-
1.
公开(公告)号:KR102215322B1
公开(公告)日:2021-03-12
申请号:KR1020190029377A
申请日:2019-03-14
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/0368 , H01L31/0376 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0682 , H01L31/022441 , H01L31/02366 , H01L31/0368 , H01L31/0376 , H01L31/1804 , Y02E10/547
Abstract: 본 발명의 일실시예에 따른 실리콘 태양전지는 실리콘 기판, 상기 실리콘 기판의 전면에 위치하는 에미터층, 상기 에미터층의 전면에 위치하는 패시베이션막, 상기 에미터층에 전기적으로 연결되는 전면 전극, 상기 실리콘 기판의 후면에 위치하는 터널링층, 상기 터널링층 후면에 위치하고 밴드갭이 실리콘 보다 작은 반도체 물질을 포함하는 후면 전계층 및 상기 후면 전계층에 전기적으로 연결되는 후면 전극을 포함할 수 있고, 상기 후면 전계층을 도입하여 실리콘이 흡수하지 못하는 여분의 빛을 흡수함으로써 태양전지의 광흡수율을 증대시킬 수 있다.
-
公开(公告)号:KR102215322B1
公开(公告)日:2021-03-12
申请号:KR1020190029377
申请日:2019-03-14
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/068 , H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/0368 , H01L31/0376
Abstract: 본발명의일실시예에따른실리콘태양전지는실리콘기판, 상기실리콘기판의전면에위치하는에미터층, 상기에미터층의전면에위치하는패시베이션막, 상기에미터층에전기적으로연결되는전면전극, 상기실리콘기판의후면에위치하는터널링층, 상기터널링층후면에위치하고밴드갭이실리콘보다작은반도체물질을포함하는후면전계층및 상기후면전계층에전기적으로연결되는후면전극을포함할수 있고, 상기후면전계층을도입하여실리콘이흡수하지못하는여분의빛을흡수함으로써태양전지의광흡수율을증대시킬수 있다.
-
公开(公告)号:KR102138688B1
公开(公告)日:2020-07-28
申请号:KR1020180159451
申请日:2018-12-11
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/052 , H01L35/32 , H01L31/0368 , H01L31/18 , H01L35/04 , H01L31/0224
-
公开(公告)号:KR102087813B1
公开(公告)日:2020-03-19
申请号:KR1020180074799
申请日:2018-06-28
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/0328 , H01L31/02
-
-
-
7.
公开(公告)号:KR102098705B1
公开(公告)日:2020-04-08
申请号:KR1020180082461
申请日:2018-07-16
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/068 , H01L31/0312 , H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L31/0224
-
-
公开(公告)号:KR101976673B1
公开(公告)日:2019-05-10
申请号:KR1020170175132
申请日:2017-12-19
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/18
-
-
-
-
-
-
-
-