-
公开(公告)号：KR1020140089987A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：KR1020130002150
申请日：2013-01-08
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단 , 김진완 , 이경재 , 엄대용 , 전민환
IPC: H01L21/301
CPC classification number: H01L21/67092 , H01L21/68 , H01L21/68757
Abstract: The present invention relates to a wafer cutting device. The present invention comprises a loading stage including a body part with a wafer mounting part in which a wafer is mounted and a first position setting part formed on the body part; a handling cap including a coupling part with a second position setting part setting a position by being coupled to the first position setting part and a guide body part connected to the coupling part and has the penetrated inside; and a cutter moving along the guide body part and cutting the wafer put on the wafer seating part of the loading stage. The present invention has a simple configuration, cheap production costs, and a small size so as to require less installation space. Further, according to the present invention, the wafer can be precisely cut in a predetermined size and be easily cut.
Abstract translation: 晶片切割装置技术领域本发明涉及一种晶片切割装置。 本发明包括装载台，其包括：主体部，其具有安装有晶片的晶片安装部;形成在主体部上的第一位置设定部; 操作帽，其具有与第二位置设定部的联接部，所述第二位置设定部通过联接到所述第一位置设定部而设置位置;以及引导体部，连接到所述联接部，并且具有被穿透的内部; 以及沿着引导体部分移动的切割器，并且切割放置在装载台的晶片座部分上的晶片。 本发明具有简单的结构，廉价的生产成本和小尺寸，从而需要较少的安装空间。 此外，根据本发明，可以将晶片精确地切割成预定尺寸并且易于切割。
-
公开(公告)号：KR1020140121637A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：KR1020130038113
申请日：2013-04-08
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/0008 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L2924/12041 , H01L2933/0058
Abstract: 본 발명은 금속 전극과 접촉되는 p-GaN층 없이 그 대신에 밴드 갭 에너지가 큰 AlGaN 등 Al
x In
y Ga
1
-xy N(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0Abstract translation: 本发明涉及一种紫外光发射二极管的外延结构，其能够通过增加透光量而不吸收与金属电极接触的层中的紫外线来提高光提取效率，方法是用金属电极 Al x In y Ga 1-x-y N层（0 <= x <=1,0,0≤y≤1,0<= x + y <= 1）像具有大带隙能量的AlGaN代替p-GaN层 与金属电极接触。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101674931B1
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：KR1020150022049
申请日：2015-02-13
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: DUV LED에있어서, 기판으로부터순차적으로적층된 N형화합물반도체층, 활성층, P형화합물반도체층을가진 DUV LED에있어서, 활성층은세 개의양자우물층및 N형화합물반도체층으로부터세 개의양자우물층을감싸는제1 배리어층, 제2 배리어층, 제3 배리어층및 제4 배리어층을포함하며, 제1 배리어층은샌드위치구조로형성되며그 중앙에조성비를달리하는제1-A 배리어층을, 제2 배리어층은샌드위치구조로형성되며그 중앙에조성비를달리하는제2-A 배리어층을, 제3 배리어층은샌드위치구조로형성되며그 중앙에조성비를달리하는제3-A 배리어층을각 포함하되, 제1-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN, 제2-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN, 제3-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN 이며, (여기서, 0
Abstract translation: 本发明提供一种使用逐渐阈值屏障的高效率深紫外（DUV）发光二极管（LED），能够提供无电子阻挡层（EBL）的优异的电子阻挡效应。 根据本发明的一个实施例，在从衬底顺序堆叠的N型化合物半导体层，有源层和P型化合物半导体层的高效率DUV LED中，有源层包括三个量子阱层， 以及从N型化合物半导体层围绕三个量子阱层的第一至第四势垒层。 第一阻挡层形成为夹层结构，并且在中心部分具有不同组成比的（1-A）第二阻挡层。 第二阻挡层形成为夹层结构，并且在中心部分具有不同组成比的（2-A）第二阻挡层。 第三阻挡层形成为夹层结构，并且在中心部分具有不同组成比的（3-A）第二阻挡层。 （1-A）第一阻挡层的化合物比为Al_（x）Ga（1-x）N。 （2-A）第一阻挡层的化合物比为Al_（xa）Ga（1-x + a）N，并且（3-A）第三势垒层的化合物比为Al_（x-2a ）Ga（1-x + 2a）N（其中0
-
公开(公告)号：KR1020160100425A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：KR1020150022049
申请日：2015-02-13
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0008 , H01L2924/12041
Abstract: DUV LED에있어서, 기판으로부터순차적으로적층된 N형화합물반도체층, 활성층, P형화합물반도체층을가진 DUV LED에있어서, 활성층은세 개의양자우물층및 N형화합물반도체층으로부터세 개의양자우물층을감싸는제1 배리어층, 제2 배리어층, 제3 배리어층및 제4 배리어층을포함하며, 제1 배리어층은샌드위치구조로형성되며그 중앙에조성비를달리하는제1-A 배리어층을, 제2 배리어층은샌드위치구조로형성되며그 중앙에조성비를달리하는제2-A 배리어층을, 제3 배리어층은샌드위치구조로형성되며그 중앙에조성비를달리하는제3-A 배리어층을각 포함하되, 제1-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN, 제2-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN, 제3-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN 이며, (여기서, 0
Abstract translation: 本发明提供一种使用逐渐阈值屏障的高效率深紫外（DUV）发光二极管（LED），能够提供无电子阻挡层（EBL）的优异的电子阻挡效应。 根据本发明的一个实施例，在从衬底顺序堆叠的N型化合物半导体层，有源层和P型化合物半导体层的高效率DUV LED中，有源层包括三个量子阱层， 以及从N型化合物半导体层围绕三个量子阱层的第一至第四势垒层。 第一阻挡层形成为夹层结构，并且在中心部分具有不同组成比的（1-A）第二阻挡层。 第二阻挡层形成为夹层结构，并且在中心部分具有不同组成比的（2-A）第二阻挡层。 第三阻挡层形成为夹层结构，并且在中心部分具有不同组成比的（3-A）第二阻挡层。 （1-A）第一阻挡层的化合物比为Al_（x）Ga（1-x）N。 （2-A）第一阻挡层的化合物比为Al_（xa）Ga（1-x + a）N，并且（3-A）第三势垒层的化合物比为Al_（x-2a ）Ga（1-x + 2a）N（其中0
-
公开(公告)号：KR101512958B1
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：KR1020130094636
申请日：2013-08-09
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 사파이어 기판 위에 템플레이트층을 형성함에 있어서 별도의 마스크나 복잡한 공정 없이 시간과 비용을 단축시키기 위하여 간단한 질화처리 또는 Al 처리와 식각을 통하여 나노구조 질화물 반도체층을 형성하여, 이러한 템플레이트층 위에 제조되는 반도체 소자(예, 발광 다이오드(LED), 레이저 다이오드(LD), 태양 전지 등)가 저 결함의 질화물 반도체 기반으로 제작되어 광추출 효율이 향상될 수 있는, 고품질 반도체 소자용 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明形成通过简单的氮化或Al工艺和蚀刻单独的掩模或具有纳米结构的氮化物半导体层，以减少时间和成本而没有任何复杂的工艺中形成在蓝宝石基板上的模板层，该模板层上制造 其中衬底用于高品质的半导体器件，其（例如，发光二极管（LED），激光二极管（LD），太阳能电池等）是由基于半导体氮化物低缺陷的半导体器件制造方法可提高提取效率 它涉及。
-
公开(公告)号：KR1020150018118A
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：KR1020130094636
申请日：2013-08-09
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 사파이어 기판 위에 템플레이트층을 형성함에 있어서 별도의 마스크나 복잡한 공정 없이 시간과 비용을 단축시키기 위하여 간단한 질화처리 또는 Al 처리와 식각을 통하여 나노구조 질화물 반도체층을 형성하여, 이러한 템플레이트층 위에 제조되는 반도체 소자(예, 발광 다이오드(LED), 레이저 다이오드(LD), 태양 전지 등)가 저 결함의 질화물 반도체 기반으로 제작되어 광추출 효율이 향상될 수 있는, 고품질 반도체 소자용 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及制造用于高质量半导体器件的衬底的方法，其能够通过在模板层（例如发光二极管（LED），激光二极管（LED）等）上制造半导体器件来提高光提取的效率 LD）和太阳能电池），通过简单的硝化处理或AI处理和蚀刻形成纳米结构氮化物半导体层，以便在没有复杂工艺或成形的额外掩模的情况下降低成本和时间，基于具有低故障的氮化物半导体 蓝宝石衬底上的模板层。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.019 seconds)
