Abstract:
본 발명의 내장형 커패시터용 폴리머/세라믹 복합 페이스트를 이용한 커패시터 제조방법은 유기 기판상에 스크린 프린팅 방법으로 도포하여 180 ~ 200℃의 온도로 경화시켜 유전체층을 형성할 수 있는 내장형 커패시터용 폴리머/세라믹 복합 페이스트와 하부전극층이 증착된 유기 기판을 마련하는 단계와; 패터닝된 마스크를 이용하여 폴리머/세라믹 복합 페이스트를 하부전극층 상의 소정영역에 스크린 프린팅 방법으로 직접 도포하는 단계와; 도포된 폴리머/세라믹 복합 페이스트에 180 ~ 200℃의 온도로 가열하고 가압하여 폴리머/세라믹 복합 페이스트를 경화시키면서 평탄화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 폴리머/세라믹 복합 페이스트를 스크린 프린팅 방법으로 도포함으로써 원하는 부분에 국부적으로 20㎛ 이하의 두께를 갖는 폴리머/세라믹 복합 유전체층을 형성할 수 있으므로 원하지 않는 부분에 커패시터가 형성됨으로써 발생하는 전기적 기생성분을 줄일 수 있고, 경화시키면서 가압하여 평탄화된 유전체층을 얻을 수 있으므로 커패시턴스의 오차를 줄일 수 있다. 내장형, 커패시터, 유전체, 폴리머, 세라믹, 스크린 프린팅, 평탄화
Abstract:
본 발명의 내장형 커패시터용 폴리머/세라믹 복합 페이스트를 이용한 커패시터 제조방법은 기판상에 스크린 프린팅 방법으로 도포하여 180~200℃의 온도로 경화시켜 유전체층을 형성할 수 있는 내장형 커패시터용 폴리머/세라믹 복합 페이스트와 하부전극층이 증착된 기판을 마련하는 단계와; 패터닝된 마스크를 이용하여 폴리머/세라믹 복합 페이스트를 하부전극층 상의 소정영역에 스크린 프린팅 방법으로 직접 도포하는 단계와; 도포된 폴리머/세라믹 복합 페이스트에 180~200℃의 온도로 가열하고 가압하여 폴리머/세라믹 복합 페이스트를 경화시키면서 평탄화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 폴리머/세라믹 복합 페이스트를 스크린 프린팅 방법으로 도포함으로써 원하는 부분에 국부적으로 20㎛ 이하의 두께를 갖는 폴리머/세라믹 복합 유전체층을 형성할 수 있으므로 원하지 않는 부분에 커패시터가 형성됨으로써 발생하는 전기적 기생성분을 줄일 수 있고, 경화시키면서 가압하여 평탄화된 유전체층을 얻을 수 있으므로 커패시턴스의 오차를 줄일 수 있다.
Abstract:
A method for manufacturing a wafer level package having an adhesive layer without containing bubbles is provided to prevent the reliability of a flip chip junction from being degraded by reducing remarkably bubbles which are trapped between a chip and a substrate caused by surface winding. A method for manufacturing a wafer level package comprises following steps. A paste or a solution type adhesive is coated on a wafer on which a bump is formed. The paste and the solution type adhesive layer are laminated by coating a film adhesive. A dicing process is performed to each unit chip.
Abstract:
본 발명은 폴리머/세라믹 복합체를 이용하여 내장형 커패시터를 제조하는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 폴리머/세라믹 복합재료 필름 또는 페이스트를 커패시터의 유전체 층으로 삼되 제조된 커패시터의 두께 편차가 작고 두께를 정밀하고 균일하게 조절할 수 있는 내장형 커패시터 제조 방법에 관한 것이며, 특히 스페이서를 사용하여 커패시터의 두께 편차를 보다 용이하게 줄이고 커패시터의 두께를 보다 정밀하게 조절할 수 있다. 내장형 커패시터, 폴리머/세라믹 복합체, 스페이서, 두께 편차
Abstract:
A method for fabricating a wafer-level flip-chip package using an ACF/NCA solution is provided to effective suppress shadow effect by directly coating a material of a solution stage having a composition of an ACA(anisotropic conductive adhesive) film or NCA(non-conductive adhesive) film on a wafer. After a mixture solution including insulation polymer resin, a hardening agent and an organic solvent is deposited on a wafer(100) with a non-solder bump(113), the deposited mixture solution(115) is dried to transform the mixture deposited on the wafer into a B-stage. The dried wafer is diced into individual chips. After the diced semiconductor chips(200) are aligned with an electrode of a substrate(300), heat and pressure is applied to perform a flip-chip bonding process. The mixture solution can include a conductive particle having 5~20 weight percent with respect to the insulation polymer resin.
Abstract:
A method for fabricating an embedded capacitor is provided to control thickness precisely and to have low thickness deviation by using a polymer/ceramic compound material film or a paste. A bottom plate(103) attached with a bottom electrode(102) and a top substrate(105) attached with a top electrode(104) are prepared. A polymer/ceramic compound(101) is coated on the plane where the bottom electrode of the bottom substrate is attached. A spacer(106) is intervened between the bottom substrate and the top substrate. The top substrate is bonded to the polymer/ceramic compound. The polymer/ceramic compound for an embedded capacitor is compressed and hardened between the bottom substrate and the top substrate by applying heat and pressure.
Abstract:
PURPOSE: A polymer/ceramic composite paste and a method for manufacturing a capacitor are provided to reduce electric parasitic components and error of capacitance by forming a dielectric layer having a uniform thickness only in a desired portion. CONSTITUTION: A polymer/ceramic composite paste(100) comprises an organic solvent; and ceramic powder(111,112), a polymer, and a hardening agent. The ceramic powder has particle diameters of 20§, and is dispersed in the organic solvent. A method for manufacturing a capacitor comprises a step of preparing a substrate on which a polymer/ceramic composite paste and a lower electrode layer are deposited; a step of depositing the polymer/ceramic composite paste on the lower electrode layer through a screen printing process; and a step of hardening and flattening the deposited polymer/ceramic composite paste by applying heat and pressure to the polymer/ceramic composite paste.
Abstract:
A method for fabricating a wafer-level flip chip package is provided to suppress shadow effects by using ACA(Anisotropic Conductive Adhesives) for easily adjusting coating thickness and NCA(Non-Conductive Adhesives), for achieving high selectivity in electrical connections while stabilizing a bonding process. A method for fabricating a wafer-level flip chip package comprises the steps of: forming a non-conductive layer(115) by coating and drying non-conductive mixture solution containing insulating polymer resin, hardener, and organic solvent onto a wafer(100) on which a non-solder bump(113) is formed; forming an anisotropic conductive layer(116) by coating and drying conductive mixture solution containing insulating polymer resin, hardener, organic solvent, and conductive materials onto the non-conductive layer; dicing the wafer coated with the non-conductive layer and anisotropic conductive layer to form individual semiconductor chips(200); and subjecting the individual semiconductor chip to a flip-chip bonding in alignment with an electrode of a substrate.