公开(公告)号：KR100160580B1

公开(公告)日：1999-02-01

申请号：KR1019950051463

申请日：1995-12-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최창억 ,  권오준 ,  임병무 ,  김보우

IPC: H01L21/306

Abstract: 본 발명은 경사진 단면구조를 갖는 실리콘 질화막의 습식식각방법에 관한 것으로서, 저압화학증착 방법에 의해 증착된 실리콘 기판 위의 실리콘 질화막 상부에 질화막 패턴식각용 마스킹 박막으로써 알루미늄박막을 증착하는 제1단계와; 상기 제1단계의 알루미늄박막 상부에 포토레지스트 공정으로 식각패턴을 형성하고, 상기 실리콘 질화막의 식각시킬 소정부분의 상부의 알루미늄박막을 습식 또는 건식식각하여 제거하는 제2단계와; 경사진 질화막 식각단면을 얻기 위하여 상기 알루미늄박막을 식각 마스킹용 박막으로 하여 온도 50-70도에서 글리세린이 함유된 암모늄플루오라이드용액에 의해 질화막을 습식 식각하는 제3단계와; 상기 제3단계의 수행 후 질화막 식각용 마스킹 박막으로 사용한 잔유 알루미늄박막을 알루미늄 에칭용액으로 제거하는 제4단계를 포함하여 이루어지며, 암모늄 플루오라이드 용액내 글리세린 함유량과 식각 용액의 사용온도에 따라 질화막의 단면 경사각 조정과 식각율을 조정할 수 있는 공정상의 장점을 가지며, 질화막의 식각속도는 분당 수백에서 수천 옹그스트롬의 높은 식각율을 유지할 수 있고, 실리콘 기판은 거의 손상되지 않는 특성을 갖으며, 마이크로머신, 광 유도장치 등 실리콘 기판을 이용한 질화막패턴의 경사진 단면구조 구현시 매우 유용하다.

公开(公告)号：KR100137572B1

公开(公告)日：1998-04-28

申请号：KR1019940033892

申请日：1994-12-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최창억 ,  임병무 ,  편광의 ,  김경수

IPC: H01L27/04

Abstract: 본 발명은 마이크로웨이브(microwave)의 고주파 반도체 장치의 제조방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 반도체기판상에 양질의 산화막을 형성하기 위한 산화막성장방법에 관한 것이다.
반도체기판내에 산화매몰층을 형성하여 능동소자와 수동소자를 동시에 집적화되는 고주파 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 반도체기판(1)상에, 완충용 산화막(2)과, 질화실리콘막(3) 및, 산화막(4)이 순차로 형성되는 공정과; 소정패턴의 포토레지스트막(5)을 상기 산화막(4)위에 형성하고, 산화매몰영역을 정의하는 공정과; 상기 포토레지스트막(5)을 포토마스크로 사용하여, 상기 산화막(4)/질화실리콘막(3)/완충용 산화막(2)으로 이루어진 식각보호층을 건식식각방법으로 제거하는 공정과; 상기 포토레지스트막(5)을 제거한 다음, 상기 실리콘기판(1)을 소정깊이만큼 수직방향으로 식각하여 트렌치를 형성하는 공정과; 열산화하여 상기 트렌치내에 산화막이 충진되면서 산화되고, 그리고 트렌치 사이의 실리콘을 산화하여 산화매몰층을 형성하는 공정과; 상기 완충용산화막(2)위에 형성된 층들을 모두 제거하는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR1019970052732A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950051463

申请日：1995-12-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최창억 ,  권오준 ,  임병무 ,  김보우

IPC: H01L21/306

Abstract: 본 발명은 경사진 단면구조를 갖는 실리콘 질화막의 습식식각방법에 관한 것으로서, 저압화학증착 방법에 의해 증착된 실리콘 기판 위의 실리콘 질화막 상부에 질화막 패턴식각용 마스킹 박막으로써 알루미늄박막을 증착하는 제1단계와; 상기 제1단계의 알루미늄박막 상부에 포토레지스트 공정으로 식각패턴을 형성하고, 상기 실리콘 질화막의 식각시킬 소정부분의 상부의 알루미늄박막을 습식 또는 건식식각하여 제거하는 제2단계와; 경사진 질화막 식각단면을 얻기 위하여 상기 알루미늄박막을 식각 마스킹용 박막으로 하여 온도 50-70도에서 글리세린이 함유된 암모늄플루오라이드용액에 의해 질화막을 습식 식각하는 제3단계와; 상기 제3단계의 수행 후 질화막 식각용 마스킹 박막으로 사용한 잔유 알루미늄박막을 알루미늄 에칭용액으로 제거하는 제4단계를 포함하여 이루어지며, 암모늄 플루오라이드 용액내 글리세린 함유량과 식각 용액의 사용온도에 따라 질화막의 단면 경사각 조정과 식각율을 조정할 수 있는 공정상의 장점을 가지며, 질화막의 식각속도는 분당 수백에서 수천 옹그스트롬의 높은 식각율을 유지할 수 있고, 실리콘 기판은 거의 손상되지 않는 특성을 갖으며, 마이크로머신, 광 유도장치 등 실리콘 기판을 이용한 질화막패턴의 경사진 단면구조 구현시 매우 유용하다.

公开(公告)号：KR1019960026727A

公开(公告)日：1996-07-22

申请号：KR1019940033892

申请日：1994-12-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최창억 ,  임병무 ,  편광의 ,  김경수

IPC: H01L27/04

Abstract: 본 발명은 마이크로웨이브(microwave)의 고주파 반도체 장치의 제조방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 반도체기판상에양질의 산화막을 형성하기 위한 산화막성장방법에 관한 것이다.
반도체기판내에 산화매몰층을 형성하여 능동소자와 수동소자를 동시에 집적화되는 고주파 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 반도체기판(1)상에, 완충용 산화막(2)과, 질화실리콘막(3) 및, 산화막(4)이 순차로 형성되는 공정과; 소정패턴의 포토레지스트막(5)을 상기 산화막(4)위에 형성하고, 산화매몰 영역을 정의하는 공정과; 상기 포토레지스트막(5)을 포토마스크로 사용하여, 상기 산화막(4)/질화실리콘막(3)/완충용 산화막(2)으로 이루어진 식각보호층을 건식식각방법으로 제거하는 공정과; 상기 포토레지스트막(5)을 제거한 다음, 상기 실리콘기판(1)을 소정깊이만큼 수직방향으로 식각하여 트렌치를 형성하는 공정과; 열산화하여 상기 트렌치내에 산화막이 충진되면서 산화되고, 그리고 트렌치 사이의 실리콘을 산화하여 산화매몰층을 형성하는 공정과; 상기 완충용산화막(2)위에 형성된 층들을 모두 제거하는 공정을 포함한다.