公开(公告)号：KR101458011B1

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：KR1020130104138

申请日：2013-08-30

Applicant: 한국표준과학연구원

Inventor： 조양구 ,  이확주 ,  배문섭 ,  허지호 ,  김주황

IPC: H01J37/244 ,  H01J37/26

Abstract: 본 발명은 기판(100) 상에 설치되며 시편에서 반사된 반사전자에 의해 전자와 홀이 형성되는 포토다이오드(200)를 포함하는 주사전자현미경의 반사전자(BSE-Back scattered electron) 검출기에 있어서, 상기 포토다이오드(200)는 상기 기판(100) 상에 설치되는 제1전극(210); 상기 제1전극(210) 상에 화학기상증착(CVD)방법을 이용하여 비정질 N형반도체층(221), 비정질 N형반도체층(222), 비정질 P형반도체층(223)이 순차적으로 적층되어 형성되는 반도체(220); 및 상기 비정질 P형반도체층(223) 상에 설치되는 제2전극(230);를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于扫描电子显微镜的背散射电子检测器，其包括安装在基板（100）上的光电二极管（200），并由来自试样的背散射电子形成电子和空穴。 光电二极管（200）包括安装在基板（100）上的第一电极（210），通过连续层叠非晶N型半导体层（221），非晶N型半导体 层（222）和使用CVD法的非晶P型半导体层（223）和安装在非晶P型半导体层（223）上的第二电极（230）。