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公开(公告)号:KR1020170071287A
公开(公告)日:2017-06-23
申请号:KR1020150179466
申请日:2015-12-15
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G02B5/30
Abstract: 나노몰딩복제법을이용한선 격자편광판및 그제조방법이제시된다. 본발명에서제안하는나노몰딩복제법을이용한선 격자편광판제조방법은표면요철패턴이있는마스터템플릿기판을제작하는단계, 상기마스터템플릿기판상에고분자박막을도포하고접착테이프를이용하여고분자필름을탈착함으로써고분자복제박막몰드를형성하는단계, 상기고분자복제박막몰드상에기능성물질을증착하여기능성나노구조체를형성하는단계, 상기고분자복제박막몰드의상부증착을식각을통해부분적으로제거하는단계, 상기고분자복제박막몰드를선택적으로캡슐화하는단계를포함한다.
Abstract translation: 介绍了一种采用纳米模塑复制方法的线栅偏光片及其制造方法。 使用通过与施加到聚合物薄膜上的主模板,基板,以及使用胶带的表面浮雕图案的主模板衬底的步骤中提出的本发明的纳米模塑复制方法线栅偏振片的制造方法,分离所述聚合物膜 形成聚合物薄膜复制模具,在聚合物复制薄膜模具上沉积功能材料以形成功能纳米结构,通过蚀刻部分地去除聚合物复制薄膜模具的上层, 并可选择封装复制薄膜模具。
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公开(公告)号:KR101932334B1
公开(公告)日:2019-03-20
申请号:KR1020170035880
申请日:2017-03-22
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065 , G03F7/00 , H01L21/02 , H01L21/324
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公开(公告)号:KR1020170043923A
公开(公告)日:2017-04-24
申请号:KR1020150143606
申请日:2015-10-14
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L51/05 , H01L51/00 , C07D471/04 , C07D403/14 , C07D403/10
Abstract: 본발명은, 고이동도유기반도체재료및 레이저유도분자정렬을이용한전자수송층제조방법에관한것으로, 전자끌개작용기를포함하는전하수송물질; 상기전하수송물질에결합되는하나이상의억셉터물질또는도너물질; 을포함하여이루어지고, 상기전하수송물질과상기억셉터물질또는상기도너물질의결합체는소정의쌍극자모멘트를나타내는것을특징으로하는유기반도체재료및 유기반도체재료를제조하는단계; 기판에상기유기반도체재료를포함하는박막을형성하는단계; 상기박막에편광레이저를조사하여상기유기반도체재료가분자정렬되는단계; 를포함하여이루어지고, 상기유기반도체재료는본 발명에따른유기반도체재료로되며, 상기편광레이저와상기유기반도체재료의쌍극자모멘트방향의매칭으로상기유기반도체재료가분자정렬되어전자이동도가향상되는것을특징으로하는전자수송층제조방법을제공한다.
Abstract translation: 本发明中,高迁移率是包括在使用有机半导体材料和激光诱导分子取向的电子传输层的方法,该电子吸引性官能团的电荷输送材料; 至少一种受体材料,或者耦合到所述电荷输送材料的供体材料; 该方法包括:制成,电荷输送材料的组合和所述受主材料储存或施主材料,得到有机半导体材料和有机半导体材料,其特征在于,将表示预定偶极矩包括; 到基板上形成薄膜,其含有所述有机半导体材料; 一个步骤,其中该有机半导体材料通过照射偏振激光到薄膜对准分子; 通过制成,所述有机半导体材料包括是是根据本发明的有机半导体材料是,在偏振激光和有机半导体材料的偶极矩方向的匹配的有机半导体材料的分子排列改善电迁移度 它提供了一种用于根据权利要求制造的电子传输层的方法的过程。
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公开(公告)号:KR101815354B1
公开(公告)日:2018-01-04
申请号:KR1020150179466
申请日:2015-12-15
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G02B5/30
Abstract: 나노몰딩복제법을이용한선 격자편광판및 그제조방법이제시된다. 본발명에서제안하는나노몰딩복제법을이용한선 격자편광판제조방법은표면요철패턴이있는마스터템플릿기판을제작하는단계, 상기마스터템플릿기판상에고분자박막을도포하고접착테이프를이용하여고분자필름을탈착함으로써고분자복제박막몰드를형성하는단계, 상기고분자복제박막몰드상에기능성물질을증착하여기능성나노구조체를형성하는단계, 상기고분자복제박막몰드의상부증착을식각을통해부분적으로제거하는단계, 상기고분자복제박막몰드를선택적으로캡슐화하는단계를포함한다.
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公开(公告)号:KR102111122B1
公开(公告)日:2020-06-08
申请号:KR1020180123266
申请日:2018-10-16
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/0296 , H01L31/18
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