公开(公告)号：KR101715839B1

公开(公告)日：2017-03-14

申请号：KR1020150022050

申请日：2015-02-13

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 신은영 ,  이경재 ,  허천 ,  고광세 ,  남옥현

IPC: H01L33/06

Abstract: DUV LED에있어서, 기판으로부터순차적으로적층된 N형화합물반도체층, 활성층, EBL(Electron Blocking Layer), P형화합물반도체층을가진 DUV LED에있어서, 활성층은세 개의양자우물층및 N형화합물반도체층으로부터세 개의양자우물층을감싸는제1 배리어층, 제2 배리어층, 제3 배리어층및 제4 배리어층을포함하며, 제2 배리어층은샌드위치구조로형성되며, 그중앙에조성비를달리하는제2-A 배리어층을, 제3 배리어층은샌드위치구조로형성되며, 그중앙에조성비를달리하는제3-A 배리어층을, 제4 배리어층은샌드위치구조로형성되며, 그중앙에조성비를달리하는제4-A 배리어층을각 포함하되, 제2-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN, 제3-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN, 제4-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN 이며, (여기서, 0

Abstract translation: 本发明涉及一种使用逐渐陷阱屏障的高效深紫外发光二极管（DUV LED）。 DUV LED包括：半导体层; 活性层 电子阻挡层（EBL）; 和p型化合物半导体层。 有源层包括：三个量子阱层; 以及从N型化合物半导体层包围三个量子阱层的第一阻挡层，第二阻挡层，第三势垒层和第四势垒层。 第二阻挡层形成为夹层结构，并且在其中心具有不同组成比的（2-A）第二阻挡层。 第三阻挡层形成为夹层结构，并且在其中心具有不同组成比的（3-A）第二阻挡层。 （4-A）第一阻挡层形成为夹层结构，并且在其中心具有不同的组成比。

公开(公告)号：KR1020160100426A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：KR1020150022050

申请日：2015-02-13

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 신은영 ,  이경재 ,  허천 ,  고광세 ,  남옥현

IPC: H01L33/06

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L2924/12041

Abstract: DUV LED에있어서, 기판으로부터순차적으로적층된 N형화합물반도체층, 활성층, EBL(Electron Blocking Layer), P형화합물반도체층을가진 DUV LED에있어서, 활성층은세 개의양자우물층및 N형화합물반도체층으로부터세 개의양자우물층을감싸는제1 배리어층, 제2 배리어층, 제3 배리어층및 제4 배리어층을포함하며, 제2 배리어층은샌드위치구조로형성되며, 그중앙에조성비를달리하는제2-A 배리어층을, 제3 배리어층은샌드위치구조로형성되며, 그중앙에조성비를달리하는제3-A 배리어층을, 제4 배리어층은샌드위치구조로형성되며, 그중앙에조성비를달리하는제4-A 배리어층을각 포함하되, 제2-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN, 제3-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN, 제4-A 배리어층의화합물조성은 AlGaN 이며, (여기서, 0

Abstract translation: 本发明涉及一种使用逐渐陷阱屏障的高效深紫外发光二极管（DUV LED）。 DUV LED包括：半导体层; 活性层 电子阻挡层（EBL）; 和p型化合物半导体层。 有源层包括：三个量子阱层; 以及从N型化合物半导体层包围三个量子阱层的第一阻挡层，第二阻挡层，第三势垒层和第四势垒层。 第二阻挡层形成为夹层结构，并且在其中心具有不同组成比的（2-A）第二阻挡层。 第三阻挡层形成为夹层结构，并且在其中心具有不同组成比的（3-A）第二阻挡层。 （4-A）第一阻挡层形成为夹层结构，并且在其中心具有不同的组成比。