公开(公告)号：KR101924070B1

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：KR1020160115595

申请日：2016-09-08

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 김경국 ,  김동준 ,  연규재 ,  정소애 ,  최현준

IPC: H01B5/14 ,  B32B37/15 ,  B32B15/09 ,  B32B15/082 ,  B32B9/00 ,  B32B17/06 ,  B32B9/04

Abstract: 본발명은, 란탄족물질도핑기반의고 전도성유연투명전극및 이의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 기판; 및상기기판상에형성되고, 국부적으로나노결정닷이분포된란탄족물질을도핑한비정질박막; 을포함하는, 란탄족물질도핑기반의고 전도성유연투명전극및 이의제조방법에관한것이다. 본발명은, 플렉서블또는웨어러블소자에적용가능한유연성과전기적특성을갖는, 고전도성유연투명전극을제공할수 있다.

公开(公告)号：KR102101072B1

公开(公告)日：2020-04-16

申请号：KR1020180020995

申请日：2018-02-22

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 김경국 ,  강수현 ,  조하나 ,  김동준 ,  연규재 ,  정소애 ,  강남우 ,  최희정

IPC: G01N27/04 ,  G01N27/30

公开(公告)号：KR101945624B1

公开(公告)日：2019-02-07

申请号：KR1020170085347

申请日：2017-07-05

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 김경국 ,  연규재 ,  정종열 ,  정소애 ,  강남우 ,  강수현 ,  권준성 ,  박경호

IPC: H01L33/42 ,  H01L33/02

公开(公告)号：KR102068476B1

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：KR1020180019261

申请日：2018-02-19

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 김경국 ,  추은경 ,  김시원 ,  최희정 ,  정소애 ,  강수현

IPC: B60H3/00 ,  A61L9/20 ,  F28F19/06 ,  G02B3/02 ,  F21S2/00 ,  F21V33/00 ,  F21Y115/10

公开(公告)号：KR101807957B1

公开(公告)日：2017-12-11

申请号：KR1020160080911

申请日：2016-06-28

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 김경국 ,  김동준 ,  연규재 ,  정소애 ,  최현준

IPC: H01B5/14 ,  H01B1/02 ,  H01B3/30 ,  H01B3/42 ,  H01B3/44 ,  C03C17/23 ,  B82B3/00

Abstract: 본발명은, 산화물기반고 전도성유연투명전극및 이의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 기판; 및상기기판상에형성되고, 국부적으로나노결정닷이분포된 Zn-In-Sn-O 기반비정질산화물박막; 을포함하고, 상기나노결정닷 및 Zn-In-Sn-O 기반비정질산화물은, 각각, ZITO:Al, ZITO:Ga 또는이 둘을포함하는산화물기반고 전도성유연투명전극및 이의제조방법에관한것이다. 본발명은, 플렉서블또는웨어러블소자에적용가능한유연성과우수한전기적특성을갖는, 고전도성유연투명전극을제공할수 있다.

Abstract translation: 基于氧化物的高导电透明电极及其制造方法技术领域本发明涉及一种基于氧化物的高导电透明电极及其制造方法。更具体地，本发明涉及一种基底; 以及在衬底上形成并与纳米晶点局部分布的Zn-In-Sn-O基非晶氧化物薄膜; 并且其中所述纳米晶体和点Zn系的In-Sn-O的非晶氧化物与分别ZITO：涉及一种镓或基于氧化物的高导电柔性透明电极和包括所述两个方法：铝，ZITO 。 本发明可以提供具有柔韧性和适用于柔性或可佩戴元件的优异电性能的高导电性柔性透明电极。