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公开(公告)号:KR100159199B1
公开(公告)日:1999-05-01
申请号:KR1019950042594
申请日:1995-11-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01N1/28
Abstract: 본 발명은 X-선 회절분석용 밀폐형 시료지지대에 관한 것이다.
좀 더 구체적으로, 본 발명은 X-선 회절분석용 시료를 대기로부터 밀폐하여 고정밀도로 X-선 회절분석을 수행할 수 있는 X-선 회절분석용 밀폐형 시료지지대에 관한 것이다.
본 발명의 X-선 회절분석용 밀폐형 시료지지대는 일면은 개방되고 타면에는 시료지지부(22)가 형성된 시료창(21)이 상부 중앙에 형성되어 시료를 지지하기 위한 시료지지판(20); 반원통체의 외주면 중앙부에 차단막 지지대(33)의 좌우로 띠 형태의 전면 창(31)이 절개형성되고 전기한 전면창(31)은 차단막(32)으로 차단되며, 전기한 반원통체의 평면 중앙부에는 관통구가(34)가 형성되어 전기한 시료지지판(20)상의 시료를 외부 대기로부터 밀폐하기 위한 시료지지판 덮개(30); 및, 전기한 시료지지판(20)에 덮개(30)를 고정하기 위한 고정수단(40)으로 구성된다.-
公开(公告)号:KR1019990053233A
公开(公告)日:1999-07-15
申请号:KR1019970072834
申请日:1997-12-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/316
Abstract: 재료 고유의 고다공 특성으로 인해 저유전 특성을 가지는 SiO
2 에어로겔(aerogel)은 다공 구조에서 기인한 많은 양의 유기물, 수산기물, 흡착 수분 등과 같은 내부 표면 화학종을 가지며, 재료 전체의 물성도 이러한 내부 화학종에 의존하게 된다. 이들 표면 화학종들은 유전 분극이 매우 큰 물질들로서 반도체 소자에서의 층간 저유전 박막으로 활용시 유전 특성이나 누설 전류 특성 및 소자의 내구성을 저하시키는 인자로 작용한다. 본 발명에서는 유도 결합형 플라즈마 (ICP; inductively coupled plasma)를 이용한 저온 O
2 플라즈마 처리 방법으로 SiO
2 에어로겔 박막의 표면 화학종을 감소시킴으로써, 종래의 진공하의 공정로에서 열처리하는 것에 비하여 소자 공정의 열적 안정성, 표면 화학종 감소의 효율성뿐만 아니라 저온 공정에 의한 경제적인 장점을 동시에 제공한다.-
公开(公告)号:KR1019970028615A
公开(公告)日:1997-06-24
申请号:KR1019950042594
申请日:1995-11-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01N1/28
Abstract: 본 발명은 X-선 회절분석용 밀폐형 시료지지대에 관한 것이다.
좀 더 구체적으로는, 본 발명은 X-선 회절분석용 시료를 대기로부터 밀폐하여 고정밀도로 X-선 회절분석을 수행할 수 있는 X-선 회절분석용 밀폐형 시료지지대에 관한 것이다.
본 발명의 X-선 회절분석용 밀폐형 시료지지대는 일면은 개방되고 타면에는 시료지지부(22)가 형성된 시료창(21)이 상부 중앙에 형성되어 시료를 지지하기 위한 시료지지판(20); 반원통체의 외주면 중앙부에 차단막 지지대(33)의 좌우로 띠 형태의 전면창(31)이 절개형성되고 전기한 전면 창(31)은 차단막(32)으로 차단되며, 전기한 반원통체의 평면 중앙부에는 관통구(34)가 형성되어 전기한 시료지지판(20) 상의 시료를 외부 대기로부터 밀폐하기 위한 시료지지판 덮개(30); 및 전기한 시료지지판(20) 상의 시료를 외부 대기로부터 밀폐하기 위한 시료지지판 덮개(30); 및 전기한 시료지지판(20)에 덮개(30)를 고정하기 위한 고정수단(40)으로 구성된다.
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