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    마이크로 패턴 및 나노 패턴을 동시에 형성하는 유기발광다이오드의 제조방법
    1.
    发明授权
    마이크로 패턴 및 나노 패턴을 동시에 형성하는 유기발광다이오드의 제조방법 有权
    通过同时形成微图案和纳米图案来制造有机发光二极管的方法

    公开(公告)号：KR101608717B1

    公开(公告)日：2016-04-05

    申请号：KR1020150050165

    申请日：2015-04-09

    Applicant: 고려대학교 산학협력단 ,  한국전자통신연구원

    Inventor： 주병권 ,  하현준 ,  황보연 ,  이종희 ,  주철웅 ,  이정익

    IPC: H01L51/56

    Abstract: 본발명은마이크로패턴및 나노패턴의동시에형성하는유기발광다이오드의제조방법에관한것이다. 본발명은 (a) 기판위에애노드를형성하는단계 (b) 상기애노드위에화소형성층으로사용될감광층을형성하는단계 (c) 상기감광층에마이크로패턴을노광하는단계 (d) 상기감광층에나노패턴을노광하는단계 (e) 상기감광층을식각하여마이크로패턴및 나노패턴을함께가지는화소형성층을형성하는단계 (f) 상기패턴내에유기물질층을형성하는단계및 (g) 상기유기물질층위에캐소드를형성하는단계를포함하는것을특징으로한다. 본발명에의하면, UV 리소그래피공정을통하여여러가지모양과배열을가지는픽셀구조를제작할수 있으며, 동시에마이크로패턴안에레이저간섭리소그래피공정으로나노스케일의라인또는홀 패턴을주기적으로형성할수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及通过同时形成微图案和纳米图案来制造有机发光二极管的方法。 本发明包括以下步骤：（a）在衬底上形成阳极，（b）在阳极上形成用作像素形成层的光敏层; （c）通过曝光在感光层上形成微图案; （d）通过曝光在感光层上形成纳米图案; （e）通过蚀刻感光层来形成具有微图案和纳米图案两者的像素形成层; （f）在图案内形成有机材料层; 和（g）在有机材料层上形成阴极。 根据本发明，可以使用UV光刻工艺制造具有各种形状和布置的像素结构，并且可以使用激光干涉光刻工艺在微图案内周期性地形成纳米尺度线或孔图案。

    칼라 필터 및 칼라필터를 구비한 유기 발광다이오드 디스플레이
    2.
    发明授权
    칼라 필터 및 칼라필터를 구비한 유기 발광다이오드 디스플레이 有权

    公开(公告)号：KR101917438B1

    公开(公告)日：2018-11-09

    申请号：KR1020160169956

    申请日：2016-12-13

    Applicant: 고려대학교 산학협력단 ,  한국전자통신연구원

    Inventor： 주병권 ,  이종희 ,  이주성 ,  주철웅 ,  하현준 ,  이정익 ,  황하

    IPC: H01L27/32 ,  H01L51/52 ,  H01L51/00 ,  H01L21/3065 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027 ,  H01J37/32

    Abstract: 본발명의일 실시예에따른칼라필터제조방법은기판(110) 상에광추출층(120), 상기광추출층(120) 상에포토레지스트막(130)를차례로형성하고상기포토레지스트막(130)을패터닝하여주기적인포토레지스트패턴(131)을포함하는제1 포토레지스트층(130a)을형성하는단계; 플라즈마식각공정을사용하여상기제1 포토레지스트층(130a)의표면모폴로지를변화시키어랜덤요철구조(132)를제2 포토레지스트층(130b)에형성하고상기주기적인포토레지스트패턴(131)을식각마스크로플라즈마식각공정에의하여주기적인광추출패턴(121)을구비한제1 광추출층(120a)을제공하는단계; 상기제2 포토레지스트층(130b)의상기랜덤요철구조(132)를마스크로사용하여상기제1 광추출층(120a)을과식각(over-etch)하여랜덤패턴(122)을형성한제2 광추출층(120b)을제공하는단계; 및상기제2 포토레지스트층(130b)을제거하고제2 광추출층(120b) 상에평탄층(140)을형성하는단계를포함한다.

    금속 전극 제조 방법
    5.
    发明公开
    금속 전극 제조 방법 无效
    形成金属电极的方法

    公开(公告)号：KR1020110069486A

    公开(公告)日：2011-06-23

    申请号：KR1020090126238

    申请日：2009-12-17

    Applicant: 한국전자통신연구원 ,  고려대학교 산학협력단

    Inventor： 주병권 ,  허진우 ,  정진욱

    IPC: C23C16/02 ,  C23C16/04 ,  C23C2/00

    CPC classification number: C23C16/0227 ,  C23C2/00 ,  C23C16/042 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45508 ,  H01L21/31

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a metal electrode is provided to form a metal electrode with a narrow line and easily form a nano pattern in a wide area by using a nano imprinting process and a self assembled monolayer. CONSTITUTION: A method for manufacturing a metal electrode comprises the following steps. A pre-sacrificial film pattern is formed on a substrate using an imprinting process(S1). The pre-sacrificial film pattern is etched to form a sacrificial film pattern having a width narrower than that of the pre-sacrificial film pattern(S2). A self assembled monolayer pattern is selectively formed on the substrate exposed by the sacrificial film pattern(S3). The sacrificial film pattern is removed(S4). A metal electrode is selectively formed on the substrate exposed by the self assembled monolayer pattern(S5).

    Abstract translation: 目的：提供一种制造金属电极的方法，以形成具有窄线的金属电极，并且通过使用纳米压印工艺和自组装单层容易地在广泛的区域形成纳米图案。 构成：用于制造金属电极的方法包括以下步骤。 使用压印工艺在基板上形成预牺牲膜图案（S1）。 蚀刻预牺牲膜图案以形成具有比预牺牲膜图案窄的宽度的牺牲膜图案（S2）。 在由牺牲膜图案曝光的基板上选择性地形成自组装单层图案（S3）。 除去牺牲膜图案（S4）。 在由自组装单层图案曝光的基板上选择性地形成金属电极（S5）。

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