公开(公告)号：KR100930997B1

公开(公告)日：2009-12-10

申请号：KR1020080006535

申请日：2008-01-22

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 부경호 ,  이정오 ,  장현주 ,  공기정 ,  소혜미 ,  황재호

IPC: H01L29/78 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L51/0048 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0545

Abstract: 본 발명의 탄소나노튜브 트랜지스터 제조 방법은 소스 전극과 드레인 전극 사이에 탄소나노튜브 채널이 형성되어 있으며, 상기 탄소나노튜브 채널 일측에 게이트 전극이 형성되어 있는 탄소나노튜브 트랜지스터를 제조하는 방법으로서, a) 기판상에 상기 탄소나노튜브 채널을 형성하는 단계; b) 상기 탄소나노튜브 채널의 양단에 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 전기적으로 각각 연결하는 단계; 및 c) 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 스트레스 전압을 인가하여, 상기 탄소나노튜브 채널 내 금속성을 제거하는 단계;를 포함한다.
본 발명의 탄소나노튜브 트랜지스터 제조 방법에 의하면, 트랜지스터 소자 내에서 채널로 이용되며, 금속성과 반도체성이 혼재되어 있는 탄소나노튜브에서 금속성 부분을 선택적으로 제거할 수 있다.
탄소나노튜브

Abstract translation: 本发明涉及一种制造碳纳米管晶体管的方法，其中在源电极和漏电极之间形成碳纳米管沟道并且在碳纳米管沟道的一侧形成栅电极，所述方法包括以下步骤： ：（a）在基板上形成碳纳米管沟道; （b）将源电极和漏电极分别电连接到碳纳米管沟道的两端; 和（c）在所述源电极和所述漏电极之间施加应力电压以去除所述碳纳米管沟道的金属性。 根据本发明的制造碳纳米管晶体管的方法，可以从用作晶体管的沟道的碳纳米管中选择性地去除金属部分，并且具有彼此混合的金属特性和半导体特性。

公开(公告)号：KR1020090080653A

公开(公告)日：2009-07-27

申请号：KR1020080006535

申请日：2008-01-22

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 부경호 ,  이정오 ,  장현주 ,  공기정 ,  소혜미 ,  황재호

IPC: H01L29/78 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L51/0048 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0545 ,  H01L21/02606 ,  H01L29/0669

Abstract: A method for manufacturing a carbon nano tube transistor and a carbon nano tube transistor by the same are provided to improve a semiconductor property by removing a metallic property inside a carbon nano tube channel inside a carbon nano tube transistor. In a carbon nano tube transistor, a carbon nano tube channel(30) is formed between a source electrode and a drain electrode(20). A gate electrode is formed in one side of the carbon nano tube channel. The carbon nano tube channel is formed on a substrate(10). The source electrode and the drain electrode are electrically connected to both ends of the carbon nano tube channel. A metallic property inside the carbon nano tube channel is removed by applying a stress voltage between the source electrode and the drain electrode.

Abstract translation: 提供一种碳纳米管晶体管和碳纳米管晶体管的制造方法，其通过除去碳纳米管晶体管内的碳纳米管通道内的金属特性来提高半导体性能。 在碳纳米管晶体管中，在源电极和漏电极（20）之间形成碳纳米管通道（30）。 栅电极形成在碳纳米管通道的一侧。 碳纳米管通道形成在基板（10）上。 源电极和漏极电连接到碳纳米管通道的两端。 通过在源电极和漏电极之间施加应力电压来去除碳纳米管通道内的金属性质。

公开(公告)号：KR100907474B1

公开(公告)日：2009-07-13

申请号：KR1020070072051

申请日：2007-07-19

Applicant: 한국화학연구원 ,  연세대학교 산학협력단

Inventor： 이정오 ,  부경호 ,  장현주 ,  소혜미 ,  공기정 ,  김병계 ,  박동원 ,  전은경 ,  최헌진

IPC: G01N33/50 ,  G01N27/30 ,  C12Q1/68

Abstract: 본 발명의 바이오 센서는 긴 단일 나노와이어 소자의 표면을 직렬로 구획하여 특정의 목표 바이오 분자와 결합할 수 있도록 기능화하여, 동일 또는 다중의 목표 바이오 분자를 동시에 검출한다.
이를 통해 다양한 바이오 물질을 정성적 및/또는 정량적으로 효과적으로 검출할 수 있다. 따라서, 제조공정의 비용을 줄일 수 있으며 여러 가지 바이오 분자에 대한 검출을 빠른 시간에 달성함과 동시에 정확한 분석을 가능하게 한다.
검지단위, 바이오 센서, 탄소나노튜브, 다중 검출

公开(公告)号：KR1020090008798A

公开(公告)日：2009-01-22

申请号：KR1020070072051

申请日：2007-07-19

Applicant: 한국화학연구원 ,  연세대학교 산학협력단

Inventor： 이정오 ,  부경호 ,  장현주 ,  소혜미 ,  공기정 ,  김병계 ,  박동원 ,  전은경 ,  최헌진

IPC: G01N33/50 ,  G01N27/30 ,  C12Q1/68

CPC classification number: C12Q1/6825 ,  C01B32/158 ,  C01B2202/34 ,  C12Q2537/143 ,  G01N27/30

Abstract: A biosensor is provided to bind to the specific target biomolecule by segmenting the surface of the long single nanowire device, thereby simultaneously detecting the identical or multiple biomolecules. The biosensor comprises: a source electrode(14), a drain electrode(15) and a transistor consisting of gate and nanowire(10), wherein the nanowire has a plurality of scanning units segmented in the longitudinal direction; the length of transistor is 10mum to 10 cm; and the scanning unit is segmented by the serial manner so as not to overlap the channel region.

Abstract translation: 提供生物传感器以通过分割长单一纳米线装置的表面来结合特异性目标生物分子，从而同时检测相同或多个生物分子。 生物传感器包括：源电极（14），漏电极（15）和由栅极和纳米线（10）组成的晶体管，其中所述纳米线具有沿纵向方向分割的多个扫描单元; 晶体管的长度为10m到10cm; 并且扫描单元被串行方式分段，以便不与信道区域重叠。