公开(公告)号：KR100124972B1

公开(公告)日：1997-11-27

申请号：KR1019940010611

申请日：1994-05-16

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김향숙 ,  이선숙 ,  황진수 ,  정필조

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/38

Abstract: A method of making a single crystal gallium nitride thin film includes the steps of: providing ammonia gas on a sapphire substrate to deposit an aluminum nitride film layer as a buffer layer; providing gallium salt and heteroepitaxially growing a thin film of single crystal GaN on the aluminum nitride film layer by HVPE (halide vapor phases epitaxy). This thin film comprises a wurtzite structure which shows few crystal defects.

Abstract translation: 制造单晶氮化镓薄膜的方法包括以下步骤：在蓝宝石衬底上提供氨气以沉积氮化铝膜层作为缓冲层; 提供镓盐，并通过HVPE（卤化物蒸气相外延）在氮化铝膜层上异质外延生长单晶GaN薄膜。 该薄膜包括显示出很少的晶体缺陷的纤锌矿结构。

公开(公告)号：KR1019950032727A

公开(公告)日：1995-12-22

申请号：KR1019940010611

申请日：1994-05-16

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김향숙 ,  이선숙 ,  황진수 ,  정필조

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/38

Abstract: 본 발명은 갈륨 나이트라이드 단결정 박막의 제조방법과 그 제조장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 갈륨 나이트라이드(Gallium Nitride, GaN)를 사파이어 단결정 표면에 헤테로에피탁시(heteroepitaxy)하게 단결정 박막으로 피복성장시키는 과정에 있어서, 별도에 알루미늄 금속원 공급 없이 사파이어의 결합자리에 질소원자를 치환시켜 알루미늄 나이트라이드(Aluminum Nitride, AiN)를 완충막으로 도입하고 그 위에 HVPE(Halide Vapor Phase Epitaxy)방법을 이용하여 결정결함이 적은 부르자이트형(wurtzite type)구조의 갈륨 나이트라이드 단결정 박막을 피복성장시키는 방법과 갈륨 나이트라이드 단결정 박막의 제조장치에 관한 것이다.