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1.
公开(公告)号:KR1019980050132A
公开(公告)日:1998-09-15
申请号:KR1019960068910
申请日:1996-12-20
Applicant: 에스케이하이닉스 주식회사 , 한국과학기술원
IPC: C08F226/06 , C08F230/08 , G03F7/00
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1 로 표시되는 비닐락탐의 3 위치에 여러 종류의 보호기가 도입된 유도체, 스티렌계 유도체 및 아크릴계 유도체의 신규한 공중합체, 그의 제조 방법 및 그들 공중합체의 포토레지스트로서의 용도에 관한 것이다. 본 발명의 중합체는 초미세가공(microlithography)에서 원자외선 노광에 적합한 감도, 고해상성의 화상을 형성할 수 있는 포토레지스트 재료로 사용될 수 있다. 또한, 본 발명에 의한 포토레지스트는 초미세회로의 형성이 가능할 뿐만 아니라, 패턴 형성에 있어서 PED 안정성을 획기적으로 향상시킬 수 있다.
상기 식에서, R1은 수소, 탄소수 1 내지 10개의 알킬기, 탄소수 6 내지 12개의 아릴기 또는 탄소수 3 내지 9개의 트리알킬실릴기이고 R2 및 R3 는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 10개의 알킬기, 탄소수 6 내지 12개의 아킬기, 탄소수 3 내지 9개의 트리알킬실릴기 및 -OR',-SO
3 R',-CO
2 R',-PO
3 R',-SO
2 R' 또는 -PO
2 R' (R'는 탄소수 1 내지 10개의 알킬 시클로알킬 N,O, P, S 등의 헤테로 원자를 포함한 시클로기 탄소수 6내지 12개의 아릴기)이며 R
4 및 R
5 는 각각 독립적으로 -OH,-OR(R은 탄소수 1 내지 10개의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12개의 아릴기) 또는 R
1 과 동일한 기이며 R
7 및 R
9 는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 10개의 알킬기, 탄소수 6 내지 12개의 아릴기 또는 탄소수 3 내지 9개의 트리알킬실릴기이고 R
6 및 R
8 는 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 20개의 아릴기 또는 아크릴레이트(-COOR'')(R''는 탄소수 1 내지 10개의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 12개의 아릴기)이고: m은 O 내지 1O 의 정수이며 j는 0.005 내지 0.7의 몰분률이며 k 및 1은 각각 독립적으로 0.05 내지 0.9의 몰분률이다.-
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3.
公开(公告)号:KR100197673B1
公开(公告)日:1999-06-15
申请号:KR1019960068910
申请日:1996-12-20
Applicant: 에스케이하이닉스 주식회사 , 한국과학기술원
IPC: C08F226/06 , C08F230/08 , G03F7/00
CPC classification number: C08F226/06 , G03F7/0045 , G03F7/039
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