公开(公告)号：KR101666836B1

公开(公告)日：2016-10-17

申请号：KR1020150117534

申请日：2015-08-20

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 민대홍 ,  남옥현 ,  박동휘 ,  장종진 ,  이규승

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/205

Abstract: 본발명은형광체없는백색발광다이오드및 그제조방법에관한발명으로서, 보다구체적으로는다공성나노마스크층을이용하여활성층(active region)을다중면(multi-facet) 구조로형성시키고, 그에따라활성층내 각위치마다인듐(In)의농도가달라지는것을이용하여형광체를이용하지않고백색광이발광되도록하는백색발광다이오드를제조할수 있는방법에관한것이다. 형광체없는백색발광다이오드에있어서, 다공성나노마스크층; 상기다공성나노마스크층의구멍을통해성장된제1 질화물반도체가다중면(multi-facet) 구조로형성되는제1 질화물반도체층; 및상기제1 질화물반도체층의상부에제2 질화물반도체가다중면(multi-facet) 구조로형성되는활성층;을포함할수 있고, 상기제2 질화물반도체는, InGaN이고, 상기 InGaN는상기제1 질화물반도체층의상부에불균일한두께및/또는불균일한인듐(In) 농도로형성되는것을특징으로하는백색발광다이오드및 그제조방법을개시한다.