公开(公告)号：KR1020040041732A

公开(公告)日：2004-05-20

申请号：KR1020020069588

申请日：2002-11-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 주영구 ,  신재헌 ,  한원석 ,  송현우 ,  김종희 ,  한일영

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/18305 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/125

Abstract: PURPOSE: A long wavelength vertical cavity surface emitting laser(VCSEL) and a method for manufacturing the same are provided to improve the current confinement structure by introducing a tunnel junction layer, a low energy ion injection and a heat spreading layer. CONSTITUTION: A long wavelength vertical cavity surface emitting laser(VCSEL) includes a laser active layer(30) and a current confinement structure(C). The current confinement structure(C) is provided with a barrier layer(40), a tunnel junction layer(50), a heat spread layer(60) and an electric insulation layer(70). The barrier layer(40) is formed on the laser active layer(30). The tunnel junction layer(50) is formed on the barrier layer(40) with stacking p-type and n-type materials alternatively. The heat spread layer(60) is formed on the tunnel junction layer(50). And, the electric insulation layer(70) is formed by using a low energy ion implantation method to electrically insulate the tunnel junction layer(50).

Abstract translation: 目的：提供长波长垂直腔面发射激光器（VCSEL）及其制造方法，以通过引入隧道结层，低能离子注入和散热层来改善电流限制结构。 构成：长波长垂直腔表面发射激光器（VCSEL）包括激光有源层（30）和电流限制结构（C）。 电流限制结构（C）设置有阻挡层（40），隧道结层（50），散热层（60）和电绝缘层（70）。 阻挡层（40）形成在激光活性层（30）上。 交替地堆叠p型和n型材料，在势垒层（40）上形成隧道结层（50）。 扩散层（60）形成在隧道结层（50）上。 并且，通过使用低能离子注入方法来形成电绝缘层（70）以使隧道结层（50）电绝缘。

公开(公告)号：KR100484490B1

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：KR1020020069588

申请日：2002-11-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 주영구 ,  신재헌 ,  한원석 ,  송현우 ,  김종희 ,  한일영

IPC: H01S5/183

Abstract: 본 발명은 1.3 ~ 1.55 ㎛ 대역의 장파장 수직 공진 표면방출 레이저 및 그 제작방법에 관한 것이다. 종래 수직 공진 표면방출 레이저의 전류 감금 구조를 형성하기 위해 취해진 여러 방법은 장파장 수직 공진 표면방출 레이저 제작방법으로 적용하기에는 문제가 있다. 본 발명에서는 전류 감금 구조와 그 형성방법을 개선하여 장파장 수직 공진 표면방출 레이저 및 그 제작방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 이 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에서는 가벼운 이온의 저에너지 주입과 터널 접합층의 복합적 사용을 통한 새로운 전류 감금 구조를 제시한다. 저에너지 이온주입은 표면 가까이에 저항이 큰 층을 형성할 수 있어서, 기존의 고에너지 이온주입과 달리 최소 전류 주입 직경을 아주 작게 만들 수 있고 소자의 저항을 크게 줄일 수 있어 열 발생을 감소시킨다. 터널 접합층의 사용으로, 전하 운반자에 의한 광손실 저항을 줄여주므로 효과적으로 소자의 전기적 특성을 향상시킨다.