公开(公告)号：KR101666836B1

公开(公告)日：2016-10-17

申请号：KR1020150117534

申请日：2015-08-20

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 민대홍 ,  남옥현 ,  박동휘 ,  장종진 ,  이규승

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/205

Abstract: 본발명은형광체없는백색발광다이오드및 그제조방법에관한발명으로서, 보다구체적으로는다공성나노마스크층을이용하여활성층(active region)을다중면(multi-facet) 구조로형성시키고, 그에따라활성층내 각위치마다인듐(In)의농도가달라지는것을이용하여형광체를이용하지않고백색광이발광되도록하는백색발광다이오드를제조할수 있는방법에관한것이다. 형광체없는백색발광다이오드에있어서, 다공성나노마스크층; 상기다공성나노마스크층의구멍을통해성장된제1 질화물반도체가다중면(multi-facet) 구조로형성되는제1 질화물반도체층; 및상기제1 질화물반도체층의상부에제2 질화물반도체가다중면(multi-facet) 구조로형성되는활성층;을포함할수 있고, 상기제2 질화물반도체는, InGaN이고, 상기 InGaN는상기제1 질화물반도체층의상부에불균일한두께및/또는불균일한인듐(In) 농도로형성되는것을특징으로하는백색발광다이오드및 그제조방법을개시한다.

公开(公告)号：KR101394565B1

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：KR1020120091088

申请日：2012-08-21

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 남옥현 ,  민대홍 ,  유근호 ,  류용우 ,  문승환

IPC: H01L33/22

Abstract: 본 발명은 사파이어 등 기판을 반구형의 마이크로 렌즈 어레이로 패턴(예, hemispherically patterned sapphire substrate(HPSS))하거나 사파이어 등 기판 위에 산화막(예, SiO
2 )으로 반구형의 마이크로 렌즈 어레이 패턴을 형성한 후 질화물 반도체층을 형성하되 질화물 반도체층 간에 적어도 1회 이상 더 산화막(예, SiO
2 )으로 반구형의 마이크로 렌즈 어레이를 형성한 템플레이트층 구조를 이용함으로써, 질화물 반도체층 간의 반구형의 마이크로 렌즈 어레이 패턴이 사파이어 등 기판에 형성된 패턴들 사이에서 생성되는 결함들의 상부로의 확장을 차단하여 질화물 반도체층의 결정성을 향상시키고, 이중 또는 다중 렌즈의 기능에 의해 광 추출효과를 향상시킬 수 있는 질화물 반도체 에피 구조의 반도체 소자용 기판 및 템플레이트 제조 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020140025045A

公开(公告)日：2014-03-04

申请号：KR1020120091088

申请日：2012-08-21

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 남옥현 ,  민대홍 ,  유근호 ,  류용우 ,  문승환

IPC: H01L33/22

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L2933/0091

Abstract: The present invention relates to a method of manufacturing a template and a substrate for a semiconductor device of a nitride semiconductor epitaxial structure which improves crystallizability of a nitride semiconductor layer by preventing defects formed between patterns in which a hemispherical micro-lens pattern between nitride semiconductor layers is formed on a substrate such as a sapphire from being expanded to the upper side by forming being expanded to the upper side using a template layer structure. The template layer structure patterns the substrate such as a sapphire with a hemispherical micro-lens array (for example, hemispherically patterned sapphire substrate (HPSS)) or forms a hemispherical micro-lens array pattern on the substrate such as a sapphire with an oxide film (for example, SiO2), and then forms a nitride semiconductor and forms a hemispherical micro-lens array between the nitride semiconductor layers with the oxide film (for example, SiO2) over 1 time.

Abstract translation: 本发明涉及一种制造氮化物半导体外延结构的半导体器件的模板和衬底的方法，该方法通过防止在氮化物半导体层之间形成半球形微透镜图案的图案之间形成的缺陷来改善氮化物半导体层的结晶性 形成在诸如蓝宝石的衬底上，通过使用模板层结构通过成形被扩展到上侧来扩展到上侧。 模板层结构对具有半球形微透镜阵列（例如，半球形蓝宝石衬底（HPSS））的蓝宝石衬底进行图案化，或者在具有氧化膜的蓝宝石衬底上形成半球形微透镜阵列图案 （例如SiO 2），然后形成氮化物半导体，并且在氮化物半导体层之间与氧化膜（例如SiO 2）一次形成半球形微透镜阵列。

公开(公告)号：KR1020110082886A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：KR1020100002818

申请日：2010-01-12

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 남옥현 ,  박지숙 ,  민대홍 ,  정주철 ,  김진완

IPC: H01L33/06

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/0008 ,  H01L33/145 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2933/0058

Abstract: PURPOSE: A high efficient semiconductor optical device formed by an epitaxial structure and a manufacturing method thereof are provided to insert diffusion preventing layers into the upper/lower parts of each barrier layer of an MWQ(Multi-Quantum Well) structure, thereby increasing quantum efficiency. CONSTITUTION: An active layer(30) is formed on an N type nitride semiconductor layer(20). An electron blocking layer(40) is formed on the active layer. A P type nitride semiconductor layer(50) is formed on the electron blocking layer. The transparent conductive film(52) is formed on the P-type nitride semiconductor layer. The P-type contact metal electrode(54) is formed on the transparent conductive film.

Abstract translation: 目的：提供一种通过外延结构形成的高效半导体光学器件及其制造方法，以将扩散防止层插入MWQ（多量子阱）结构的每个势垒层的上/下部分，从而提高量子效率 。 构成：在N型氮化物半导体层（20）上形成有源层（30）。 在有源层上形成电子阻挡层（40）。 在电子阻挡层上形成P型氮化物半导体层（50）。 透明导电膜（52）形成在P型氮化物半导体层上。 P型接触金属电极（54）形成在透明导电膜上。

公开(公告)号：KR1020100129048A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：KR1020090047797

申请日：2009-05-29

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 남옥현 ,  박지숙 ,  민대홍 ,  정주철 ,  이상원

IPC: H01L33/20

Abstract: PURPOSE: A highly efficient light emission diode structure is provided to improve the light efficiency even in the low forward voltage by forming the structure of a contact metal electrode of P type and N type in finger type. CONSTITUTION: A n-type contact metal electrode(22) is electrically connected to a n-type nitride semiconductor layer(20). The n-type contact metal electrode is made of Ni, Au, or their alloy. A transparent conductive film(52) is formed on the p-type nitride semiconductor layer. A p-type contact metal electrode(54) is formed on the partial area of the transparent conductive film.

Abstract translation: 目的：提供高效率的发光二极管结构，通过形成手指型P型和N型接触金属电极的结构，即使在低正向电压下也能提高光效。 构成：n型接触金属电极（22）与n型氮化物半导体层（20）电连接。 n型接触金属电极由Ni，Au或它们的合金制成。 在p型氮化物半导体层上形成透明导电膜（52）。 p型接触金属电极（54）形成在透明导电膜的局部区域上。

公开(公告)号：KR101056422B1

公开(公告)日：2011-08-12

申请号：KR1020090047797

申请日：2009-05-29

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 남옥현 ,  박지숙 ,  민대홍 ,  정주철 ,  이상원

IPC: H01L33/20

Abstract: 본 발명은 낮은 순방향 전압에서도 광효율이 좋으며 전류를 분산시킬 수 있도록 p형 및 n형의 콘택 금속 전극의 구조를 핑거(finger) 타입으로 하여 최대한의 광 방출이 가능하면서 활성층에서 고른 온도 분포가 이루어지도록 한 발광 다이오드에 관한 것이다. 본 발명에 따른 n형 질화물 반도체층과 p형 질화물 반도체층 사이에 활성층을 갖는 사각 모양의 발광 다이오드는, 상기 n형 질화물 반도체층의 일부 가장자리에서 상기 n형 질화물 반도체층과 전기적으로 연결되는 n형 콘택 금속 전극을 형성하고, 상기 n형 질화물 반도체층의 상기 일부 가장자리를 제외한 상기 p형 질화물 반도체층 위에 투명 도전막을 형성한 후, 상기 투명 도전막 위의 일부 영역에 p형 콘택 금속 전극을 형성하며, 상기 n형 콘택 금속 전극은 상기 n형 질화물 반도체층의 장방향으로 일단에 위치한 제1 본딩 영역을 중심으로 좌우 대칭의 핑거 형태로 상기 n형 질화물 반도체층의 좌우 가장자리를 따라 일정 폭과 소정 길이로 연장되고, 상기 p형 콘택 금속 전극은 상기 제1 본딩 영역의 반대쪽에 상기 장방향으로 타단에 위치한 제2 본딩 영역의 안쪽 네크에서 단일 핑거 형태로 상기 제1 본딩 영역의 중심을 향하여 일정 폭과 소정 길이로 연장된 것을 특징으로 한다.
LED, p형 콘택 금속 전극 핑거, n형 콘택 금속 전극 핑거, EBL, MQW

Abstract translation: 本发明具有良好的光效率即使在低的正向电压，而在接触金属型电极的结构，以分配在当前的p型和n在手指（手指）的类型可以是尽可能的光发射，即使在活性层的温度分布发生 到发光二极管。 具有在n型氮化物半导体层的边缘的一部分的n型氮化物半导体层和根据本发明的半导体层之间的p型氮化物有源层，n型的正方形形状的发光二极管与所述n型氮化物半导体层和电连接 和形成接触金属电极，形成透明在n型氮化物半导体的导电膜后，其特征在于比层以外的p型氮化物半导体层的边缘的一部分，在形成透明导电膜，在上部的部分中的p型接触金属电极与 的n型接触金属电极具有沿着所述第一右侧一端与所述n型氮化物半导体层的左右两侧与在左右对称边的中心的形式手指，位于预定的宽度和在所述n型氮化物半导体层的纵向方向上具有预定长度的接合面积 并且p型接触金属电极从第一接合区域延伸到位于纵向另一端的第二接合区域， 在颈部的内部，以形成朝向所述第一结合区域的中心的单个手指，并在预定宽度的所述伸展和预定的长度。

公开(公告)号：KR101174331B1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：KR1020100002818

申请日：2010-01-12

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 남옥현 ,  박지숙 ,  민대홍 ,  정주철 ,  김진완

IPC: H01L33/06

Abstract: 본발명은활성층의다중양자우물(MQW: Multi-Quantum Well) 구조에 P형또는 N형의도펀트를선택적으로도핑한배리어층을갖는구조와각 배리어층의상하에도펀트의확산을방지하기위한확산방지층(DBL: Diffusion Blocking Layer)을삽입한구조를반도체광소자에적용하여양자효율을향상시킬수 있는반도체광소자및 그제조방법에관한것이다. 본발명의일면에따른반도체소자의제조방법은, N형화합물반도체층과 P형화합물반도체층 사이에활성층과전자차단층(EBL)을갖는광소자구조를형성하는반도체소자의제조방법으로서, 상기활성층은다중양자우물(MQW)층구조를포함하고, 상기 MQW층을형성하는과정은, 배리어층을형성하는제1과정, 상기배리어층상부에우물층을형성하는제2과정, 및상기우물층상부의배리어층을형성하는제3과정을포함하며, 상기우물층하부의배리어층또는상기우물층상부의배리어층이소정도펀트로도핑된것을특징으로한다.