Abstract:
본 발명은 광 변조기에 관한 것으로, 보다 상세하게는 광 도파로 소자; 상기 광 도파로 소자 상의 전기 변색 소자를 포함하되, 상기 광 도파로 소자는: 클래드 층; 및 상기 클래드 층 상의 제1 방향으로 연장되는 코어 층을 포함하고, 상기 전기 변색 소자는: 상기 코어 층 상의 하부 전극; 상기 하부 전극과 마주하여 배치되는 상부 전극; 상기 하부 전극과 상기 상부 전극 사이의 전해질 층; 및 상기 하부 전극과 상기 전해질 층 사이의 전기 변색 층을 포함하는 광 변조기에 관한 것이다.
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투명 디스플레이 장치는 셔터 영역 및 발광 영역이 수평으로 배치되는 하부 패널과, 셔터 영역 및 발광 영역을 커버하며 하부 패널에 마주하는 리세스 영역을 포함하는 상부 패널과, 발광 소자 및 셔터 소자를 포함하되, 셔터 소자는, 하부 패널의 셔터 영역에 순차적으로 적층되는 하부 전극 및 전기 변색 물질층과, 상부 패널의 리세스 영역 내에 배치되는 상부 전극과, 전기 변색 물질층 및 상기 상부 전극 사이를 충진하는 전해질층을 포함한다.
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본발명의가역전기화학거울은제 1 기판이제공되고, 제 2 기판이제공되고, 상기제 1 기판상에제 1 투명전극이제공되고, 상기제 2 기판하에제 2 투명전극이제공되고, 상기제 2 기판과상기제 2 투명전극사이에반투과막이제공되고, 상기제 1 투명전극과상기제 2 투명전극사이에챔버를제공하는격벽이제공되고, 상기챔버내에는전해액이채워진다. 상기제 2 투명전극은 100 내지 500nm의두께를갖는다. 제 2 투명전극의두께를변화시킴으로써 on 상태에서특정가시광영역의빛을반사시킬수 있다. 반투과막이제공됨으로써 off 상태에서적외선영역의반사율을향상시킬수 있다. 전해액으로 Ag-Cu based solution을사용함으로써 off 상태에서의투과율과 on 상태에서의거울특성을향상시킬수 있다.
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본발명에따른전기변색소자는하부기판상의하부전극; 상기하부전극상에제공되며, 제1 나노입자들, 상기제1 나노입자들상에제공된전기변색분자들; 상기제1 나노입자들보다큰 종횡비및 더높은전기전도도를갖는제2 나노입자들을포함하는하부전기변색층; 상기하부변색층상에제공되는전해질; 및상기전해질상의상부전극을포함할수 있다. 제2 나노입자들에의해, 상기하부전기변색층의전기전도도가향상될수 있다.
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바이오 센서 리더기 및 바이오 센서 리더기 시스템이 제공된다. 전극들 사이에서, 감지 물질들이 고정된 감지 채널을 포함하는 FET형 바이오 센서가 장착되어, 분석 용액에 포함된 타겟 물질과 상기 감지 물질의 결합에 의한 상기 감지 채널의 전기전도도 변화를 분석하는 바이오 센서 리더기에 있어서, FET형 바이오 센서의 장착에 의해, 고정된 저항값을 갖는 기준 저항과 감지 채널을 전기적으로 연결시키며, 기준 저항에서의 기준 전압 강하와 감지 채널에서의 채널 전압 강하를 측정하여, 기준 전압 강하와 채널 전압 강하로부터 감지 채널의 전기전도도 변화를 분석하는 측정 모듈 및 전기전도도 변화에 따른 타겟 물질의 분석 결과를 출력하는 출력 모듈을 포함한다. FET형 바이오 센서, 기준 저항, 채널 저항
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바이오 센서 및 이를 이용한 바이오 분자 검출 방법이 제공된다. 바이오 센서는 기판 상에 배치되며, 프로브 분자들과 특이 결합하는 검출용 타겟 분자들이 표면에 고정된 감지부 및 프로브 분자들을 포함하는 분석 용액을 검출용 타겟 분자들로 제공하는 유체 채널을 포함하되, 프로브 분자는 타겟 분자 및 검출용 타겟 분자들과 특이 결합한다. 바이오 센서, 하전되지 않은 분자, 저분자
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본 발명에 따른 검출 소자는 유체 내의 특정 작용기에 반응하는 반응 물질층, 절연층의 상하에 위치한 제1 전극과 제2 전극을 포함하며, 상기 반응 물질층 하부에 상기 제1 전극이 형성되어 있는 검출 커패시터, 그리고 상기 검출 커패시터의 상기 제1 전극과 연결되어 있는 게이트 전극을 포함하는 전계 효과 트랜지스터를 포함하며, 상기 반응 물질층은 표면적을 넓히기 위한 전도성 입체 구조 형태를 가진다. 따라서 전하집적부의 전도성 입체구조물의 표면적을 넓히고 유체의 흐름에 대해 입체적으로 형성함으로써, 커패시터 공유 효과 및 게이트에 인가되는 전압 변화량을 극대화함으로써 훨씬 높은 고민감도를 가질 수 있다. 검출 소자, 바이오 센서, 전계효과 트랜지스터
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반도체 나노와이어 센서 소자의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 반도체 나노 와이어 센서 소자가 제공된다. 반도체 나노와이어 센서 소자의 제조 방법은 제 1 도전형 단결정 반도체 기판을 준비하고, 제 1 도전형 단결정 반도체 기판에, 라인 형태의 제 1 도전형 단결정 패턴을 형성하고, 제 1 도전형 단결정 패턴의 양측벽에, 제 2 도전형의 에피택시얼 패턴들을 형성하고, 제 2 도전형 에피택시얼 패턴들의 양끝단에, 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 것을 포함한다. 나노와이어, 리소그래피 공정, 에피택시얼 성장