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公开(公告)号：KR102226767B1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020190017882A
申请日：2019-02-15
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1608 , H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/1675
Abstract: 본 발명은 에너지 고 효율이 가능한 ReRAM의 제조 방법을 공개한다. 이 방법은 기판 상에 증착된 하부 전극층의 상부에 가변 저항막이 증착되는 단계; 및 상기 가변 저항막 상부에 상부 전극층이 증착되는 단계; 를 포함하고, 상기 상부 전극층과 상기 가변 저항막의 인터페이스 근처에서 산소 부족 층이 형성되어, 고 저항 상태를 수반하지 않고 복수개의 저 저항 상태 사이에서 저항이 전환됨에 따라 ReRAM 동작 중 소거 동작이 제거되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의할 경우, 종래의 반복적인 증분 단계 펄스 프로그래밍 / 오류 검사 및 교정 알고리즘이 멀티비트 저항 스위칭 동작 동안 시간 소모적인 문제점을 극복하고, 높은 신뢰성과 에너지 고 효율적인 저항 스위칭 동작을 달성할 수 있는 에너지 고 효율적인 멀티비트 저항 스위칭 동작이 가능하게 된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102226791B1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020190013114A
申请日：2019-01-31
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L45/1233 , H01L45/145
Abstract: 본 발명은 소거 동작을 제거한 저항 스위칭 메모리를 공개한다. 이 장치는 하부 전극층, 가변 저항막 및 상부 전극층의 적층을 포함하는 저항 스위칭 메모리에 있어서, 멀티 비트 동작 구간 동안 상기 상부 전극층과 상기 가변 저항막의 인터페이스 근처에서 산소 부족 층이 형성되어 저항 스위칭 메모리 동작 중 소거 동작이 제거되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의할 경우, 상부 전극층이 부분적으로 산화되어, 저항 스위칭 메모리에서 요구되는 저항 스위칭 성능을 수행하기 위하여 필요한 양호한 산소 저장소 및 적절한 부하 저항 기능을 할 수 있게 된다.
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公开(公告)号：KR102226767B1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020190017882
申请日：2019-02-15
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L45/00
Abstract: 본발명은에너지고 효율이가능한 ReRAM의제조방법을공개한다. 이방법은기판상에증착된하부전극층의상부에가변저항막이증착되는단계; 및상기가변저항막상부에상부전극층이증착되는단계; 를포함하고, 상기상부전극층과상기가변저항막의인터페이스근처에서산소부족층이형성되어, 고저항상태를수반하지않고복수개의저 저항상태사이에서저항이전환됨에따라 ReRAM 동작중 소거동작이제거되는것을특징으로한다. 본발명에의할경우, 종래의반복적인증분단계펄스프로그래밍 / 오류검사및 교정알고리즘이멀티비트저항스위칭동작동안시간소모적인문제점을극복하고, 높은신뢰성과에너지고 효율적인저항스위칭동작을달성할수 있는에너지고 효율적인멀티비트저항스위칭동작이가능하게된다.
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公开(公告)号：KR102210615B1
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：KR1020190014811
申请日：2019-02-08
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은멀티비트연산을위해최적화된저항스위칭장치의제조방법을공개한다. 이방법은기판상에증착된하부전극의상부에가변저항막이증착되는단계; 및상기가변저항막상부에절연막이증착되고, 상기절연막상부에상부전극이증착되는단계; 를포함하고, 상기절연막은저항스위칭장치의셋 동작시자가전류제한(self-compliance) 전류특성을갖게하는것을특징으로한다. 본발명에의할경우, 하부전극과상부전극사이에절연막이삽입되어동작전류를억제함으로써, current and enlarged operation voltage.고속의멀티비트동작에유리한큰 증분전압스텝조건하에서에너지소비를절감한다. 또한, 저항스위칭장치의고속의멀티비트동작에유리한큰 증분전압스텝조건하에서증분단계펄스프로그래밍(ISPP) / 오류검사및 교정(ECC) 동안, 전류의점진적인변화가목표전류범위를초과하는비정상적인경우의발생빈도수가감소하여평균에너지소비량이절감된다.
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公开(公告)号：KR102226791B1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020190013114
申请日：2019-01-31
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L45/00
Abstract: 본발명은소거동작을제거한저항스위칭메모리를공개한다. 이장치는하부전극층, 가변저항막및 상부전극층의적층을포함하는저항스위칭메모리에있어서, 멀티비트동작구간동안상기상부전극층과상기가변저항막의인터페이스근처에서산소부족층이형성되어저항스위칭메모리동작중 소거동작이제거되는것을특징으로한다. 본발명에의할경우, 상부전극층이부분적으로산화되어, 저항스위칭메모리에서요구되는저항스위칭성능을수행하기위하여필요한양호한산소저장소및 적절한부하저항기능을할 수있게된다.
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