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公开(公告)号:WO2017188578A1
公开(公告)日:2017-11-02
申请号:PCT/KR2017/001787
申请日:2017-02-17
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은, 자외선 발광소자용 투명전극 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 제1 산화물층; 상기 제1 산화물층 상에 형성된 금속층; 및 상기 금속층 상에 형성된 제2 산화물층; 을 포함하고, 상기 제1 산화물층 및 제2 산화물층 중 적어도 어느 하나는, FTO(fluorine doped tin oxide)를 포함하는, 자외선 발광소자용 투명전극 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은, 단파장 영역에 대한 높은 투과도를 갖는 자외선 발광소자용 투명 전극을 제공하고, 자외선 발광소자의 제조단가를 낮출 수 있다.
Abstract translation: 紫外发光器件用透明电极及其制造方法技术领域本发明涉及紫外发光器件用透明电极及其制造方法,特别涉及紫外发光器件用透明电极, 形成在第一氧化物层上的金属层; 并且在金属层上形成第二氧化物层; 并且,第一氧化物层和第二氧化物层中的至少一个包括氟掺杂氧化锡(FTO),以及用于制造紫外发光器件用透明电极的方法。 本发明可以提供一种用于在短波长区域具有高透射率的紫外发光器件的透明电极,并且可以降低紫外发光器件的制造成本。
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公开(公告)号:KR101807957B1
公开(公告)日:2017-12-11
申请号:KR1020160080911
申请日:2016-06-28
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본발명은, 산화물기반고 전도성유연투명전극및 이의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 기판; 및상기기판상에형성되고, 국부적으로나노결정닷이분포된 Zn-In-Sn-O 기반비정질산화물박막; 을포함하고, 상기나노결정닷 및 Zn-In-Sn-O 기반비정질산화물은, 각각, ZITO:Al, ZITO:Ga 또는이 둘을포함하는산화물기반고 전도성유연투명전극및 이의제조방법에관한것이다. 본발명은, 플렉서블또는웨어러블소자에적용가능한유연성과우수한전기적특성을갖는, 고전도성유연투명전극을제공할수 있다.
Abstract translation: 基于氧化物的高导电透明电极及其制造方法技术领域本发明涉及一种基于氧化物的高导电透明电极及其制造方法。更具体地,本发明涉及一种基底; 以及在衬底上形成并与纳米晶点局部分布的Zn-In-Sn-O基非晶氧化物薄膜; 并且其中所述纳米晶体和点Zn系的In-Sn-O的非晶氧化物与分别ZITO:涉及一种镓或基于氧化物的高导电柔性透明电极和包括所述两个方法:铝,ZITO 。 本发明可以提供具有柔韧性和适用于柔性或可佩戴元件的优异电性能的高导电性柔性透明电极。
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公开(公告)号:KR101924070B1
公开(公告)日:2018-11-30
申请号:KR1020160115595
申请日:2016-09-08
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본발명은, 란탄족물질도핑기반의고 전도성유연투명전극및 이의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 기판; 및상기기판상에형성되고, 국부적으로나노결정닷이분포된란탄족물질을도핑한비정질박막; 을포함하는, 란탄족물질도핑기반의고 전도성유연투명전극및 이의제조방법에관한것이다. 본발명은, 플렉서블또는웨어러블소자에적용가능한유연성과전기적특성을갖는, 고전도성유연투명전극을제공할수 있다.
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公开(公告)号:KR101773706B1
公开(公告)日:2017-08-31
申请号:KR1020160051334
申请日:2016-04-27
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/00 , H01L33/02 , H01L33/42 , H01L33/005 , H01L2924/12041 , H01L2933/0016
Abstract: 본발명은, 자외선발광소자용투명전극및 이의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 반도체층상에형성된제1 산화물층; 상기제1 산화물층상에형성된금속층; 및상기금속층상에형성된제2 산화물층; 을포함하고, 상기제1 산화물층및 제2 산화물층중 적어도어느하나는, FTO(fluorine doped tin oxide)를포함하는, 자외선발광소자용투명전극및 이의제조방법에관한것이다. 본발명은, 단파장영역에대한높은투과도를갖는자외선발광소자용투명전극을제공하고, 자외선발광소자의제조단가를낮출수 있다.
Abstract translation: 本发明,用于紫外线发光元件和透明电极及其作为涉及的制备方法,更具体地,形成在所述半导体层上的第一氧化物层; 形成在第一氧化物层上的金属层; 并且在金属层上形成第二氧化物层; 并且,第一氧化物层和第二氧化物层中的至少一个包括氟掺杂氧化锡(FTO),以及用于制造紫外发光器件用透明电极的方法。 产业上的可利用性根据本发明,能够提供对短波长区域的透过率高的紫外发光元件用透明电极,能够降低紫外发光元件的制造成本。
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