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公开(公告)号：KR101666836B1
公开(公告)日：2016-10-17
申请号：KR1020150117534
申请日：2015-08-20
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L33/00 , H01L21/205
Abstract: 본발명은형광체없는백색발광다이오드및 그제조방법에관한발명으로서, 보다구체적으로는다공성나노마스크층을이용하여활성층(active region)을다중면(multi-facet) 구조로형성시키고, 그에따라활성층내 각위치마다인듐(In)의농도가달라지는것을이용하여형광체를이용하지않고백색광이발광되도록하는백색발광다이오드를제조할수 있는방법에관한것이다. 형광체없는백색발광다이오드에있어서, 다공성나노마스크층; 상기다공성나노마스크층의구멍을통해성장된제1 질화물반도체가다중면(multi-facet) 구조로형성되는제1 질화물반도체층; 및상기제1 질화물반도체층의상부에제2 질화물반도체가다중면(multi-facet) 구조로형성되는활성층;을포함할수 있고, 상기제2 질화물반도체는, InGaN이고, 상기 InGaN는상기제1 질화물반도체층의상부에불균일한두께및/또는불균일한인듐(In) 농도로형성되는것을특징으로하는백색발광다이오드및 그제조방법을개시한다.
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公开(公告)号：KR1020170034027A
公开(公告)日：2017-03-28
申请号：KR1020150132182
申请日：2015-09-18
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본발명은무촉매방식으로경사각을갖는나노구조물성장방법에관한것으로서, 보다구체적으로는금속촉매를사용하지않고패터닝및 식각공정을통하여사파이어기판또는화합물박막상부에위치선택적으로수평또는경사구조로나노구조물을성장시키는방법에관한것이다. 본발명에따른무촉매방식으로경사각을갖는나노구조물을성장방법은, M-면사파이어기판상부에나노마스크층을형성하는단계; 패터닝공정을통해상기나노마스크층을식각하여상기 M-면사파이어기판을선택적으로노출시키는단계; 상기 M-면사파이어기판의노출된부분에다중면구조의화합물핵을형성하는단계; 상기화합물핵으로부터상기 M-면사파이어기판표면으로부터수직방향으로소정의각도를이루는나노구조물을형성하는단계를포함할수 있다. 나아가, 상기나노마스크층을형성하기전에상기 M-면사파이어기판표면을 NH가스로질화처리하여상기 M-면사파이어기판표면에 R-면요철구조를형성하는단계를더 포함하는무촉매방식나노구조물성장방법을개시하고있다.
Abstract translation: 本发明涉及以非催化方式生长具有倾角的纳米结构的方法，更具体地，涉及通过图案化和蚀刻工艺生长纳米结构而不使用金属催化剂来生长纳米结构的方法， 一种生长相同的方法。 根据本发明的生长具有倾角的纳米结构的方法包括：在M-平面蓝宝石衬底上形成纳米掩模层; 通过构图工艺蚀刻纳米掩模层选择性蚀刻M面蓝宝石衬底; 在M-型蓝宝石衬底的暴露部分上形成复合核的多面结构; 并且从复合核形成从M面蓝宝石基板的表面在垂直方向上具有预定角度的纳米结构。 进一步地，在形成纳米掩模层之前，用NH 3气体对M面蓝宝石衬底的表面进行氮化，以在M面蓝宝石衬底的表面上形成R面凹凸结构， 等等。
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公开(公告)号：KR101759255B1
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：KR1020150132182
申请日：2015-09-18
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본발명은무촉매방식으로경사각을갖는나노구조물성장방법에관한것으로서, 보다구체적으로는금속촉매를사용하지않고패터닝및 식각공정을통하여사파이어기판또는화합물박막상부에위치선택적으로수평또는경사구조로나노구조물을성장시키는방법에관한것이다. 본발명에따른무촉매방식으로경사각을갖는나노구조물을성장방법은, M-면사파이어기판상부에나노마스크층을형성하는단계; 패터닝공정을통해상기나노마스크층을식각하여상기 M-면사파이어기판을선택적으로노출시키는단계; 상기 M-면사파이어기판의노출된부분에다중면구조의화합물핵을형성하는단계; 상기화합물핵으로부터상기 M-면사파이어기판표면으로부터수직방향으로소정의각도를이루는나노구조물을형성하는단계를포함할수 있다. 나아가, 상기나노마스크층을형성하기전에상기 M-면사파이어기판표면을 NH가스로질화처리하여상기 M-면사파이어기판표면에 R-면요철구조를형성하는단계를더 포함하는무촉매방식나노구조물성장방법을개시하고있다.
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