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公开(公告)号：KR100124972B1
公开(公告)日：1997-11-27
申请号：KR1019940010611
申请日：1994-05-16
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: A method of making a single crystal gallium nitride thin film includes the steps of: providing ammonia gas on a sapphire substrate to deposit an aluminum nitride film layer as a buffer layer; providing gallium salt and heteroepitaxially growing a thin film of single crystal GaN on the aluminum nitride film layer by HVPE (halide vapor phases epitaxy). This thin film comprises a wurtzite structure which shows few crystal defects.
Abstract translation: 制造单晶氮化镓薄膜的方法包括以下步骤：在蓝宝石衬底上提供氨气以沉积氮化铝膜层作为缓冲层; 提供镓盐，并通过HVPE（卤化物蒸气相外延）在氮化铝膜层上异质外延生长单晶GaN薄膜。 该薄膜包括显示出很少的晶体缺陷的纤锌矿结构。
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公开(公告)号：KR1019950025122A
公开(公告)日：1995-09-15
申请号：KR1019940001994
申请日：1994-02-03
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C30B25/02
Abstract: 본발명은 나이트라이드 화합물을 이종물체의 표면에 피복시킬 때 이용되는 레이저 VPE(laser- as-sisted vapor phase epitaxy) 방법과 그 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 나이트라이드(N) 화합물을 다른 종류의 기판상에 피복시킬 때 파장공명적 레이져 광 에너지를 선정하여 사용하므로써 광화학 반응에 기초한 헤테로에피탁시(hetero-elpitaxy) 방법으로 나이트라이드 화합물을 종래보다 비교적 낮은 온도에서 실시하여 결함구조 없이 피복을 성장시킬 수 있는 새로운 레이저 VPE 방법과, 이러한 VPE 방법을 이용할 수 있도록 구성된 레이저 VPE 장치에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR100193380B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019960034704
申请日：1996-08-21
Applicant: 한국화학연구원
IPC: B01J37/02
Abstract: 본 발명은 탈질 촉매의 제조방법에 관한 것으로서, 코발트 또는 코발트와 알칼리토금속의 활성금속을 적심법(Wetness)에 의해 제올라이트에 최소량의 금속량을 담지시켜 탈질 촉매를 제조함으로써 종래의 제조방법과 비교하여 그 절차가 매우 간단하여 재현성있는 촉매의 제조가 가능하며 탈질효능도 유사하거나 오히려 향상될 뿐만 아니라 넓은 온도범위 및 과량의 산소 분위기하에서도 질소산화물에 대하여 우수한 선택적 환원활성을 보이므로 가스터빈이나 보일러 등과 같은 고정배출원이나 자동차의 내연기관과 같은 이동배출원에서 발생하는 배기가스 정화에 유용한 탈질 촉매의 제조방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019960033543A
公开(公告)日：1996-10-22
申请号：KR1019950006532
申请日：1995-03-27
Applicant: 한국화학연구원
IPC: B01J23/78
Abstract: 본 발명은 질소 산화물 제거용 촉매의 제조방법과 이 촉매와 프로판 환원제를 이용한 질소산화물(NO
x )의 제거방법에 관한 것으로서, 더욱 상세히 설명하면 코발트, 알칼리토금속, 란타늄 등의 활성금속을 pH 5.5∼6.8에서 이온교환법에 의해 제올라이트에 담지시켜 질소산화물 제거용 촉매를 제조하고, 이 촉매에 질소산화물, 프로판 및 산소를 적정농도 및 적정 공간유속으로 외부로부터 도입하여 선택적으로 질소산화물을 효과적으로 제거할 수 있는 방법에 관한 것이다.-
公开(公告)号：KR1019950032727A
公开(公告)日：1995-12-22
申请号：KR1019940010611
申请日：1994-05-16
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 갈륨 나이트라이드 단결정 박막의 제조방법과 그 제조장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 갈륨 나이트라이드(Gallium Nitride, GaN)를 사파이어 단결정 표면에 헤테로에피탁시(heteroepitaxy)하게 단결정 박막으로 피복성장시키는 과정에 있어서, 별도에 알루미늄 금속원 공급 없이 사파이어의 결합자리에 질소원자를 치환시켜 알루미늄 나이트라이드(Aluminum Nitride, AiN)를 완충막으로 도입하고 그 위에 HVPE(Halide Vapor Phase Epitaxy)방법을 이용하여 결정결함이 적은 부르자이트형(wurtzite type)구조의 갈륨 나이트라이드 단결정 박막을 피복성장시키는 방법과 갈륨 나이트라이드 단결정 박막의 제조장치에 관한 것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019900001487B1
公开(公告)日：1990-03-12
申请号：KR1019870011598
申请日：1987-10-19
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: A zeolite is produced by manufacturing sucessively homogeneous and amorphous alumino silicate gel by supplying and hydrogeling silicate of soda solution and aluminate of soda solution into a flowing mixer, converting the gel (where viscosity is 550 - 15000 cp) to fluid alumino silicate sol (where viscosity is 20 - 1400 cp) by charging torque, aging the sol at 5 - 70 deg. C for 0 - 72 hours, and crystallizing at 50 - 120 deg. C for 0.2 - 24 hours into mean particle size 2 - 4 micron.
Abstract translation: 通过将苏打溶液和苏打溶液的铝酸盐的硅酸盐供应并水解成流动的混合器，将凝胶（其中粘度为550-15000cp）转化为流体铝硅酸盐溶胶（其中 粘度为20 - 1400 cp），使溶胶老化5 - 70度。 0至72小时，并在50-120度下结晶。 C为0.2-24小时，平均颗粒尺寸为2-4微米。
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公开(公告)号：KR100128543B1
公开(公告)日：1998-04-02
申请号：KR1019940016245
申请日：1994-07-07
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: The preparation method of the catalyst for removing carbon monooxide by carrying the metallic salt containing palladium ion and copper ion into porous carrier in 20~60deg.C is disclosed. Thereby, it is possible to simply and economically remove carbon monooxide in absence of special apparatus.
Abstract translation: 公开了通过将含有钯离子和铜离子的金属盐携带到多孔载体中以除去一氧化碳的催化剂的制备方法在20〜60℃。 由此，在没有特殊装置的情况下，可简单且经济地除去一氧化碳。
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公开(公告)号：KR1019960007835A
公开(公告)日：1996-03-22
申请号：KR1019940020711
申请日：1994-08-22
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C30B25/02
Abstract: 본 발명은 질화칼륨(Gallium Nitride, GaN)을 집광성 레이저광 여기(coherent laser aided vapour phase epitaxy, LVPE)방법에 의해 육방정계의 부루자이트(Wurtzite) 단결정 격자구조로 피복성장시키는 방법에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 기판위에 질화알루미늄(Aluminum nitride, AIN)완충막을 인시츄(in-situ)방법에 의해 도입하고 갈륨 함유 반응물과 질소함유 반응물을 약 800℃의 낮은 온도와 0.1~3.8torr의 낮은 증기압하에서 공명적 에너지 광분해 증착법에 의해 단결정 두께 2~20μm를 갖는 청색 발광성 질화갈륨 적층막(epitaxial film)을 제조하는 방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR100036415B1
公开(公告)日：1990-10-08
申请号：KR1019860008673
申请日：1986-10-16
Applicant: 한국화학연구원
Inventor： 정필조
IPC: C07D407/12 , C08B37/04
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