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公开(公告)号：WO2021210828A1
公开(公告)日：2021-10-21
申请号：PCT/KR2021/004191
申请日：2021-04-05
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 소재고유형 스트레쳐블 유기태양전지, 그의 제조방법 및 그를 포함한 전자장치에 관한 것이다. 본 발명의 소재고유형 스트레쳐블 유기태양전지는 신축성 기판 상에, 전하 수송층, 공액계 폴리머로 이루어진 유기계 광활성층 및 신축성 전도체로 이루어진 전극층을 포함한 것으로, 각 층을 구성하는 신축성 구성요소간 우수한 계면 결합을 유도하여 단일 시스템으로 통합(seamlessly integrating)함으로써, 우수한 초기 전력 변환 효율(PCE) 및 반복적인 인장 변형에도 초기 PCE의 70% 이상이 유지되는 기계적 견고성이 확보되어, 센서, 전자스킨, 플렉시블 디스플레이 및 스트레쳐블 디스플레이로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나에 적용된 전자장치에 유용하다. [대표도] 도 1
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公开(公告)号：WO2017010674A1
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：PCT/KR2016/005336
申请日：2016-05-19
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L51/42 , H01L21/47 , H01L21/471 , H01L31/0256
CPC classification number: H01L21/47 , H01L21/471 , H01L31/0256 , H01L51/42 , Y02E10/549
Abstract: 본 발명에 따른 자발 확산 효과를 이용한 초고속 유/무기 박막 제조방법은 하나 이상의 유/무기 물질을 용매에 녹여 용액을 형성하는 단계; 상기 형성된 용액을 액상 기판 상에 공급하여 유/무기 박막을 형성하는 단계; 및 상기 형성된 박막을 기판으로 전사하는 단계;를 포함하고, 상기 유/무기 박막 형성 단계는, 상기 액상 기판과 상기 용액 간의 표면 장력 차이에 의한 자발 확산 현상이 이루어지고, 상기 용매의 증발 및 액상 기판으로의 용매의 용해 과정이 이루어지는 것을 통해 상기 액상 기판 상에 상기 유/무기 물질이 박막을 이루는 것을 특징으로 한다. 본 발명은 액상 기판과 용액의 표면 장력을 이용하여 액상 기판에서 박막을 형성하는 방법에 대한 것으로서 유/무기 전자소자를 구현하게 한다.
Abstract translation: 根据本发明，通过使用自扩散效应制备有机/无机薄膜的超快速方法包括以下步骤：通过将一种或多种有机/无机材料溶解在溶剂中形成溶液; 通过将形成的溶液供给到液体基材上形成有机/无机薄膜; 并将形成的薄膜转移到基板上，其中形成有机/无机薄膜的步骤通过由表面差引起的自扩散现象从有机/无机材料在液体基板上形成薄膜 液体基质和溶液之间的张力，以及溶剂的蒸发和溶剂溶解于液体基质的溶解过程的发生。 本发明涉及通过使用液体基板和溶液之间的表面张力在液体基板上形成薄膜的方法，并且允许实现有机/无机电子器件。
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公开(公告)号：WO2023075201A1
公开(公告)日：2023-05-04
申请号：PCT/KR2022/015255
申请日：2022-10-11
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/0392 , H01L31/18 , C08L9/06 , C08L53/02
Abstract: 본 발명은 신축성 기판을 포함하는 박막형 신축성 전자소자 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 신축성 기판의 표면처리에 의해 표면처리된 기판과 인접하는 층간의 접합힘(Work of adhesion, Wa, mJ/㎡)과 표면 거칠기를 최적화하여, 인장 변형상태 조건에서도 각 소자 구성층과 상호작용하여 층간 접합력을 향상시켜 소자 구성층이 손상되지 않도록 높은 기계적 신축성을 구현한 박막형 신축성 전자소자를 제공하고, 상기 박막형 신축성 전자소자는 웨어러블 전자장치 적용에 유용하다.
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公开(公告)号：KR1020160027430A
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：KR1020140114186
申请日：2014-08-29
IPC: H01L51/52
CPC classification number: H01L51/5268 , H01L51/5203
Abstract: 유기발광소자가제공된다. 상기유기발광소자는기판, 상기기판상에배치되는하부전극, 상기하부전극상에배치되는유기발광층, 상기유기발광층 상에배치되는상부전극, 및상기하부전극과상기유기발광층 사이에배치되며금속나노입자들을포함하는광산란층을포함할수 있다. 본발명의유기발광소자에따르면, 유기발광층으로부터방출된광이광산란층에포함된금속나노입자들에부딪혀산란되며, 이에따라유기발광소자의외부발광효율을높아지고, 시야각특성이안정화될수 있다.
Abstract translation: 公开了一种有机发光器件，包括：衬底; 布置在所述基板上的下电极; 布置在下电极上的有机发光层; 布置在有机发光层上的上电极; 以及布置在下电极和有机发光层之间的光散射层，以包括金属纳米颗粒。 根据本发明的有机发光器件，由有机发光器件输出的光通过击中包含在光散射层中的金属纳米颗粒而散射。 因此，有机发光装置的外部发光效率提高，视角特性稳定。
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公开(公告)号：KR101380185B1
公开(公告)日：2014-04-04
申请号：KR1020120036868
申请日：2012-04-09
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L51/42
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 본 발명은 용액공정에서 Ag NPs(나노입자)를 합성해 버퍼층(또는 정공이동층) 위에 미리 스핀코팅을 통해 나노입자를 뿌린 후 열처리하여 미리 나노입자들을 안정화시킴으로써, 추가적인 계면활성제 반응이 필요 없고 활성층 형성과정에서 나타나는 엉김현상(aggregation)과 같은 상분리가 방지될 수 있으며, 플라즈모닉 특성이 유기박막태양전지 내부에서 나노입자의 크기와 환경, 나노입자가 도입되는 위치에 따라 조절이 가능한, 금속나노입자의 표면 플라즈몬 공명현상을 이용한 고효율 유기박막태양전지에 관한 것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130114465A
公开(公告)日：2013-10-17
申请号：KR1020120036868
申请日：2012-04-09
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L51/42
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/42
Abstract: PURPOSE: An organic thin film solar cell with high efficiency using the surface plasmon resonance phenomenon of metal nanoparticles is provided to prevent aggregation by stabilizing the metal nanoparticles. CONSTITUTION: A transparent electrode layer and a metal electrode pattern layer are arranged on a substrate. A buffer layer and an active layer are located between the transparent electrode layer and the metal electrode pattern layer. A temporary layer is formed on the buffer layer. The active layer is formed on the temporary layer and is doped with metal nanoparticles. [Reference numerals] (AA,CC) Light; (BB) Metal electrode
Abstract translation: 目的：提供使用金属纳米粒子的表面等离子体共振现象的高效率的有机薄膜太阳能电池，以通过稳定金属纳米粒子来防止聚集。 构成：在基板上配置透明电极层和金属电极图案层。 缓冲层和有源层位于透明电极层和金属电极图案层之间。 在缓冲层上形成临时层。 有源层形成在临时层上并掺杂金属纳米粒子。 （标号）（AA，CC）光; （BB）金属电极
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公开(公告)号：KR100426956B1
公开(公告)日：2004-04-17
申请号：KR1020010044308
申请日：2001-07-23
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/20
Abstract: PURPOSE: A method for forming an oxide layer of a silicon-germanium epitaxial layer is provided to form the oxide layer without a defect by performing an oxidation process and a thermal process for an SiGe/Si hetero-junction structure. CONSTITUTION: An SiGe/Si hetero-junction layer is oxidized under temperature of 900 degrees centigrade during 15 minutes. The SiGe/Si hetero-junction layer is formed with an SiGe epitaxial layer having ununiform density of Ge and an Si layer(3). A thermal process for the SiGe/Si hetero-junction layer is performed to restrain the stack of Ge between an oxide layer(1) and the SiGe epitaxial layer after the oxidation process for the SiGe/Si hetero-junction layer is performed. In the SiGe epitaxial layer, the density of Ge is less than 50 percent.
Abstract translation: 目的：通过对SiGe / Si异质结结构进行氧化处理和热处理，提供形成硅锗外延层的氧化物层的方法以形成没有缺陷的氧化物层。 构成：SiGe / Si异质结层在900摄氏度的温度下氧化15分钟。 SiGe / Si异质结层由具有不均匀Ge浓度的SiGe外延层和Si层（3）形成。 在SiGe / Si异质结层的氧化工艺被执行之后，执行用于SiGe / Si异质结层的热处理以限制氧化物层（1）与SiGe外延层之间的Ge堆叠。 在SiGe外延层中，Ge的密度小于50％。
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公开(公告)号：KR1020030069306A
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：KR1020020008819
申请日：2002-02-19
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/105
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a YMnO3 thin film of a two-layered structure and a YMnO3 thin film of a two-layered structure is provided to simplify a fabricating process by eliminating the necessity of an interlayer dielectric between a YMnO3 thin film and a silicon substrate, and to improve a leakage current characteristic and a memory window effect by changing the structure of the thin film itself. CONSTITUTION: The YMnO3 thin film has a two-layered structure composed of a c-axis orientation layer(1) and a polycrystalline layer(2). The thickness of the YMnO3 thin film is from 100 nanometer to 200 nanometer. A rapid thermal annealing(RTA) process is performed to form the YMnO3 thin film in an atmosphere of vacuum or inert gas at a temperature of 700-900 deg.C and within a time interval of 3 minutes.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造双层结构的YMnO 3薄膜和双层结构的YMnO3薄膜的方法，以通过消除YMnO3薄膜和硅之间的层间电介质的必要性来简化制造工艺 并且通过改变薄膜本身的结构来提高漏电流特性和存储窗效应。 构成：YMnO3薄膜具有由c轴取向层（1）和多晶层（2）组成的两层结构。 YMnO3薄膜的厚度为100纳米〜200纳米。 进行快速热退火（RTA）工艺以在700-900℃的温度和3分钟的时间间隔内在真空或惰性气体气氛中形成YMnO 3薄膜。
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公开(公告)号：KR101976918B1
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：KR1020170037907
申请日：2017-03-24
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/0392 , H01L31/046 , H01L31/054 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/0216
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公开(公告)号：KR1020170067204A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：KR1020150173270
申请日：2015-12-07
Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 , 한국과학기술원
CPC classification number: B22F1/0025 , B22F3/002 , B22F9/24 , B22F2009/245 , B22F2301/255 , B22F2304/05 , B22F2998/10 , B22F1/0088 , B22F7/04 , B22F7/08
Abstract: 본발명의일 실시예에따른금속나노선전극의제조방법은금속나노선을형성하는단계, 상기금속나노선을화학적으로환원시켜인접하는금속나노선을연결하는단계를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的制造金属纳米线电极的方法包括形成金属纳米线并化学还原所述金属纳米线以连接相邻的金属纳米线。
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