公开(公告)号：KR100461505B1

公开(公告)日：2004-12-14

申请号：KR1020020011404

申请日：2002-03-04

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 백문철 ,  심규환 ,  한기평 ,  김약연 ,  손영준 ,  김태엽 ,  조경익 ,  홍성의 ,  윤순길

IPC: H01L21/84

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a nitride semiconductor substrate is provided to be capable of reducing manufacturing costs and increasing the area. CONSTITUTION: A buffer layer(11) made of an aluminum nitride(AlN) film is formed on a silicon substrate(10) for buffering lattice mismatch by using MBE(Molecular Bean Epitaxy). An oxide layer(11a) is formed on the buffer layer(11) by performing thermal oxidation processing. A nitride layer(12) is formed on the oxide layer(11a). Then, the silicon substrate(10) is removed.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造氮化物半导体衬底的方法，以能够降低制造成本和增加面积。 构成：在硅衬底（10）上形成由氮化铝（AlN）膜制成的缓冲层（11），以通过使用MBE（分子束外延）缓冲晶格失配。 通过执行热氧化处理在缓冲层（11）上形成氧化物层（11a）。 在氧化物层（11a）上形成氮化物层（12）。 然后，去除硅衬底（10）。

公开(公告)号：KR1020030072528A

公开(公告)日：2003-09-15

申请号：KR1020020011404

申请日：2002-03-04

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 백문철 ,  심규환 ,  한기평 ,  김약연 ,  손영준 ,  김태엽 ,  조경익 ,  홍성의 ,  윤순길

IPC: H01L21/84

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a nitride semiconductor substrate is provided to be capable of reducing manufacturing costs and increasing the area. CONSTITUTION: A buffer layer(11) made of an aluminum nitride(AlN) film is formed on a silicon substrate(10) for buffering lattice mismatch by using MBE(Molecular Bean Epitaxy). An oxide layer(11a) is formed on the buffer layer(11) by performing thermal oxidation processing. A nitride layer(12) is formed on the oxide layer(11a). Then, the silicon substrate(10) is removed.

Abstract translation: 目的：提供一种制造氮化物半导体衬底的方法，以能够降低制造成本并增加面积。 构成：通过使用MBE（Molecular Bean Epitaxy）在硅衬底（10）上形成由氮化铝（AlN）膜制成的缓冲层（11），用于缓冲晶格失配。 通过进行热氧化处理，在缓冲层（11）上形成氧化物层（11a）。 在氧化物层（11a）上形成氮化物层（12）。 然后，去除硅衬底（10）。