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公开(公告)号：KR1020150046422A
公开(公告)日：2015-04-30
申请号：KR1020130125243
申请日：2013-10-21
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
CPC classification number: H01L51/5237 , H01L51/0097 , H05B33/04 , H05B33/22
Abstract: 본발명은플렉시블 OLED에관한것으로서, 박막기판과양전극, 정공층, 발광층, 전자층및 음전극을구비하는플렉서블 OLED에있어서, 상기박막기판의상기양전극에대향하는측에서상기박막기판에증착되는산화물막과, 상기산화물막의상부에형성되는광학패턴층과, 상기광학패턴층의상부에형성되며상기광학패턴층을보호하는무기물박막층을포함하는다기능성봉지막을구비하며, 상기광학패턴층과상기제 2 광학패턴층에형성되는패턴은프리즘형상의패턴, 피라미드형상의패턴, 렌즈형상의패턴, 또는피라미드형상의패턴을중심으로상기피라미드형상의패턴을복수의프리즘형상의패턴이둘러싸는폐쇄형피라미드패턴인것을특징으로하며, OLED의박막기판에수화특성이좋은산화물막을형성함으로써수분투과에의해소자의수명이감소하는현상을방지할수 있고, 수분투과를방지함과동시에광학특성을향상시킬수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种柔性OLED，其包括薄膜基板，正极，空穴层，发光层，电子层和负极。 柔性OLED包括：多功能封装层，其包括沉积在薄膜基板的面对正极的一侧的薄膜基板上的氧化物层，形成在氧化物层的上侧的光学图案层 以及形成在光学图案层上并保护光学图案层的无机薄膜层。 形成在第二光学图案层和光学图案层上的图案是通过围绕金字塔图案的多个棱镜图案围绕金字塔图案的棱镜图案，金字塔图案，透镜图案或闭合金字塔图案。 通过在OLED的薄膜基板上形成具有高水合性能的氧化物层来防止由于水分渗透而导致的器件寿命的降低。 防止湿气渗透，同时改善光学特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101481464B1
公开(公告)日：2015-01-15
申请号：KR1020130061049
申请日：2013-05-29
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 금속 패턴 형성 방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 반도체의 포토 리소그래피(photo lithography) 공정에 있어 금속 막의 식각을 위한 에칭(etching) 공정 및 포토 레지스트(Photo Resist: PR) 제거 공정을 생략한 금속 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에 따르면, 반도체의 포토 리소그래피(photo lithography) 공정에 있어 에칭(etching) 공정 및 포토 레지스트(Photo Resist: PR) 제거 공정을 생략함으로써, 에칭 공정에 수반되는 환경 유해 물질의 배출을 억제하여 친환경적 금속 패턴 형성 공정을 구현할 수 있고 나아가 공정 절차의 단순화를 통해 대량 생산에 유리할 수 있다. 또한, 상기 포토 레지스트 패턴 구조물을 별도로 제거하지 않고 위 포토 레지스트 패턴 구조물을 금속 패턴의 절연 재료로 활용함으로써 간편한 방식으로 금속간 절연효과가 우수한 패턴을 형성할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020150138943A
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：KR1020140065966
申请日：2014-05-30
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: G02B5/02
CPC classification number: G02B5/021 , G02B1/04 , G02B5/0242 , G02B5/0278 , G02B6/003 , G02F1/133504 , G02F1/133526
Abstract: 본발명은백라이트(Back Light Unit: BLU)용광학시트에관한것으로, 구체적으로광학특성향상을위한광학시트의구조및 광학시트의제작방법에관한것이다. 발수코팅된파우더를이용하여형성되는포토레지스트패턴층; 상기포토레지스트패턴층의상부에형성되는평탄화층; 및상기평탄화층의상부에형성되는마이크로-렌즈형태의패턴층을포함하는본 발명의일 실시예에따른광학시트가개시된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于背光单元（BLU）的光学片。 特别地，本发明涉及一种用于改善光学特性的光学片结构及其制造方法。 根据本发明实施例的光学片包括通过使用防水涂层粉末形成的光致抗蚀剂图案层; 形成在光致抗蚀剂图案层的上部的平坦化层; 以及形成在平坦化层的上部的微透镜型图案层。
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公开(公告)号：KR1020150111531A
公开(公告)日：2015-10-06
申请号：KR1020140034804
申请日：2014-03-25
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본발명은금속패턴형성방법에관한것으로서, 구체적으로는반도체의포토리소그래피(photo lithography) 공정에있어금속막의식각을위한에칭(etching) 공정을생략한간소화된금속패턴형성방법에관한것이다. 본발명의실시예에따르면, 반도체의포토리소그래피(photo lithography) 공정에있어에칭(etching) 공정을생략함으로써, 에칭공정에수반되는환경유해물질의배출을억제하여친환경적금속패턴형성공정을구현할수 있고나아가공정절차의단순화를통해대량생산에유리할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于形成金属图案的方法，具体地说，涉及通过省略用于蚀刻半导体的光刻工艺的金属膜的蚀刻工艺而简化的金属图案的形成方法。 根据本发明的一个实施方案，该方法能够通过抑制在腐蚀过程中伴随着对环境有害的物质的排出，并且通过简单的生产大量地进行形成金属图案的环保工艺 通过省略关于半导体的光刻工艺的蚀刻工艺。
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公开(公告)号：KR101524365B1
公开(公告)日：2015-06-05
申请号：KR1020130125243
申请日：2013-10-21
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본발명은다기능성봉지막을갖는플렉서블 OLED에관한것으로서, 박막기판과양전극, 정공층, 발광층, 전자층및 음전극을구비하는플렉서블 OLED와, 박막기판의양전극에대향하는측에서박막기판에증착되는산화물막과, 산화물막의상부에형성되는광학패턴층과, 광학패턴층의상부에형성되며광학패턴층을보호하는무기물박막층을포함하고, 산화물막은 MgO와 LaO가혼합된혼합박막또는 MgO층과 LaO층이교대로적층된다층박막이고, 혼합박막또는다층박막은전자빔증착법, 듀얼전자빔증착법, 화학기상증착법, 물리기상증착법중 어느하나에의해증착되는것을특징으로하며, OLED의박막기판에수화특성이좋은산화물막을형성함으로써수분투과에의해소자의수명이감소하는현상을방지할수 있고, 수분투과를방지함과동시에광학특성을향상시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR1020140140675A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：KR1020130061049
申请日：2013-05-29
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0273 , G03F1/80 , H01L21/02104
Abstract: 본 발명은 금속 패턴 형성 방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 반도체의 포토 리소그래피(photo lithography) 공정에 있어 금속 막의 식각을 위한 에칭(etching) 공정 및 포토 레지스트(Photo Resist: PR) 제거 공정을 생략한 금속 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에 따르면, 반도체의 포토 리소그래피(photo lithography) 공정에 있어 에칭(etching) 공정 및 포토 레지스트(Photo Resist: PR) 제거 공정을 생략함으로써, 에칭 공정에 수반되는 환경 유해 물질의 배출을 억제하여 친환경적 금속 패턴 형성 공정을 구현할 수 있고 나아가 공정 절차의 단순화를 통해 대량 생산에 유리할 수 있다. 또한, 상기 포토 레지스트 패턴 구조물을 별도로 제거하지 않고 위 포토 레지스트 패턴 구조물을 금속 패턴의 절연 재료로 활용함으로써 간편한 방식으로 금속간 절연효과가 우수한 패턴을 형성할 수 있다.Abstract translation: 本发明涉及一种形成金属图案的方法，更具体地，涉及一种形成金属图案的方法，其中用于蚀刻金属层的蚀刻工艺和光致抗蚀剂（PR）去除工艺的蚀刻工艺， 省略了半导体的光刻工艺。 根据本发明的一个实施例，通过省略用于蚀刻金属层的蚀刻工艺和半导体的光刻工艺中的光刻胶（PR）去除工艺，排出伴随腐蚀工艺的环境有害材料 被抑制，因此可以实现环保金属成形工艺，并且可以通过简化工艺程序在批量生产中有利。 此外，通过利用光刻胶图案结构作为金属图案的绝缘材料，而不需要单独去除光致抗蚀剂图案结构，可以通过方便的方案形成具有优异金属之间绝缘性能的图案。
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