal Line(122) is extended in a chip lamination direction. A first metal Line(121) is perpendicularly extended as predetermined length. The insulating layer is eliminated as predetermined depth and width. A chip receiving space of trench shape is formed between first metal Lines.
Abstract translation: 目的：提供一种用于芯片层叠的绝缘膜，其制造方法和使用该绝缘膜的芯片层叠方法，以简化层叠工艺而不在芯片侧面形成绝缘层。 构成：绝缘层内包含多个金属图案。 多个金属图案彼此垂直分隔成预定距离。 金属图案之间的距离比芯片之间的距离短。 第二金属线（122）沿芯片层叠方向延伸。 第一金属线（121）以预定长度垂直延伸。 绝缘层被消除为预定的深度和宽度。 在第一金属线之间形成沟槽形状的芯片接收空间。
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公开(公告)号：KR1020150145633A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：KR1020140075990
申请日：2014-06-20
IPC: A61B6/00
CPC classification number: G06T11/005 , G01N23/04 , G01N23/046 , G01N2223/401 , G06T5/003 , G06T2207/10116
Abstract: 엑스선영상장치는, 엑스선디텍터로부터검출되는제1 엑스선영상데이터에포함된산란성분에대응하여스캐터커널함수(scatter kernel function)를설정하는커널함수설정부; 및스캐터커널함수및 데이터일관성(data consistency)을이용하여제1 엑스선영상데이터에대해산란보정된제2 엑스선영상데이터를생성하는영상데이터보정부; 를포함할수 있다. 이와같은엑스선영상장치및 엑스선영상장치의제어방법에의하면, 데이터일관성을이용하여산란보정을수행하므로, 산란보정의정확도를높일수 있고, 이에기초하여엑스선영상을생성하기때문에, 엑스선영상의품질을향상시킬수 있다.
Abstract translation: X射线图像装置包括：内核功能设定单元，用于设定与由X射线检测器检测出的第一X射线图像数据中包含的散射成分相对应的散射核函数; 以及图像数据校正单元，用于通过使用散射核函数和数据一致性来生成第二X射线图像数据，其中相对于第一X射线图像数据校正散射。 根据X射线图像装置及其控制方法，通过使用数据一致性进行散射校正，可以提高散射校正的精度。 基于此形成X射线图像，因此可以提高X射线图像的质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101575203B1
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：KR1020140161492
申请日：2014-11-19
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 금속나노슬롯은제1 유전막패턴, 제2 유전막패턴, 제3 유전막패턴및 금속막을포함한다. 제3 유전막패턴은제1 유전막패턴상부에서제1 유전막패턴과대향한다. 제2 유전막패턴은제1 유전막패턴및 제3 유전막패턴사이에배치되며, 제1 및제3 유전막패턴들보다작은수평너비를갖는다. 금속막은제1 유전막패턴및 제3 유전막패턴의표면상에부분적으로형성된다.
Abstract translation: 金属纳米槽包括第一介电层图案，第二介电层图案，第三介电层图案和金属层。 第三电介质层图案面向第一电介质层图案的上层中的第一介电层图案。 第二电介质层图案布置在第一介电层图案和第三介电层图案之间，并且具有比第一和第三介电层图案更小的水平宽度。 金属层部分地形成在第一电介质层图案和第三电介质层图案的表面上。
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公开(公告)号：KR1020130053715A
公开(公告)日：2013-05-24
申请号：KR1020110119305
申请日：2011-11-16
Applicant: 한국과학기술원
IPC: A61H3/04
CPC classification number: A61H3/04 , A61H2201/0153 , A61H2201/1215 , A61H2201/5023 , A61H2205/10
Abstract: PURPOSE: A lift type walking assistant apparatus is provided to naturally perform operation of standing up and down of user. CONSTITUTION: A lift type walking assistant apparatus comprises a support frame(10) equipped on each sides as contacted to each ends, a link frame(20) connecting in width distance to the support frame, and a lift bar(30) equipped and connected to be rotated with the sliding vertically and horizontally from the surface. The lift bar is combined by the track roller ad arranged vertically and horizontally to guard rail from the support frame.
Abstract translation: 目的：提供一种升降式行走辅助装置，自然地进行使用者站立起来的操作。 构成：升降式步行辅助装置包括：每侧各配置有与每个端部相接的支撑框架（10），连接框架（20），其宽度距离与支撑框架连接;以及提升杆（30），其配备并连接 随着从表面垂直和水平滑动而旋转。 升降杆由垂直和水平布置的滚轮广告组合，以将支架从支撑框架上保护。
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公开(公告)号：KR101242281B1
公开(公告)日：2013-03-12
申请号：KR1020110032714
申请日：2011-04-08
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 절연필름을 이용한 칩 적층방법, 이에 의하여 적층된 칩, 이를 위한 절연필름 및 그 제조방법이 제공된다.
본 발명에 따른 절연필름을 이용한 칩 적층방법은 소정 간격만큼 이격되며, 길이 방향으로 연장된 복수의 금속패턴을 절연층 내부에 포함하는 절연필름을 이용한 복수 칩 적층 방법으로, 상기 방법은 상기 칩 사이의 이격 공간에서 상기 절연필름을 상기 칩 방향으로 소정 길이만큼 삽입하는 단계; 및 상기 내부의 금속 패턴을 상기 복수 칩 상부에 형성된 칩 패드에 접합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명은 적층 칩의 층간 전기적인 인터커넥션을 형성하기 위하여 금속 패턴이 형성된 절연필름을 이용, 열압착 방식으로 칩을 적층, 접합시키므로 1회의 공정만으로도 복수 개의 칩을 한번에 적층할 수 있다.-
9.发明公开칩 접합을 위한 실리콘 기판 관통 비아, 이를 포함하는 칩, 적층 칩 및 전기도금을 이용한 적층 칩 접합방법 有权通过连接芯片，芯片和包括它们的安装芯片的硅胶，以及通过电镀来粘合安装的芯片的方法
公开(公告)号：KR1020120113401A
公开(公告)日：2012-10-15
申请号：KR1020110031095
申请日：2011-04-05
CPC classification number: H01L2224/13
Abstract: PURPOSE: A silicon through via for bonding a chip, the chip including the same, a laminated chip, and a method for bonding the laminated chip using an electroplating are provided to improve conductivity and bonding strength by forming a metal bonding part with the electroplating. CONSTITUTION: A metal part(140) fills a silicon through via(170). A metal pad(150) is laminated on the silicon through via. A metal bump(160) is protruded from the chip with a preset height. The metal bump and the metal pad are made of the same metal materials. An insulation layer(120) and a metal seed layer(130) are successively laminated on the silicon through via.
Abstract translation: 目的：提供一种用于将芯片接合的硅通孔，包括其的芯片，层压芯片以及使用电镀来接合层叠芯片的方法，以通过与电镀形成金属接合部来提高导电性和接合强度。 构成：金属部件（140）通过通孔（170）填充硅。 金属焊盘（150）通过通孔层叠在硅上。 金属凸块（160）以预设的高度从芯片突出。 金属凸块和金属垫由相同的金属材料制成。 绝缘层（120）和金属种子层（130）通过通孔依次层压在硅上。
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公开(公告)号：KR101054491B1
公开(公告)日：2011-08-05
申请号：KR1020080064718
申请日：2008-07-04
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/83192 , H01L2924/00
Abstract: 이 발명은 전자부품(칩)과 기판에 형성된 금속 재질의 스트립범프를 이용한 고상접합방법에 관한 것이다.
이 발명에 따른 스트립범프를 이용한 고상접합방법은, 칩과 기판에 각각 스트립범프를 형성하는 단계와, 상기 스트립범프가 형성된 기판 위에 언더필을 형성하는 단계와, 상기 칩과 기판을 정렬하고 초음파를 가하여 스트립범프 사이의 언더필을 제거하는 단계와, 상기 칩과 기판에 형성된 스트립범프를 접합하면서 상기 언더필을 경화시키는 단계를 포함한다.
초음파, 고상접합, 열압착, 언더필, 스트립범프, 범프
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