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公开(公告)号:KR1020170107349A
公开(公告)日:2017-09-25
申请号:KR1020160103227
申请日:2016-08-12
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명의실시예들에따른광학소자제조방법은, 기판상에반사층을형성하는것, 상기반사층 상에유전체층을형성하는것 및상기유전체층 사이에상변이물질층을삽입하는것을포함하되, 상기상변이물질층을삽입하는것은, 상기유전체층으로입사되는입사광의파장에따라상기유전체층 내에삽입되는상기상변이물질층의위치를조절하는것을포함한다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的制造光学元件的方法包括:在衬底上形成反射层;在反射层上形成电介质层;以及在电介质层之间插入顶部碎片层, 插入包括根据入射到介电层上的入射光的波长来调整插入到介电层中的相变异物层的位置。
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公开(公告)号:KR102251512B1
公开(公告)日:2021-05-17
申请号:KR1020160087697
申请日:2016-07-11
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 기판, 상기기판상에배치되는상부투명전극, 상기기판과상기상부투명전극사이에챔버를제공하는격벽, 상기챔버내에제공되되상기기판상에배치되는광변조부, 및상기챔버를채우고, 이온상태의제 1 금속을포함하는전해질을포함하는광변조소자를제공하되, 상기광변조부는상기기판상의반사층, 및상기반사층상의하부투명전극을포함할수 있다.
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公开(公告)号:KR1020170107347A
公开(公告)日:2017-09-25
申请号:KR1020160089452
申请日:2016-07-14
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은홀로그램제조방법에관한것이다. 홀로그램제조방법은기판상에상전이막, 하드마스크막, 및포토레지스트막을순차적으로제공하는것; 상기포토레지스트막 상에패턴개구부를갖는포토마스크를배치하는것; 상기패턴개구부를통해상기포토레지스트막으로제1 광을조사하여, 상기포토레지스트막에상기하드마스크막을노출시키는제1 개구부를형성하는것; 상기하드마스크막을식각하여, 상기하드마스크막에상기상전이막을노출시키는제2 개구부를형성하는것; 그리고, 상기제2 개구부를통해상기상전이막으로제2 광을조사하여, 상기상전이막의일부를상전이시켜홀로그램영역을형성하는것을포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造全息图的方法。 一种全息图制造方法,包括:在基板上依次提供相变膜,硬掩模膜和光刻胶膜; 在光致抗蚀剂膜上设置具有图案开口的光掩模; 通过经由所述图案开口以第一光照射所述光致抗蚀剂膜而形成用于将所述硬掩模膜暴露于所述光致抗蚀剂膜的第一开口; 蚀刻硬掩模膜以形成用于将相变膜暴露于硬掩模膜的第二开口; 并且通过第二开口用第二光照射相变膜以相变相变膜的一部分以形成全息图区域。
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