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公开(公告)号：KR100750506B1
公开(公告)日：2007-08-20
申请号：KR1020050041909
申请日：2005-05-19
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 광감지기를 구비한 표면방출레이저소자 및 이를 적용한 광 도파로소자에 대해 개시된다. 개시된 본 발명에 따른 광감지기를 구비한 표면방출레이저소자는 기판상에 레이저광을 발생하여 외부로 출력하는 표면방출레이저와; 상기 기판상에 표면방출레이저와 이웃하도록 형성되며 외부광을 수신하는 광 감지수단을 포함하여 이루어진다.
본 발명에 따른 광감지기를 구비한 표면방출레이저 소자 및 이를 적용한 광 도파로소자는, 광통신용 표면방출레이저와 광 감지기를 동시에 집적하면서 표면방출레이저의 광 출력 성능에 영향을 주지 않고 넓은 파장 대역 응답이 가능한 양질의 광 감지기를 독립적으로 구동할 수 있다.
표면방출레이저, 광 감지수단, 광 도파로-
公开(公告)号：KR100627703B1
公开(公告)日：2006-09-26
申请号：KR1020040105704
申请日：2004-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/18316 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , H01S5/18369 , H01S5/18375 , H01S5/18377
Abstract: 본 발명은 반도체 광소자 중 표면방출 레이저 제작방법에 관한 것으로 화합물 반도체 기판 위에 거울층과 활성층으로 구성된 에피 구조를 유전체 거울층과 결합하고, 이를 다시 새로운 기판 위에 금속접합 방법으로 결합한 후 기존 기판을 제거한 후 새로운 기판 위에서 표면방출 레이저를 제작하는 방법에 관한 기술을 개시한다. 이러한 기술은 표면방출 레이저를 구성하는 상부 거울 및 하부 거울과 활성층에 전기적, 광학적 영향없이 표면방출 레이저 구조를 외부적인 금속접합 방법으로 새로운 기판에 옮겨 붙여 제작하는 방법으로, 기존의 표면방출 레이저의 제작방법을 이용하면서 열적 특성이 우수한 새로운 기판으로 옮겨 제작함으로써 우수한 열 방출 특성을 얻게 하여, 궁극적으로 제작이 용이하면서 신뢰성이 높으며, 우수한 특성의 표면방출 레이저 제작을 가능하게 한다.
표면방출 레이저(Vertical Cavity Surface Emitting Lasers, VCSELs), 금속접합(metallic bonding), 화합물 반도체(compound semiconductor), 유전체 거울층(dielectric mirror), 반도체 거울층(semiconductor Distributed Brag reflector, DBR), 습식선택 식각, 건식선택 식각-
公开(公告)号：KR100527108B1
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：KR1020030085359
申请日：2003-11-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/18
CPC classification number: H01S5/18341 , H01S5/02461 , H01S5/18305 , H01S5/18308 , H01S5/18363
Abstract: 본 발명은 반도체 반사경 또는 광학 필터로 이용될 수 있는 반도체 광소자의 제작 방법에 대해 개시한다. 에칭비가 서로 다른 두가지 이상의 반도체층들을 교대로 적층한 후 적어도 한 종류의 반도체층들을 선택적으로 에칭하여 에어갭(air gap)을 형성하고, 에어갭이 매립되도록 열전달 특성이 양호한 산화물 혹은 질화물을 증착한다. 에어갭에 매립된 산화물 혹은 질화물과 반도체층의 큰 굴절률 차이로 인하여 적은 주기로도 효과적으로 높은 반사율을 갖는 반도체 반사경 또는 광학 필터를 구현할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100484490B1
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：KR1020020069588
申请日：2002-11-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/183
Abstract: 본 발명은 1.3 ~ 1.55 ㎛ 대역의 장파장 수직 공진 표면방출 레이저 및 그 제작방법에 관한 것이다. 종래 수직 공진 표면방출 레이저의 전류 감금 구조를 형성하기 위해 취해진 여러 방법은 장파장 수직 공진 표면방출 레이저 제작방법으로 적용하기에는 문제가 있다. 본 발명에서는 전류 감금 구조와 그 형성방법을 개선하여 장파장 수직 공진 표면방출 레이저 및 그 제작방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 이 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에서는 가벼운 이온의 저에너지 주입과 터널 접합층의 복합적 사용을 통한 새로운 전류 감금 구조를 제시한다. 저에너지 이온주입은 표면 가까이에 저항이 큰 층을 형성할 수 있어서, 기존의 고에너지 이온주입과 달리 최소 전류 주입 직경을 아주 작게 만들 수 있고 소자의 저항을 크게 줄일 수 있어 열 발생을 감소시킨다. 터널 접합층의 사용으로, 전하 운반자에 의한 광손실 저항을 줄여주므로 효과적으로 소자의 전기적 특성을 향상시킨다.
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公开(公告)号：KR100460839B1
公开(公告)日：2004-12-09
申请号：KR1020020002534
申请日：2002-01-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/183
Abstract: PURPOSE: A multi-channel long wavelength VCSEL array and a fabricating method thereof are provided to form constantly an interval of a laser oscillation wavelength by controlling a resonant interval. CONSTITUTION: A multi-channel long wavelength VCSEL array includes a semiconductor substrate(10), a bottom mirror(20), an active region(30), a current limit layer(40), a superlattice control layer(50), and a top mirror(60). The bottom mirror is formed on the semiconductor substrate. The active region is formed on the bottom mirror. The current limit layer is formed on the active region in order to limit efficiently the current and enhance the efficiency of the heat transfer. The superlattice control layer is formed on the current limit layer in order to control an interval of laser oscillation wavelength. The top mirror is formed on the superlattice control layer.
Abstract translation: 目的：提供多通道长波长VCSEL阵列及其制造方法，以通过控制谐振间隔恒定地形成激光振荡波长的间隔。 一种多通道长波长VCSEL阵列，包括半导体衬底（10），底部反射镜（20），有源区（30），限流层（40），超晶格控制层（50）和 顶部镜子（60）。 底部反射镜形成在半导体衬底上。 有源区形成在底部反射镜上。 电流限制层形成在有源区域上，以便有效地限制电流并提高传热效率。 在限流层上形成超晶格控制层，以控制激光振荡波长的间隔。 顶部镜子形成在超晶格控制层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020040041732A
公开(公告)日：2004-05-20
申请号：KR1020020069588
申请日：2002-11-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/18305 , H01S5/0422 , H01S5/125
Abstract: PURPOSE: A long wavelength vertical cavity surface emitting laser(VCSEL) and a method for manufacturing the same are provided to improve the current confinement structure by introducing a tunnel junction layer, a low energy ion injection and a heat spreading layer. CONSTITUTION: A long wavelength vertical cavity surface emitting laser(VCSEL) includes a laser active layer(30) and a current confinement structure(C). The current confinement structure(C) is provided with a barrier layer(40), a tunnel junction layer(50), a heat spread layer(60) and an electric insulation layer(70). The barrier layer(40) is formed on the laser active layer(30). The tunnel junction layer(50) is formed on the barrier layer(40) with stacking p-type and n-type materials alternatively. The heat spread layer(60) is formed on the tunnel junction layer(50). And, the electric insulation layer(70) is formed by using a low energy ion implantation method to electrically insulate the tunnel junction layer(50).
Abstract translation: 目的：提供长波长垂直腔面发射激光器（VCSEL）及其制造方法，以通过引入隧道结层，低能离子注入和散热层来改善电流限制结构。 构成：长波长垂直腔表面发射激光器（VCSEL）包括激光有源层（30）和电流限制结构（C）。 电流限制结构（C）设置有阻挡层（40），隧道结层（50），散热层（60）和电绝缘层（70）。 阻挡层（40）形成在激光活性层（30）上。 交替地堆叠p型和n型材料，在势垒层（40）上形成隧道结层（50）。 扩散层（60）形成在隧道结层（50）上。 并且，通过使用低能离子注入方法来形成电绝缘层（70）以使隧道结层（50）电绝缘。
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公开(公告)号：KR1020040041730A
公开(公告)日：2004-05-20
申请号：KR1020020069586
申请日：2002-11-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01L33/145 , H01S5/18308 , H01S5/18316 , H01S5/18347 , H01S5/3095 , H01S2301/176
Abstract: PURPOSE: A semiconductor optical device provided with a current confined structure is provided to secure the reliability by reducing the leakage current at the etched surface with filling an oxide layer or a nitride layer. CONSTITUTION: A semiconductor optical device provided with a current confined structure includes a semiconductor substrate(10), a first semiconductor layer(12), a second semiconductor layer(14), a third semiconductor layer(16). The first semiconductor layer(12) is formed on the semiconductor substrate(10) and made of at least one first conductive type of material. The second semiconductor layer(14) is formed on the first semiconductor layer(12) and is made of at least one material. The third semiconductor layer(16) is formed on the second semiconductor layer(16) and is made of at least one second conductive type of material which is opposite to the first conductive type. The first to third semiconductor layers(12,14,16) form the mesa structure, the side surface of at least one material layer constituting the first to third semiconductor layers(12,14,16) is recessed and the recessed portion is filled with oxide layer or a nitride layer, partially or totally.
Abstract translation: 目的：提供一种具有电流限制结构的半导体光学器件，以通过减少在蚀刻表面处的填充氧化物层或氮化物层的漏电流来确保可靠性。 构成：设置有电流限制结构的半导体光学器件包括半导体衬底（10），第一半导体层（12），第二半导体层（14），第三半导体层（16）。 第一半导体层（12）形成在半导体衬底（10）上并由至少一种第一导电类型的材料制成。 第二半导体层（14）形成在第一半导体层（12）上并且由至少一种材料制成。 第三半导体层（16）形成在第二半导体层（16）上并且由与第一导电类型相反的至少一种第二导电类型的材料制成。 第一至第三半导体层（12,14,16）形成台面结构，构成第一至第三半导体层（12,14,16）的至少一个材料层的侧表面是凹进的，并且凹陷部分填充有 氧化物层或氮化物层，部分或全部。
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公开(公告)号：KR1020030074937A
公开(公告)日：2003-09-22
申请号：KR1020020013936
申请日：2002-03-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/183
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating an intracavity-contacted VCSEL including selective upper mirror layer growth is provided to simplify a heat emission path and a current injection path by using a selective region growth method. CONSTITUTION: A lower mirror layer(200), a laser resonance layer(300), a current injection hole forming layer, and an intracavity-contacted layer are sequentially grown on a substrate(100). An intracavity-contacted layer pattern(500) is formed by wet-etching the current injection hole forming layer. A mask pattern(600) is formed on the intracavity-contacted layer pattern(500). An upper mirror layer(250) is formed on an upper surface of the intracavity-contacted layer pattern(500). The first electrode(700) is formed on the intracavity-contacted layer pattern(500). The second electrode(750) is formed on a back surface of the substrate(100).
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造包括选择性上镜层生长的腔内接触VCSEL的方法，以通过使用选择性区域生长方法简化热发射路径和电流注入路径。 构成：在基板（100）上依次生长下镜面（200），激光谐振层（300），电流注入孔形成层和腔内接触层。 通过湿蚀刻电流注入孔形成层形成腔内接触层图案（500）。 在腔内接触层图案（500）上形成掩模图案（600）。 在腔内接触层图案（500）的上表面上形成上镜层（250）。 第一电极（700）形成在腔内接触层图案（500）上。 第二电极（750）形成在基板（100）的背面上。
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公开(公告)号：KR100927647B1
公开(公告)日：2009-11-20
申请号：KR1020070089939
申请日：2007-09-05
Applicant: 한국전자통신연구원 , 창원대학교 산학협력단
IPC: G05F3/24
Abstract: 본 발명의 밴드갭 기준전압 발생기의 스타트 업 회로는, 충/방전 노드로 일정 레벨의 전류를 제공하고 상기 제공되는 전류 중에서 전원전압의 레벨에 대응하는 전류를 방전하는 충/방전부, 그리고 상기 충/방전 노드의 전압을 근거로 하여 바이어스 전압을 발생하는 바이어스 출력부를 포함하며, 상기 충/방전 노드로 제공되는 전류는 상기 전원전압에 영향을 받지 않는다. 따라서, 본 발명의 스타트 업 회로를 구비한 밴드 갭 기준전압 발생기는 스타트 업 동작시 전원전압에 영향을 받지 않고 안정된 레벨의 기준전압을 발생할 수 있게 된다.
밴드갭, 기준전류, 기준전압, 스타트 업, 파워 업Abstract translation: 提供启动电路和包括该启动电路的带隙参考电压发生器以防止由于不必要的启动操作引起的参考电压和功耗的增加，并且通过控制偏置电压来稳定整个系统的参考电压 的参考电压发生器达到一个稳定的水平。 启动电路（100）包括充电/放电单元（110）和偏压输出单元（150）。 充电/放电单元向充电/放电节点供应恒定电平的电流，并且在供应的电流中放电与电源电压的电平对应的电流。 偏置输出单元基于充电/放电节点的电压生成偏置电压。 提供给充电/放电节点的电流不受电源电压的影响。
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公开(公告)号：KR1020060067190A
公开(公告)日：2006-06-19
申请号：KR1020040105704
申请日：2004-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/18316 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , H01S5/18369 , H01S5/18375 , H01S5/18377
Abstract: 본 발명은 반도체 광소자 중 표면방출 레이저 제작방법에 관한 것으로 화합물 반도체 기판 위에 거울층과 활성층으로 구성된 에피 구조를 유전체 거울층과 결합하고, 이를 다시 새로운 기판 위에 금속접합 방법으로 결합한 후 기존 기판을 제거한 후 새로운 기판 위에서 표면방출 레이저를 제작하는 방법에 관한 기술을 개시한다. 이러한 기술은 표면방출 레이저를 구성하는 상부 거울 및 하부 거울과 활성층에 전기적, 광학적 영향없이 표면방출 레이저 구조를 외부적인 금속접합 방법으로 새로운 기판에 옮겨 붙여 제작하는 방법으로, 기존의 표면방출 레이저의 제작방법을 이용하면서 열적 특성이 우수한 새로운 기판으로 옮겨 제작함으로써 우수한 열 방출 특성을 얻게 하여, 궁극적으로 제작이 용이하면서 신뢰성이 높으며, 우수한 특성의 표면방출 레이저 제작을 가능하게 한다.
표면방출 레이저(Vertical Cavity Surface Emitting Lasers, VCSELs), 금속접합(metallic bonding), 화합물 반도체(compound semiconductor), 유전체 거울층(dielectric mirror), 반도체 거울층(semiconductor Distributed Brag reflector, DBR), 습식선택 식각, 건식선택 식각
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