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公开(公告)号：KR101919360B1
公开(公告)日：2018-11-19
申请号：KR1020160028411
申请日：2016-03-09
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L29/06 , H01L33/22 , H01L33/12 , H01L31/0392 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은질화물반도체나노막대발광장치및 그제조방법에관한것이다. 또한, 본발명에따르면, 기판; 상기기판에형성된지지층; 상기지지층에형성된버퍼층; 상기버퍼층에형성된나노막대층; 및상기나도막대층에형성된발광층을포함하는질화물반도체나노막대발광장치및 그제조방법을제공하여사파이어기판전체에나노막대가제작될수 있어소자제작이용이하여종래기술에서제기된국소부위에만나노구조가제작되어소자로제작하기에어려운문제점을해결하였다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170105323A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：KR1020160028407
申请日：2016-03-09
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L29/06 , H01L33/22 , H01L33/12 , H01L31/0392 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은질화물반도체나노막대장치및 그제조방법에관한것이다. 또한, 본발명에따르면, 기판; 상기기판에형성된지지층; 상기지지층에형성된버퍼층; 및상기버퍼층에형성된나노막대층을포함하는질화물반도체나노막대장치및 그제조방법을제공하여사파이어기판전체에나노막대가제작될수 있어소자제작이용이하여종래기술에서제기된국소부위에만나노구조가제작되어소자로제작하기에어려운문제점을해결하였다.
Abstract translation: 本发明涉及一种氮化物半导体纳米棒和制造器件的方法。 此外，根据本发明， 形成在基板上的支撑层; 形成在支撑层上的缓冲层; 和小区域仅使在氮化物半导体纳米棒的装置和用于制造它的纳米棒在整个通过使用常规技术，包括形成在缓冲层上的纳米棒层产生的装置在蓝宝石基板制作提供一种方法，所提出的纳米结构化 由此解决作为设备难以制造的问题。
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公开(公告)号：KR1020170105326A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：KR1020160028411
申请日：2016-03-09
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L29/06 , H01L33/22 , H01L33/12 , H01L31/0392 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은질화물반도체나노막대발광장치및 그제조방법에관한것이다. 또한, 본발명에따르면, 기판; 상기기판에형성된지지층; 상기지지층에형성된버퍼층; 상기버퍼층에형성된나노막대층; 및상기나도막대층에형성된발광층을포함하는질화물반도체나노막대발광장치및 그제조방법을제공하여사파이어기판전체에나노막대가제작될수 있어소자제작이용이하여종래기술에서제기된국소부위에만나노구조가제작되어소자로제작하기에어려운문제점을해결하였다.
Abstract translation: 本发明涉及一种氮化物半导体纳米棒发光器件及其制造方法。 此外，根据本发明， 形成在基板上的支撑层; 形成在支撑层上的缓冲层; 形成在缓冲层上的纳米棒层; 和所述我提供一种氮化物半导体纳米棒发光器件及其制造方法，包括形成它的纳米棒在整个蓝宝石衬底通过使用小区域在现有技术中只有纳米结构升高产生的装置产生的棒层上的发光层 并且很难将其制作成设备。
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公开(公告)号：KR101919353B1
公开(公告)日：2018-11-19
申请号：KR1020160028407
申请日：2016-03-09
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L29/06 , H01L33/22 , H01L33/12 , H01L31/0392 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은질화물반도체나노막대장치및 그제조방법에관한것이다. 또한, 본발명에따르면, 기판; 상기기판에형성된지지층; 상기지지층에형성된버퍼층; 및상기버퍼층에형성된나노막대층을포함하는질화물반도체나노막대장치및 그제조방법을제공하여사파이어기판전체에나노막대가제작될수 있어소자제작이용이하여종래기술에서제기된국소부위에만나노구조가제작되어소자로제작하기에어려운문제점을해결하였다.
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公开(公告)号：KR101674931B1
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：KR1020150022049
申请日：2015-02-13
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: DUV LED에있어서, 기판으로부터순차적으로적층된 N형화합물반도체층, 활성층, P형화합물반도체층을가진 DUV LED에있어서, 활성층은세 개의양자우물층및 N형화합물반도체층으로부터세 개의양자우물층을감싸는제1 배리어층, 제2 배리어층, 제3 배리어층및 제4 배리어층을포함하며, 제1 배리어층은샌드위치구조로형성되며그 중앙에조성비를달리하는제1-A 배리어층을, 제2 배리어층은샌드위치구조로형성되며그 중앙에조성비를달리하는제2-A 배리어층을, 제3 배리어층은샌드위치구조로형성되며그 중앙에조성비를달리하는제3-A 배리어층을각 포함하되, 제1-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN, 제2-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN, 제3-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN 이며, (여기서, 0
Abstract translation: 本发明提供一种使用逐渐阈值屏障的高效率深紫外（DUV）发光二极管（LED），能够提供无电子阻挡层（EBL）的优异的电子阻挡效应。 根据本发明的一个实施例，在从衬底顺序堆叠的N型化合物半导体层，有源层和P型化合物半导体层的高效率DUV LED中，有源层包括三个量子阱层， 以及从N型化合物半导体层围绕三个量子阱层的第一至第四势垒层。 第一阻挡层形成为夹层结构，并且在中心部分具有不同组成比的（1-A）第二阻挡层。 第二阻挡层形成为夹层结构，并且在中心部分具有不同组成比的（2-A）第二阻挡层。 第三阻挡层形成为夹层结构，并且在中心部分具有不同组成比的（3-A）第二阻挡层。 （1-A）第一阻挡层的化合物比为Al_（x）Ga（1-x）N。 （2-A）第一阻挡层的化合物比为Al_（xa）Ga（1-x + a）N，并且（3-A）第三势垒层的化合物比为Al_（x-2a ）Ga（1-x + 2a）N（其中0
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公开(公告)号：KR1020160100425A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：KR1020150022049
申请日：2015-02-13
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0008 , H01L2924/12041
Abstract: DUV LED에있어서, 기판으로부터순차적으로적층된 N형화합물반도체층, 활성층, P형화합물반도체층을가진 DUV LED에있어서, 활성층은세 개의양자우물층및 N형화합물반도체층으로부터세 개의양자우물층을감싸는제1 배리어층, 제2 배리어층, 제3 배리어층및 제4 배리어층을포함하며, 제1 배리어층은샌드위치구조로형성되며그 중앙에조성비를달리하는제1-A 배리어층을, 제2 배리어층은샌드위치구조로형성되며그 중앙에조성비를달리하는제2-A 배리어층을, 제3 배리어층은샌드위치구조로형성되며그 중앙에조성비를달리하는제3-A 배리어층을각 포함하되, 제1-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN, 제2-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN, 제3-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN 이며, (여기서, 0
Abstract translation: 本发明提供一种使用逐渐阈值屏障的高效率深紫外（DUV）发光二极管（LED），能够提供无电子阻挡层（EBL）的优异的电子阻挡效应。 根据本发明的一个实施例，在从衬底顺序堆叠的N型化合物半导体层，有源层和P型化合物半导体层的高效率DUV LED中，有源层包括三个量子阱层， 以及从N型化合物半导体层围绕三个量子阱层的第一至第四势垒层。 第一阻挡层形成为夹层结构，并且在中心部分具有不同组成比的（1-A）第二阻挡层。 第二阻挡层形成为夹层结构，并且在中心部分具有不同组成比的（2-A）第二阻挡层。 第三阻挡层形成为夹层结构，并且在中心部分具有不同组成比的（3-A）第二阻挡层。 （1-A）第一阻挡层的化合物比为Al_（x）Ga（1-x）N。 （2-A）第一阻挡层的化合物比为Al_（xa）Ga（1-x + a）N，并且（3-A）第三势垒层的化合物比为Al_（x-2a ）Ga（1-x + 2a）N（其中0
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