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公开(公告)号：KR101715839B1
公开(公告)日：2017-03-14
申请号：KR1020150022050
申请日：2015-02-13
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L33/06
Abstract: DUV LED에있어서, 기판으로부터순차적으로적층된 N형화합물반도체층, 활성층, EBL(Electron Blocking Layer), P형화합물반도체층을가진 DUV LED에있어서, 활성층은세 개의양자우물층및 N형화합물반도체층으로부터세 개의양자우물층을감싸는제1 배리어층, 제2 배리어층, 제3 배리어층및 제4 배리어층을포함하며, 제2 배리어층은샌드위치구조로형성되며, 그중앙에조성비를달리하는제2-A 배리어층을, 제3 배리어층은샌드위치구조로형성되며, 그중앙에조성비를달리하는제3-A 배리어층을, 제4 배리어층은샌드위치구조로형성되며, 그중앙에조성비를달리하는제4-A 배리어층을각 포함하되, 제2-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN, 제3-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN, 제4-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN 이며, (여기서, 0
Abstract translation: 本发明涉及一种使用逐渐陷阱屏障的高效深紫外发光二极管（DUV LED）。 DUV LED包括：半导体层; 活性层 电子阻挡层（EBL）; 和p型化合物半导体层。 有源层包括：三个量子阱层; 以及从N型化合物半导体层包围三个量子阱层的第一阻挡层，第二阻挡层，第三势垒层和第四势垒层。 第二阻挡层形成为夹层结构，并且在其中心具有不同组成比的（2-A）第二阻挡层。 第三阻挡层形成为夹层结构，并且在其中心具有不同组成比的（3-A）第二阻挡层。 （4-A）第一阻挡层形成为夹层结构，并且在其中心具有不同的组成比。
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公开(公告)号：KR1020160100426A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：KR1020150022050
申请日：2015-02-13
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L33/06 , H01L2924/12041
Abstract: DUV LED에있어서, 기판으로부터순차적으로적층된 N형화합물반도체층, 활성층, EBL(Electron Blocking Layer), P형화합물반도체층을가진 DUV LED에있어서, 활성층은세 개의양자우물층및 N형화합물반도체층으로부터세 개의양자우물층을감싸는제1 배리어층, 제2 배리어층, 제3 배리어층및 제4 배리어층을포함하며, 제2 배리어층은샌드위치구조로형성되며, 그중앙에조성비를달리하는제2-A 배리어층을, 제3 배리어층은샌드위치구조로형성되며, 그중앙에조성비를달리하는제3-A 배리어층을, 제4 배리어층은샌드위치구조로형성되며, 그중앙에조성비를달리하는제4-A 배리어층을각 포함하되, 제2-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN, 제3-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN, 제4-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN 이며, (여기서, 0
Abstract translation: 本发明涉及一种使用逐渐陷阱屏障的高效深紫外发光二极管（DUV LED）。 DUV LED包括：半导体层; 活性层 电子阻挡层（EBL）; 和p型化合物半导体层。 有源层包括：三个量子阱层; 以及从N型化合物半导体层包围三个量子阱层的第一阻挡层，第二阻挡层，第三势垒层和第四势垒层。 第二阻挡层形成为夹层结构，并且在其中心具有不同组成比的（2-A）第二阻挡层。 第三阻挡层形成为夹层结构，并且在其中心具有不同组成比的（3-A）第二阻挡层。 （4-A）第一阻挡层形成为夹层结构，并且在其中心具有不同的组成比。
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公开(公告)号：KR101674931B1
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：KR1020150022049
申请日：2015-02-13
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: DUV LED에있어서, 기판으로부터순차적으로적층된 N형화합물반도체층, 활성층, P형화합물반도체층을가진 DUV LED에있어서, 활성층은세 개의양자우물층및 N형화합물반도체층으로부터세 개의양자우물층을감싸는제1 배리어층, 제2 배리어층, 제3 배리어층및 제4 배리어층을포함하며, 제1 배리어층은샌드위치구조로형성되며그 중앙에조성비를달리하는제1-A 배리어층을, 제2 배리어층은샌드위치구조로형성되며그 중앙에조성비를달리하는제2-A 배리어층을, 제3 배리어층은샌드위치구조로형성되며그 중앙에조성비를달리하는제3-A 배리어층을각 포함하되, 제1-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN, 제2-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN, 제3-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN 이며, (여기서, 0
Abstract translation: 本发明提供一种使用逐渐阈值屏障的高效率深紫外（DUV）发光二极管（LED），能够提供无电子阻挡层（EBL）的优异的电子阻挡效应。 根据本发明的一个实施例，在从衬底顺序堆叠的N型化合物半导体层，有源层和P型化合物半导体层的高效率DUV LED中，有源层包括三个量子阱层， 以及从N型化合物半导体层围绕三个量子阱层的第一至第四势垒层。 第一阻挡层形成为夹层结构，并且在中心部分具有不同组成比的（1-A）第二阻挡层。 第二阻挡层形成为夹层结构，并且在中心部分具有不同组成比的（2-A）第二阻挡层。 第三阻挡层形成为夹层结构，并且在中心部分具有不同组成比的（3-A）第二阻挡层。 （1-A）第一阻挡层的化合物比为Al_（x）Ga（1-x）N。 （2-A）第一阻挡层的化合物比为Al_（xa）Ga（1-x + a）N，并且（3-A）第三势垒层的化合物比为Al_（x-2a ）Ga（1-x + 2a）N（其中0
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公开(公告)号：KR1020160100425A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：KR1020150022049
申请日：2015-02-13
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0008 , H01L2924/12041
Abstract: DUV LED에있어서, 기판으로부터순차적으로적층된 N형화합물반도체층, 활성층, P형화합물반도체층을가진 DUV LED에있어서, 활성층은세 개의양자우물층및 N형화합물반도체층으로부터세 개의양자우물층을감싸는제1 배리어층, 제2 배리어층, 제3 배리어층및 제4 배리어층을포함하며, 제1 배리어층은샌드위치구조로형성되며그 중앙에조성비를달리하는제1-A 배리어층을, 제2 배리어층은샌드위치구조로형성되며그 중앙에조성비를달리하는제2-A 배리어층을, 제3 배리어층은샌드위치구조로형성되며그 중앙에조성비를달리하는제3-A 배리어층을각 포함하되, 제1-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN, 제2-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN, 제3-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN 이며, (여기서, 0
Abstract translation: 本发明提供一种使用逐渐阈值屏障的高效率深紫外（DUV）发光二极管（LED），能够提供无电子阻挡层（EBL）的优异的电子阻挡效应。 根据本发明的一个实施例，在从衬底顺序堆叠的N型化合物半导体层，有源层和P型化合物半导体层的高效率DUV LED中，有源层包括三个量子阱层， 以及从N型化合物半导体层围绕三个量子阱层的第一至第四势垒层。 第一阻挡层形成为夹层结构，并且在中心部分具有不同组成比的（1-A）第二阻挡层。 第二阻挡层形成为夹层结构，并且在中心部分具有不同组成比的（2-A）第二阻挡层。 第三阻挡层形成为夹层结构，并且在中心部分具有不同组成比的（3-A）第二阻挡层。 （1-A）第一阻挡层的化合物比为Al_（x）Ga（1-x）N。 （2-A）第一阻挡层的化合物比为Al_（xa）Ga（1-x + a）N，并且（3-A）第三势垒层的化合物比为Al_（x-2a ）Ga（1-x + 2a）N（其中0
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